用于高分辨率激光雷達(dá)的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
激光雷達(dá)（LiDAR）基于通過(guò)將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測(cè)量反射的飛行時(shí)間來(lái)估算距離的原理。通過(guò)將發(fā)射....
SiC MOSFET：是平面柵還是溝槽柵？
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特....
激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)....
壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機(jī)理
失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
功率半導(dǎo)體器件陶瓷覆銅板用無(wú)氧銅帶
陶瓷覆銅板是在高溫，流動(dòng)氣氛下銅帶與陶瓷基片通過(guò)高溫熔煉和擴(kuò)散過(guò)程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)....
芯片工程師，是時(shí)候了解GAA晶體管了
雖然只有12年的歷史，但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開(kāi)始，它們將被環(huán)柵 (GAA)取代，預(yù)計(jì)....
鎧俠在閃存市場(chǎng)的底氣
眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS ....
封裝技術(shù)的發(fā)展歷程 存儲(chǔ)器容量需求是否影響芯片技術(shù)
扇出型晶圓級(jí)封裝（Fan-out wafer-level packaging, 簡(jiǎn)稱(chēng)Fan-out ....
采用氮化鎵IC的電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向
在現(xiàn)代汽車(chē)中，增加的重量和更寬的前輪胎使無(wú)輔助轉(zhuǎn)向變得不切實(shí)際，因?yàn)閷?duì)操作員的阻力增加。因此，幾年前....
Si3N4為何要用AMB工藝？AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹
功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車(chē)，電力機(jī)車(chē)等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
介紹芯片鍵合(die bonding)工藝
作為半導(dǎo)體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯....
內(nèi)聯(lián)重布線(xiàn)層（IRDL）及其主要功能簡(jiǎn)介
隨著移動(dòng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備的日益普及，移動(dòng)存儲(chǔ)器的需求也在穩(wěn)步提升。對(duì)于移動(dòng)設(shè)備來(lái)說(shuō)，便攜性是最重要的....
環(huán)氧灌封膠及在IGBT功率模塊封裝中的應(yīng)用簡(jiǎn)析
功率半導(dǎo)體模塊主要應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換和電能 控制，是電能轉(zhuǎn)換與電能控制的關(guān)鍵器件，被譽(yù)為 電能處理的“C....
2023年半導(dǎo)體供應(yīng)鏈變化的五種趨勢(shì)
根據(jù) World Fab Forecast 報(bào)告，2022 年將有 33 座新的半導(dǎo)體晶圓廠開(kāi)工建設(shè)....
IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕....
半導(dǎo)體光刻膠重要性凸出，國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)
光刻膠是IC制造的核心耗材，技術(shù)壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)....
IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問(wèn)題？
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在....
第四代半導(dǎo)體制備連獲突破，氧化鎵將與碳化硅直接競(jìng)爭(zhēng)？
此外，氧化鎵的導(dǎo)通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車(chē)、軌道....
日月光最先進(jìn)扇出型堆棧封裝(FOPoP)實(shí)現(xiàn)低延遲高帶寬
先進(jìn)封裝的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)為競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的市場(chǎng)帶來(lái)前所未有的機(jī)遇。尤其是外形尺寸的改變和電性?xún)?yōu)勢(shì)為客戶(hù)提供優(yōu)....
中國(guó)研發(fā)團(tuán)隊(duì)在SOT-MRAM取得重要進(jìn)展
據(jù)“中科院微電子研究所”消息，為了更好地解決SOT-MRAM的刻蝕技術(shù)難題以實(shí)現(xiàn)SOT-MTJ的高密....
萬(wàn)字長(zhǎng)文聊聊“車(chē)規(guī)級(jí)”芯片
AEC-Q100 是一種基于封裝集成電路應(yīng)力測(cè)試的失效機(jī)制。汽車(chē)電子委員會(huì)(AEC)總部設(shè)在美國(guó)，最....
氮化鎵市場(chǎng)，中國(guó)扮演重要角色
借助 GaN，智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性?xún)r(jià)比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價(jià)....
晶圓廠開(kāi)啟價(jià)格戰(zhàn)，成熟制程最慘烈
南韓科技巨擘三星傳出發(fā)動(dòng)晶圓代工價(jià)格戰(zhàn)搶單，鎖定成熟制程，降價(jià)幅度高達(dá)一成，三星來(lái)勢(shì)洶洶，聯(lián)電、世界....
什么是IGBT？IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后，我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢？舉一個(gè)我們身邊的例子：新型電動(dòng)汽車(chē)，....
LIDE激光誘導(dǎo)深度蝕刻技術(shù)在MEMS封裝領(lǐng)域的應(yīng)用
良好的機(jī)械強(qiáng)度：玻璃是一種相對(duì)堅(jiān)固且耐用的材料，可以保護(hù)MEMS器件免受機(jī)械應(yīng)力的影響。另外，不同于....
Microchip重金擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的助力與底氣
Microchip指出，科羅拉多斯普林斯區(qū)目前擁有超過(guò)850名員工，主要生產(chǎn)6英寸芯片芯片，因此Mi....
半導(dǎo)體制造工藝最強(qiáng)科普
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，制造工工程被稱(chēng)為工藝（Process），理由是什么？雖然沒(méi)有明確的答案，但與其說(shuō)加工尺....
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