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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 一季度我國集成電路產(chǎn)量激增40%2024-05-09 10:45

    近日,中國工業(yè)和信息化部發(fā)布了2024年第一季度電子信息制造業(yè)的運行情況報告,數(shù)據(jù)顯示,我國在這一時期內(nèi)電子信息制造業(yè)整體表現(xiàn)強勁,尤其是集成電路產(chǎn)業(yè),產(chǎn)量達到了驚人的981億塊,同比增長高達40%,這一成績在當前全球經(jīng)濟形勢下尤為亮眼。在微型計算機設備方面,一季度產(chǎn)量為7404萬臺,雖然同比下降了0.8%,但考慮到全球供應鏈的波動和市場需求的變化,這一小幅
    電子信息 集成電路 495瀏覽量
  • 改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間2024-05-09 10:43

    在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數(shù),即短路耐受時間 (SCWT)。
    GaN HEMT 功率器件 1436瀏覽量
  • 中國SiC功率半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展2024-05-08 10:49

    根據(jù)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)報告顯示,中國在SiC功率半導體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)領先地位,特別是在功率元件業(yè)務中達到了42.4%的高占比。這一領域涵蓋了Fabless、IDM以及Foundry等多個子行業(yè)。此外,中國在SiC襯底和外延材料制造方面也日益受到國際市場的認可,逐漸在全球供應鏈中占據(jù)重要地位。盡管如此,國內(nèi)廠商在晶體厚度和一致性方面仍需加強技術(shù)積累
  • 氫電動汽車:可持續(xù)交通的未來?2024-05-08 10:48

    通常來說,電動汽車與具有可充電的大型電池的車輛相關,然而,最近出現(xiàn)了其他令人興奮的驅(qū)動技術(shù)。最有前途的解決方案之一是配備氫基礎設施的電動汽車,它使用燃料電池發(fā)電,這是一種無排放且無需長時間充電的替代方案。具體來說,這是指氫電驅(qū)動,也稱為燃料電池驅(qū)動。氫電動汽車代表了未來可持續(xù)交通的生態(tài)解決方案。這些車輛使用燃料電池將氫轉(zhuǎn)化為電能,消除有害排放并減少對環(huán)境的影
    燃料電池 電動汽車 526瀏覽量
  • 英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車提供碳化硅 (SiC) 功率模塊2024-05-07 11:30

    近日,我們注意到在電動車行業(yè)中,小米電動汽車的新款SU7將由英飛凌科技提供具備碳化硅(SiC)元素的功率模塊CoolSiC以及裸芯片產(chǎn)品。英飛凌的這款CoolSiC技術(shù)產(chǎn)品可以實現(xiàn)更高的工作溫度,并帶來最優(yōu)的性能,長久的使用壽命以及強大的驅(qū)動力。這種技術(shù)已經(jīng)可以用于進一步提高電動汽車的駕駛里程。英飛凌的HybridPACKDrive已經(jīng)在市場上取得了巨大的成
  • 探索非對稱結(jié)構(gòu)減少半導體器件中的應力2024-05-07 11:29

    電子產(chǎn)品廣泛使用半導體器件,這些器件負責改變電源、通信和處理信號。然而,諸如熱量、高電壓、高電流或頻率變化等壓力因素會影響器件的性能、可靠性和效率。因此,開發(fā)能夠抵抗這些壓力的半導體器件顯得尤為重要。一種有效減少壓力的方法是采用不對稱結(jié)構(gòu),比如三相電流源整流器(CSR)。01CSR是一種能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電的電力轉(zhuǎn)換器,具備降壓功能。它通過在三個橋臂上各
  • 模塊化碳化硅(SiC)器件評估的深入分析2024-05-06 15:32

    碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領域的格局,帶來了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是,汽車應用正從SiC技術(shù)中受益良多,主要用于主驅(qū)動、車載充電器和電池充電站。我們從之前的文章中了解到,SiC的介電強度是硅的十倍,使其能夠創(chuàng)建滿足充電基礎設施和智能電網(wǎng)需求的高壓器件。此外,SiC的高開關頻率使得可以減小磁鐵和電感器等
  • 碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望2024-04-30 10:42

    隨著全球?qū)﹄妱悠嚱蛹{度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預計,將來功率半導體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運作商會更積極地參與到這一領域的價值鏈建設中來。01碳化硅功率器件采用的是一種名為SiC的高級半導體材料,它與傳統(tǒng)的硅材料相比有著不少突出的優(yōu)勢。這些優(yōu)勢源于它的技術(shù)性能上的突破,如能在更高溫度和電壓下正常工作、降低開關時的能耗以及
    SiC 功率器件 電動汽車 1660瀏覽量
  • 汽車半導體需求放緩,意法半導體調(diào)降2024營收2024-04-29 11:51

    意法半導體公司在最新發(fā)布的2024年第一季度財報中顯示,由于汽車半導體市場的需求減弱及消費電子產(chǎn)品的需求萎縮,公司不得不下調(diào)了全年的營收預期。根據(jù)意法半導體發(fā)布的數(shù)據(jù),第一季度凈營收為34.65億美元,相比去年同期下降了18.4%,與上個季度相比,下降了19.1%。毛利為14.44億美元,同比減少31.6%,環(huán)比減少26%,毛利率為41.7%。凈利潤方面,公
  • SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)2024-04-29 11:49

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件中產(chǎn)生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時存在一些挑戰(zhàn)。在本文中,我們將重點介紹其中的一些,同時總結(jié)它們在GaN功率器件中的一些潛在應用。01有幾個因素決
    GaN SiC 功率器件 2270瀏覽量