北京中科同志科技股份有限公司文章

• 先進碳化硅功率半導體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革2025-04-08 11:40

  

  本文聚焦于先進碳化硅（SiC）功率半導體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在移動應用功率密度提升的背景下，對封裝技術(shù)提出全新要求。先進的封裝技術(shù)能夠充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢，提升功率模塊的性能與可靠性，推動電力電子系統(tǒng)向更高效率、更高功率密度方向發(fā)展。

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• 多芯片封裝：技術(shù)革新背后的利弊權(quán)衡2025-04-07 11:32

  

  多芯片封裝（MCP）技術(shù)通過將邏輯芯片、存儲芯片、射頻芯片等異構(gòu)模塊集成于單一封裝體，已成為高性能計算、人工智能、5G通信等領域的核心技術(shù)。其核心優(yōu)勢包括性能提升、空間優(yōu)化、模塊化設計靈活性，但面臨基板制造、熱管理、電源傳輸?shù)汝P鍵挑戰(zhàn)。本文從技術(shù)原理、應用場景、行業(yè)趨勢三個維度剖析MCP的利弊，揭示其在算力密度與可靠性之間的技術(shù)平衡難題。

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• 碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導體之王？2025-04-02 10:59

  

  在半導體技術(shù)的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當前市場上的兩大主流產(chǎn)品，各自擁有獨特的優(yōu)勢與應用場景。那么，碳化硅功率模塊與硅基IGBT功率模塊相比，究竟誰更勝一籌？碳化硅是否會取代硅基IGBT成為未來的主流？本文將從多

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• 靜電卡盤：半導體制造中的隱形冠軍2025-03-31 13:56

  

  在半導體制造的精密工藝流程中，每一個零部件都扮演著至關重要的角色，而靜電卡盤（Electrostatic Chuck，簡稱E-Chuck）無疑是其中的佼佼者。作為固定晶圓的關鍵設備，靜電卡盤以其獨特的靜電吸附原理、高精度的溫度控制能力以及廣泛的適用性，在半導體制造領域發(fā)揮著不可替代的作用。

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• 深入了解氣密性芯片封裝，揭秘其背后的高科技2025-03-28 11:43

  

  在半導體技術(shù)日新月異的今天，芯片封裝作為連接設計與制造的橋梁，其重要性日益凸顯。而氣密性芯片封裝，作為封裝技術(shù)中的一種高端形式，更是因其能夠有效隔絕外界環(huán)境對芯片的干擾和損害，保障芯片性能與可靠性，而備受業(yè)界關注。本文將深入探討氣密性芯片封裝的技術(shù)原理、應用場景、挑戰(zhàn)與未來發(fā)展趨勢。

  芯片封裝 集成電路 623瀏覽量

• 新型SIC功率芯片：性能飛躍，引領未來電力電子！2025-03-27 10:49

  

  隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，對功率半導體器件的性能要求日益提高。碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）作為一種第三代半導體材料，因其寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性，在功率半導體器件領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。近年來，新型SIC功率芯片的結(jié)構(gòu)設計和制造技術(shù)取得了顯著進展，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運行提供了有力支持。

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• IC封裝產(chǎn)線分類詳解：金屬封裝、陶瓷封裝與先進封裝2025-03-26 12:59

  

  在集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)中，封裝是不可或缺的一環(huán)。它不僅保護著脆弱的芯片，還提供了與外部電路的連接接口。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，IC封裝技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和進步。本文將詳細探討IC封裝產(chǎn)線的分類，重點介紹金屬封裝、陶瓷封裝以及先進封裝等幾種主要類型。

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• 深度解讀：真空共晶爐加熱板的材質(zhì)與性能關系2025-03-25 13:19

  

  在半導體封裝、微電子器件制造等領域，真空共晶爐是一種至關重要的設備，它利用真空環(huán)境和精確的溫度控制，實現(xiàn)器件之間的高質(zhì)量焊接。而加熱板作為真空共晶爐的核心部件之一，其材質(zhì)和性能直接影響到焊接的質(zhì)量和效率。本文將深入探討真空共晶爐加熱板的選擇及其區(qū)別，以期為相關領域的技術(shù)人員和決策者提供參考。

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• 不只依賴光刻機！芯片制造的五大工藝大起底！2025-03-24 11:27

  

  在科技日新月異的今天，芯片作為數(shù)字時代的“心臟”，其制造過程復雜而精密，涉及眾多關鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造，人們往往首先想到的是光刻機這一高端設備，但實際上，芯片的成功制造遠不止依賴光刻機這一單一工具。本文將深入探討芯片制造的五大關鍵工藝，揭示這些工藝如何協(xié)同工作，共同鑄就了現(xiàn)代芯片的輝煌。

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• HBM新技術(shù)，橫空出世：引領內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章2025-03-22 10:14

  

  隨著人工智能、高性能計算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等領域的快速發(fā)展，對內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)，如DDR和GDDR，已逐漸難以滿足這些新興應用對高性能、低延遲和高能效的嚴苛要求。正是在這樣的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)應運而生，以其獨特的3D堆疊架構(gòu)和TSV（硅通孔）技術(shù)，為內(nèi)存芯片行業(yè)帶來了前所未有的創(chuàng)新。

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