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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>高溫存儲器在石油測井中的重要作用

高溫存儲器在石油測井中的重要作用

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半導體存儲器簡介

半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959

RA6快速設(shè)計指南 [9] 存儲器 (1)

8 存儲器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間,范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ,其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個SDRAM控制器,可利用
2023-06-21 12:15:03421

RAM/ROM存儲器的設(shè)計

隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數(shù)據(jù),也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785

如何保存數(shù)據(jù)SRAM存儲器通過SW?

************************************************* ************************************* * 詳細說明: * 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù) SRAM 存儲器通過
2023-06-05 09:47:48

SOC設(shè)計之外部存儲器

存儲器的主要技術(shù)指標 * **存儲容量** 存儲器可以容納的二進制信息量(尋址空間,由CPU的地址線決定) * **實際存儲容量:** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度:** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間,也稱為讀寫周期;
2023-05-26 11:28:10822

什么是外部存儲器

磁表面存儲器——磁表面存儲器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。 存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061409

單板硬件設(shè)計:存儲器( NAND FLASH)

單板設(shè)計,無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設(shè)計,都離不開存儲器設(shè)計: 1、存儲器介紹 存儲器的分類大致可以劃分如下: ROM和RAM指的都是半導體存儲器,ROM系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

80C51單片機存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎?

80C51單片機存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22

如何為RT1172選擇FLASH存儲器

通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時,應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

電阻時序設(shè)計的妙用

  如何實現(xiàn)電阻時序設(shè)計的妙用呢?   舉個例子:   一個設(shè)計要求FPGA芯片兼容的支持兩個廠家的存儲器,但是經(jīng)過時序分析發(fā)現(xiàn),這兩個廠家的存儲器雖然引腳的的定義完全相同,但是它們的時序參數(shù)卻
2023-04-23 15:50:09

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲器存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。第十三章以及第二十七章,已講解存儲器存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲器到外設(shè))

。關(guān)于DMA存儲器到外設(shè)傳輸方式,程序,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存,然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機顯示出來。
2023-04-20 16:35:13

51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少?

51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少?可以達到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲器存儲器

本章教程講解DMA存儲器存儲器模式。存儲器存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

和用于讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器,可以字節(jié)級別讀取,寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種,在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列,
2023-04-07 16:42:42

MRAM實現(xiàn)對車載MCU嵌入式存儲器的取代

的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU應(yīng)用的嵌入式存儲器,其后第二階段,它將取代手機的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器,45nm
2023-04-07 16:41:05

是否可以將FLASH用作輔助存儲器?

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。請指導我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50

為什么無法從S32R45等mucu的外部存儲器讀取數(shù)據(jù)?

我知道當HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時時鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問題的解決方案是什么?
2023-04-03 08:34:09

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器存儲介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

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