本文介紹了利用X射線衍射方法測(cè)量薄膜晶體沿襯底生長(zhǎng)的錯(cuò)配角，可以推廣測(cè)量單晶體的晶帶軸與單晶體表面之....

當(dāng)電子束或X射線白光照射到固體物質(zhì)時(shí)能發(fā)射特征X射線譜線，這是電鏡能譜元素分析或X熒光元素分析的基本....

X熒光元素分析原理是青年科學(xué)家布拉格（獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)時(shí)僅25歲）創(chuàng)建的?，F(xiàn)以創(chuàng)想儀器的第二代EDX....

高分辨照片可以獲得材料的晶格條紋像，如下圖。圖中的每行亮點(diǎn)都代表某個(gè)方向的晶面，兩列點(diǎn)之間的間距就代....

前言 上周的教程介紹了如何從高分辨圖片中測(cè)量晶面間距。那是否可以測(cè)量某列晶格點(diǎn)之中的任意兩個(gè)晶格點(diǎn)之....

前言 X射線衍射分析只是給出了晶體的結(jié)構(gòu)，根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)與物相的對(duì)應(yīng)關(guān)系，最終找到匹配的物相，其實(shí)相似....

利用樣品的軋面（ND面）、與軋向垂直的剖面（RD面）、與橫向垂直的剖面（TD面）等3個(gè)觀察面的普通粉....

晶體的取向可以用極圖和反極圖來(lái)表征。正極圖的數(shù)據(jù)采集方法被廣泛應(yīng)用，就是通過(guò)織構(gòu)附件獲得某一晶面的衍....

可以利用垂直截面圖分析合金的結(jié)晶過(guò)程和相變臨界溫度，及結(jié)晶所得組成物。但在利用垂直截面圖時(shí)，不能分析....

水平截面圖如圖5-79?？梢岳盟浇孛鎴D分析合金在不同溫度下所處的相平衡狀態(tài)，并可運(yùn)用直線法則和重....

包晶反應(yīng)結(jié)束后，液相和 α 相反應(yīng)正好全部轉(zhuǎn)變?yōu)?β 固溶體。

經(jīng)塑性變形后，金屬材料的顯微組織發(fā)生了明顯的改變，各晶粒中除了出現(xiàn) 大量的滑移帶、孿晶帶以外，其晶粒....

再結(jié)晶后，再繼續(xù)保溫或升溫，會(huì)使晶粒進(jìn)一步長(zhǎng)大。

孿晶誘導(dǎo)細(xì)晶強(qiáng)化，相互交錯(cuò)的孿晶界將母晶分割成若干細(xì)小的晶粒，誘發(fā)Hall-Petch效應(yīng)的同時(shí)也會(huì)....

冷變形金屬被加熱到適當(dāng)溫度時(shí)，在變形組織內(nèi)部新的無(wú)畸變的等軸晶粒逐漸取代變形晶粒，而使形變強(qiáng)化效應(yīng)完....

孿晶由不同位向的兩部分晶體組成；

位錯(cuò)在晶體中的存在，使其周圍原子偏離平衡位置，而導(dǎo)致點(diǎn)陣畸變和彈性應(yīng)力場(chǎng)的產(chǎn)生。

位錯(cuò)密度為單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度，其數(shù)學(xué)表達(dá)式

18R-LPSO 相主要存在于鑄態(tài)鎂稀土合金中，普遍認(rèn)可其化學(xué)式為 Mg10YZn 或Mg29Y4Z....

設(shè)含位錯(cuò)的晶體為簡(jiǎn)單立方晶體，在其晶面ABCD上半部存在多余的半排原子面EFGH，這個(gè)半原子面中斷于....

當(dāng)一種組元A加到另一種組元B中形成的固體其結(jié)構(gòu)仍保留為組元B的結(jié)構(gòu)時(shí)，這種固體稱為固溶體。B組元稱為....

密排六方的位錯(cuò)類型，根據(jù)伯氏矢量方向與C軸夾角可分為a位錯(cuò)、c位錯(cuò)、c+a位錯(cuò)。在此，為了能快速理解....

當(dāng)材料在外磁場(chǎng)作用下內(nèi)部磁疇的磁化方向與外磁場(chǎng)方向保持一致，使得材料沿外磁場(chǎng)方向伸長(zhǎng)或縮短的現(xiàn)象。

相交或平行于某直線的所有晶面的組合稱為晶帶，此直線稱為晶帶軸，如圖1所示，其中晶帶軸：[uvw]；晶....

最常見(jiàn)的金屬晶體結(jié)構(gòu)有面心立方結(jié)構(gòu)、體心立方結(jié)構(gòu)和密排立方結(jié)構(gòu)。

最近收到老師同學(xué)們的許多問(wèn)題，其中大家最想要了解的問(wèn)題是“如何在透射電鏡下判斷位錯(cuò)類型(螺位錯(cuò)、刃位....

"在材料科學(xué)中討論有關(guān)晶體的生長(zhǎng)、變形、相變及性能等問(wèn)題時(shí)，常需涉及晶體中原子的位置、原子列的方向（....

晶體的微觀結(jié)構(gòu)，是指晶體中實(shí)際質(zhì)點(diǎn)(原子?離子或分子)的具體排列情況。

FIB技術(shù)利用配置高電流密度的Ga+ 離子槍，其最小離子束直徑可達(dá)幾個(gè)納米，因此可在納米尺度上進(jìn)行金....

EBSD 分析系統(tǒng)的基本布局如圖所示。放入掃描電鏡樣品室內(nèi)的樣品經(jīng)大角度傾轉(zhuǎn)后(一般傾轉(zhuǎn) 65°-7....