深圳市浮思特科技有限公司文章

• 用碳化硅(SiC)重新思考軟開(kāi)關(guān)效率2024-06-19 11:13

  

  從理論上講，碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)，這使得它看起來(lái)可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關(guān)注該技術(shù)與硅的不同之處，以及如何優(yōu)化電路技術(shù)(例如軟開(kāi)關(guān))，超越硅的實(shí)際應(yīng)用，就可以從SiC中獲得更多收益。與硅相比，SiC的帶隙更寬，因此擊穿電壓和電子遷移率更高，從而降低了導(dǎo)通電阻。與硅相比，SiC的開(kāi)關(guān)速度

  MOSFET SiC 電阻 碳化硅 1223瀏覽量

• 深圳集成電路進(jìn)口額穩(wěn)健增長(zhǎng)，前五月增幅達(dá)21.1%2024-06-18 11:13

  

  在全球集成電路市場(chǎng)持續(xù)發(fā)展的背景下，深圳作為中國(guó)重要的經(jīng)濟(jì)特區(qū)，其集成電路進(jìn)口額展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。據(jù)深圳海關(guān)最新數(shù)據(jù)，今年前五月，深圳集成電路進(jìn)口額同比增長(zhǎng)了21.1%，這一顯著增長(zhǎng)不僅凸顯了深圳在全球集成電路貿(mào)易中的重要地位，也反映了深圳在電子信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的持續(xù)繁榮。從數(shù)據(jù)上看，今年前五個(gè)月，深圳集成電路進(jìn)口額達(dá)到2668.5億元，同比增長(zhǎng)21.1%。

  電子信息 集成電路 598瀏覽量

• 氧化鎵器件，高壓電力電子的未來(lái)之星2024-06-18 11:12

  

  超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的未來(lái)應(yīng)用潛力。本文總結(jié)了氧化鎵材料的一些固有特性，并展示了近期在高壓器件方面的一些進(jìn)展。氧化鎵的固有材料特性氧化鎵的β相(β-Ga2O3)已成為評(píng)估UWBG材料選擇的關(guān)鍵候選。多個(gè)因素促成了這一點(diǎn)。表1列出了

  SiC 半導(dǎo)體 電力器件 1189瀏覽量

• 全球芯片產(chǎn)業(yè)競(jìng)速，汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)迎發(fā)展風(fēng)口2024-06-17 11:34

  

  在全球科技浪潮的推動(dòng)下，人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展正為芯片產(chǎn)業(yè)帶來(lái)前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。特別是在汽車(chē)芯片市場(chǎng)，供不應(yīng)求的局面已成為行業(yè)共識(shí)，全球目光紛紛聚焦于此。汽車(chē)芯片近日，在重慶舉辦的一場(chǎng)由大聯(lián)大商貿(mào)主辦的峰會(huì)上，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家與業(yè)界領(lǐng)袖共同探討了新能源汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。大聯(lián)大商貿(mào)中國(guó)區(qū)總裁沈維中表示，重慶憑借其獨(dú)特的地理位置、豐富的資源和政策支持，在新

  人工智能 汽車(chē)芯片 芯片 557瀏覽量

• GaN智能功率模塊(IPM)實(shí)現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)2024-06-17 11:32

  

  氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)為電源轉(zhuǎn)換器帶來(lái)了系統(tǒng)級(jí)的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹基于GaN的IPM，目標(biāo)應(yīng)用包括家用電器和供暖、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)。寬禁帶半導(dǎo)體提高電器和HVAC系統(tǒng)的效率標(biāo)準(zhǔn)家用電器占全球能源消耗的相當(dāng)大一部分。早在2024年4月，美國(guó)就引入了更嚴(yán)格的能

  GaN IPM 智能功率模塊 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1726瀏覽量

• SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊2024-06-14 11:36

  

  近日，半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布，其QSiC™產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電站在內(nèi)的多種高要求應(yīng)用場(chǎng)景在尺寸和功率上的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。這款新推出的SiC肖特基二極管技術(shù)亮點(diǎn)在于其無(wú)反向恢復(fù)電流的特性，這意味著開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗極低

  SiC 二極管 肖特基二極管 1039瀏覽量

• 使用快速恢復(fù)二極管MOSFET在電源中的應(yīng)用2024-06-14 11:35

  

  “超級(jí)結(jié)”技術(shù)由于其優(yōu)越的品質(zhì)因數(shù)，已經(jīng)在擊穿電壓超過(guò)600V的功率MOSFET市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。在設(shè)計(jì)基于超級(jí)結(jié)的功率器件時(shí)，工程師必須考慮一些因素，以提高電源應(yīng)用中的效率、功率密度和可靠性。工程考慮因素如圖1所示，首先需要考慮的是P列從基區(qū)延伸，形成漂移區(qū)的“電荷平衡”，以實(shí)現(xiàn)更高的摻雜濃度，即相應(yīng)區(qū)域的更低電阻。延伸的結(jié)區(qū)域帶來(lái)了過(guò)多反向恢復(fù)電荷的缺

  MOSFET 二極管 電源 992瀏覽量

• 電子元件市場(chǎng)展望樂(lè)觀，下半年將迎來(lái)強(qiáng)勁增長(zhǎng)?2024-06-13 11:40

  

  根據(jù)最新的ECST(電子元件狀態(tài)調(diào)查)報(bào)告，2024年下半年電子元件銷(xiāo)售前景樂(lè)觀，預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。盡管5月份的調(diào)查顯示半導(dǎo)體、被動(dòng)元件和機(jī)電元件的銷(xiāo)售信心受到一定打擊，但6月的展望顯示市場(chǎng)將迎來(lái)積極反彈。在5月份的調(diào)查中，半導(dǎo)體領(lǐng)域的銷(xiāo)售信心得分下滑明顯，跌幅超過(guò)18點(diǎn)。被動(dòng)元件和機(jī)電元件雖然跌幅較小，但也呈現(xiàn)出市場(chǎng)下滑的趨勢(shì)。然而，這種短暫的低迷并未持

  半導(dǎo)體 機(jī)電產(chǎn)品 電子元器件 804瀏覽量

• 一文讀懂MOSFET開(kāi)關(guān)損耗介紹2024-06-13 11:38

  

  MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開(kāi)關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過(guò)通道，但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過(guò)通道的電流都很大，導(dǎo)致晶體管內(nèi)的功耗很高。在開(kāi)關(guān)模式下，柵源電壓要么低到足以阻止電流流動(dòng)，要么高到足以使FET進(jìn)入“完全增強(qiáng)”狀態(tài)，此時(shí)通道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管像一個(gè)閉合開(kāi)關(guān)：即使有大電流通過(guò)通道，

  MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗 晶體管 2307瀏覽量

• 全球掀起8英寸SiC投資熱潮，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新一輪技術(shù)升級(jí)2024-06-12 11:04

  

  隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。8英寸SiC晶圓相較于傳統(tǒng)的6英寸晶圓，具有更高的生產(chǎn)效率和更低的成本。據(jù)行業(yè)專(zhuān)家分析，從6英寸升級(jí)到8英寸，雖然單片晶圓成本有所增加，但由于每片晶圓中可用的裸片數(shù)量大幅增加，產(chǎn)量更高，最終

  SiC 半導(dǎo)體 晶圓 769瀏覽量