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N通道和P通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?2024-10-25 11:58
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先，作為其真空管前身三極管，晶體管可以放大電信號(hào)。其次，晶體管可以作為計(jì)算機(jī)的信息處理和存儲(chǔ)的開(kāi)關(guān)設(shè)備。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是控制電流通過(guò)電場(chǎng)的半導(dǎo)體器件。晶體管不僅可以放大電信號(hào)，還可以作為開(kāi)關(guān)設(shè)備。計(jì)算機(jī)利用晶體管的開(kāi)關(guān)能力進(jìn)行算術(shù)和邏輯運(yùn)算以及信息存儲(chǔ)。它們使用二進(jìn)制代碼——以基數(shù)2書(shū)寫(xiě)的 -
Wolfspeed暫停德國(guó)SiC晶圓廠建設(shè)，德國(guó)半導(dǎo)體招商引資再遭重創(chuàng)2024-10-25 11:53
近期，美國(guó)半導(dǎo)體公司W(wǎng)olfspeed宣布暫停在德國(guó)恩斯多夫(Ensdorf)建設(shè)碳化硅(SiC)晶圓廠的計(jì)劃，此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營(yíng)運(yùn)危機(jī)而擱置馬格德堡建廠案，進(jìn)一步凸顯了當(dāng)前德國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的投資挑戰(zhàn)。Wolfspeed原計(jì)劃在德國(guó)投資30億歐元，旨在增強(qiáng)其在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，以滿足電動(dòng)車(chē)和新能源行業(yè) -
2024年全球硅晶圓市場(chǎng)回暖：SEMI預(yù)測(cè)出貨量將穩(wěn)步增長(zhǎng)2024-10-24 11:13
近日，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布了其最新的年度硅晶圓出貨量預(yù)測(cè)報(bào)告，展現(xiàn)出全球硅晶圓市場(chǎng)的積極信號(hào)。報(bào)告指出，經(jīng)歷了去年的14.3%跌幅后，今年全球硅晶圓出貨量的下跌幅度將顯著收窄，僅下降2.4%。這一趨勢(shì)不僅反映出市場(chǎng)的恢復(fù)力，還顯示出在人工智能(AI)和先進(jìn)制程等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。硅晶圓作為大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)構(gòu)建材料，扮演著至關(guān)重要的角色。半導(dǎo)體本 -
BiGaN開(kāi)關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用2024-10-24 11:11
保護(hù)USB端口、為來(lái)自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)免受浪涌影響，都依賴(lài)于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止，設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFET以背靠背的方式連接在共同源極配置中來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目的。這種方法涉及兩個(gè)組件，并因?qū)娮?RDS(on))、安全工作區(qū)(SOA)及其他特性而受到限制(見(jiàn)圖1)。雙向氮化鎵(BiGaN)開(kāi)關(guān)是一種創(chuàng)新的解決方案， -
中國(guó)新能源汽車(chē)與光伏市場(chǎng)推動(dòng)SiC襯底價(jià)格劇烈波動(dòng)2024-10-23 11:37
2024年，中國(guó)新能源汽車(chē)和光伏市場(chǎng)的快速發(fā)展引發(fā)了SiC(碳化硅)襯底價(jià)格的顯著下跌。今年，SiC襯底的價(jià)格已下降近30%，并預(yù)計(jì)到2024年中期將降至500美元以下。這一變化不僅影響了相關(guān)制造商的財(cái)務(wù)狀況，也反映出行業(yè)內(nèi)潛在的供需矛盾。SiC襯底作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要材料，其成本占整個(gè)生產(chǎn)鏈的70%，其中襯底本身幾乎占據(jù)了50%的成本比重。這意味著SiC襯 -
如何通過(guò)高壓SiC電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)提升電氣系統(tǒng)的可靠性與效率2024-10-23 11:35
電氣系統(tǒng)的直流母線電壓在400伏特或更高，由單相或三相電網(wǎng)電源或能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS)供電，可以通過(guò)固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和韌性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí)，需要考慮多個(gè)基本設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類(lèi)型、熱包裝、器件的穩(wěn)健性，以及在電路中斷時(shí)管理感應(yīng)能量。本文將討論在選擇高壓高電流電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義半導(dǎo)體封裝時(shí)的設(shè)計(jì)考慮，以 -
光伏模塊技術(shù)：選擇合適的太陽(yáng)能電池板2024-10-22 11:38
太陽(yáng)能是最豐富的能源來(lái)源。太陽(yáng)輻射如果得到合理利用，可以作為水加熱器或照明系統(tǒng)使用。1983年，貝爾實(shí)驗(yàn)室成功地利用光伏模塊將太陽(yáng)輻射轉(zhuǎn)化為電能。從那時(shí)起，許多公司和研究人員開(kāi)始開(kāi)發(fā)這項(xiàng)技術(shù)，以更有效地利用太陽(yáng)能。選擇太陽(yáng)能電池板：硅的優(yōu)缺點(diǎn)光伏電池包含摻雜硅，這是一種吸光半導(dǎo)體。因此，電池類(lèi)型是選擇太陽(yáng)能電池板時(shí)的主要考慮因素。目前主要有三種類(lèi)型的硅電池： -
英飛凌攜手聯(lián)發(fā)科技打造先進(jìn)汽車(chē)座艙解決方案2024-10-21 12:01
近日，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)宣布與聯(lián)發(fā)科技(MediaTek)及其他合作伙伴共同研發(fā)了一款基于英飛凌TRAVEOCYT4DN微控制器和聯(lián)發(fā)科技DimensityAutoSoC的創(chuàng)新解決方案。這一合作旨在提升現(xiàn)代汽車(chē)的安全性和智能化水平，為汽車(chē)制造商提供更為高效和可靠的技術(shù)支持。在此次方案中，英飛凌的CYT4DN微控制器作為 -
如何通過(guò)霍爾效應(yīng)測(cè)量半導(dǎo)體中電子和空穴的遷移率?2024-10-21 12:00
在半導(dǎo)體中，除了能帶寬度外，一個(gè)重要的物理量是電荷載流子(電子和空穴)的遷移率。在本教程中，我們將研究霍爾效應(yīng)，這使我們能夠?qū)嶒?yàn)性地確定半導(dǎo)體中的這一物理量。電荷載流子遷移率在本篇文章中，我們將采用在早期期刊中探討的德魯?shù)?洛倫茲框架。我們回顧一下，這一模型完全基于經(jīng)典力學(xué)。唯一的“外部”成分是電子的有效質(zhì)量m∗;這是一種數(shù)學(xué)手段，使我們能夠?qū)㈦娮右暈椴皇芰? -
宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?2024-10-18 10:50
