氮化鎵的優(yōu)勢特點(diǎn)!
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因為它豐富且價格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其....
氮化鎵半導(dǎo)體的興起!
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?;贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快....
第三代化合物半導(dǎo)體材料有利于5G基站的應(yīng)用
與第一代硅(Si)半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料相比,碳化硅(SiC)或氮化鎵(Ga....
SiC功率器件的主要特點(diǎn)
基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究,SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)....
AFE拓?fù)涞膽?yīng)用優(yōu)勢
針對任何應(yīng)用領(lǐng)域的工程師都加入了他們對效率、功率密度和成本的擔(dān)憂。而且,即使他們還沒有用它進(jìn)行設(shè)計....
基于碳化硅系統(tǒng)支持的趨勢
推動電動汽車市場的綠色意識和法規(guī)推動了電池技術(shù)和碳化硅設(shè)計的創(chuàng)新,以改變綠色能源的產(chǎn)生。