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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16VM的特征是怎樣的

國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16VM的特征是怎樣的

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2024-01-15 18:40:23

芯片行情不行?三星和SK海力士將投資4710億美元建設(shè)16芯片

芯片行情不行?可能是你不行!據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)部聲明,韓國計(jì)劃要在首爾附近建設(shè)世界上最大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,到2047年將投資總計(jì)622萬億韓元,建立16芯片工廠。
2024-01-15 15:21:04481

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2024-01-11 19:31:30

MDMF502L1C6M-MINAS A6NL系列 (RTEX) 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書 松下

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Panasonic(Panasonic)MDMF502L1C6M-MINAS A6NL系列 (RTEX) 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有
2024-01-11 19:31:16

MDMF502L1C6-MINAS A6NL系列 (RTEX) 技術(shù)資料 -基本功能規(guī)格篇- 松下

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2024-01-11 19:12:05

MDMF502L1C5-MINAS A6NL系列 (RTEX) 技術(shù)資料 -基本功能規(guī)格篇- 松下

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2024-01-11 18:53:51

MDMF502L1C5-MINAS A6NL系列 (RTEX) 技術(shù)資料 -RTEX通信規(guī)格篇- 松下

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2024-01-11 18:53:11

MDMF502L1C5-MINAS A6NL系列 (RTEX) 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書 松下

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2024-01-11 18:52:37

LTC3122斷開電源后,如何讓VM快速降至0V?

原理圖如上圖所示,VM連接唯一的負(fù)載是H橋,當(dāng)VBATOUT物理斷開時(shí),由于H橋關(guān)斷,因此濾波電容上的VM只能從反饋電阻R16和R21續(xù)流,由于R16和R21非常大,因此VM電壓下降非常慢,需要
2024-01-05 06:31:33

SRAM存算一體芯片的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)

人工智能時(shí)代對(duì)計(jì)算芯片的算力和能效都提出了極高要求。存算一體芯片技術(shù)被認(rèn)為是有望解決處理器芯片“存儲(chǔ)墻”瓶頸,大幅提升人工智能算力能效和算力密度的關(guān)鍵技術(shù)和重要解決方案。SRAM存算一體芯片技術(shù)由于
2024-01-02 11:02:36948

國產(chǎn)六核CPU,三屏異顯,賦能新一代商顯

當(dāng)今時(shí)代,以數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化為特征的第四次工業(yè)革命正在進(jìn)行,伴隨著國內(nèi)汽車新能源的普及,加速了國產(chǎn)高安全芯片的快速發(fā)展,D9360是芯馳推出的一款六核CPU的高度集成、低功耗化、高安全性芯片
2023-12-22 18:07:58

sram讀寫電路設(shè)計(jì)

SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)器,它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496

怎樣通過安排疊層來減少EMI問題?

怎樣通過安排疊層來減少EMI問題? 通過合理安排疊層結(jié)構(gòu)可以顯著減少電磁干擾(EMI)問題。在本文中,我們將詳細(xì)探討疊層的概念,以及如何運(yùn)用正確的材料和設(shè)計(jì)來最大程度地抑制EMI。 首先,讓我們簡要
2023-11-24 14:44:43336

EMI騷擾源有啥特征呢?為何du/dt和di/dt是產(chǎn)生騷擾的條件?

EMI騷擾源有啥特征呢?為何du/dt和di/dt是產(chǎn)生騷擾的條件? EMI(Electromagnetic Interference,電磁干擾)是指電磁場中的電荷、電流和場的變化引起的一系列電磁波
2023-11-17 15:00:59589

使用OI-EASU321進(jìn)行芯片EMI表面掃描方案

在現(xiàn)代電子設(shè)備的制造過程中,電磁干擾(EMI)成為了一個(gè)不可忽視的問題。特別是在集成電路的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中,隨著電子設(shè)備的普及和發(fā)展,電磁干擾(EMI)對(duì)芯片性能的影響變得越來越重要,而芯片
2023-11-11 08:30:49460

國產(chǎn)平替AD7190

https://www.hqchip.com/gongsi/73622.html 信格勒微電子 攜手 華秋商城 共創(chuàng)國產(chǎn)高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片平替新生態(tài) SIG7190 國產(chǎn)平替 AD7190 pin
2023-11-08 15:59:50

一款國產(chǎn)USB3.0HUB集線器芯片

*附件:和芯潤德 USB3.0HUB 設(shè)計(jì)資料.rar 推薦一款國產(chǎn) USB3.0 HUB芯片,型號(hào)SL6340 推薦一款國產(chǎn)3.0HUB,型號(hào)SL6340,是一款由和芯潤德科技自主研發(fā)的國產(chǎn)
2023-10-20 18:20:58

最大502 ADI

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)最大502相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有最大502的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,最大502真值表,最大502管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-10-11 19:21:59

使用SRAM來代指對(duì)SRAM和PSRAM芯片的支持

使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918

汽車DCDC EMI(下)系統(tǒng) EMI 優(yōu)化

點(diǎn)擊標(biāo)題下「MPS芯源系統(tǒng)」可快速關(guān)注 上期回顧:汽車DCDC EMI(中)之 芯片 EMI 優(yōu)化設(shè)計(jì) 本期內(nèi)容 各位“攻城獅”朋友們, 前兩期我們分析了DCDC的EMI噪聲源,和怎樣選擇一顆EMI
2023-08-25 12:10:02677

汽車DCDC EMI(中)之芯片 EMI 優(yōu)化設(shè)計(jì)

大家非常關(guān)心的汽車DCDC EMI優(yōu)化。 觀看 視頻 視 頻文字部分 一個(gè)DCDC系統(tǒng)能夠通過嚴(yán)苛的CISPR 25 ,離不開兩點(diǎn): 需要一個(gè)EMI性能優(yōu)秀的電源芯片 豐富的系統(tǒng)EMI設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn) 點(diǎn)擊圖片進(jìn)入小程序,觀看 《汽車電子DCDC芯片EMI優(yōu)化設(shè)計(jì)》 圖1 本期我們將從芯片設(shè)計(jì)角度出發(fā),討
2023-08-16 12:25:02943

SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件,因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264

STM32 FSMC操作SRAM的步驟簡析

本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216,是高速,8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI(Intergrated Silicon Solution, Inc)公司的高性能CMOS技術(shù),按照512K個(gè)字(16)位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092

M16C/6N群(M16C/6NL、M16C/6NN)硬件手冊(cè)

M16C/6N群(M16C/6NL、M16C/6NN)硬件手冊(cè)
2023-06-27 18:47:010

M16C/6N 組(M16C/6NL、M16C/6NN)數(shù)據(jù)表

M16C/6N 組(M16C/6NL、M16C/6NN)數(shù)據(jù)表
2023-06-26 19:49:270

M306NKT3-RPD-E 用戶手冊(cè)(M16C/6N 組 M16C/6N4、6N5、6NK、6NL、6NM、6NN 仿真吊艙)

M306NKT3-RPD-E 用戶手冊(cè)(M16C/6N 組 M16C/6N4、6N5、6NK、6NL、6NM、6NN 仿真吊艙)
2023-06-26 19:45:270

M306NKT-EPB 用戶手冊(cè)(M16C/6N 組仿真探頭 M16C/6NK、6NL、6NM、6NN、6N4、6N5)

M306NKT-EPB 用戶手冊(cè)(M16C/6N 組仿真探頭 M16C/6NK、6NL、6NM、6NN、6N4、6N5)
2023-06-26 19:11:050

詳解國產(chǎn)指紋芯片的工作原理以及應(yīng)用領(lǐng)域

指紋芯片,是指內(nèi)嵌指紋識(shí)別技術(shù)的芯片產(chǎn)品,能夠片上實(shí)現(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對(duì)的芯片。
2023-06-15 09:35:15867

1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片,組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序,續(xù)航時(shí)間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403

賽普拉斯異步高速SRAM芯片CY7C1041GN

賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM,由256K字16位組成。通過斷言芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入LOW來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入,同時(shí)在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù),在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388

GP502 通信控制器

GP502 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 GP502 Zigbee-ready IEEE 802.15.4 通信控制器是一款完全集成的收發(fā)器解決方案,適用于超低功耗無線通信。它符合 IEEE
2023-05-24 12:52:38

XY51S03B國產(chǎn)藍(lán)牙5.1芯片OBU方案

國產(chǎn)XY51S03B是一款適用于OBU方案上的主控芯片,此款藍(lán)牙芯片是InnoStar新一代高性能、超低功耗的藍(lán)牙5.1芯片,采用32位ARM Cortex-M0內(nèi)核,最高工作主頻64MHz,片上集成48KB?SRAM,512KB?Flash。
2023-05-23 17:31:27672

M16C/6N群(M16C/6NL、M16C/6NN)硬件手冊(cè)

M16C/6N群(M16C/6NL、M16C/6NN)硬件手冊(cè)
2023-05-08 19:06:120

M16C/6N 組(M16C/6NL、M16C/6NN)數(shù)據(jù)表

M16C/6N 組(M16C/6NL、M16C/6NN)數(shù)據(jù)表
2023-05-05 19:57:050

M306NKT3-RPD-E 用戶手冊(cè)(M16C/6N 組 M16C/6N4、6N5、6NK、6NL、6NM、6NN 仿真吊艙)

M306NKT3-RPD-E 用戶手冊(cè)(M16C/6N 組 M16C/6N4、6N5、6NK、6NL、6NM、6NN 仿真吊艙)
2023-05-05 19:52:520

M306NKT-EPB 用戶手冊(cè)(M16C/6N 組仿真探頭 M16C/6NK、6NL、6NM、6NN、6N4、6N5)

M306NKT-EPB 用戶手冊(cè)(M16C/6N 組仿真探頭 M16C/6NK、6NL、6NM、6NN、6N4、6N5)
2023-05-05 19:19:500

S32G M7_0和M7_1內(nèi)核獨(dú)立/并行運(yùn)行,M7_1 (VM1) 未正常運(yùn)行怎么解決?

我的系統(tǒng)中存在 2 個(gè)虛擬機(jī),在 VM0 上用于 Core0 (M7_0),在 VM1 上用于 Core1(M7_1) 能夠在 SRAM 上閃存這 2 個(gè) elf 文件。VM0 運(yùn)行良好。但
2023-05-04 07:21:46

E8 Emulator Additional Document for 用戶手冊(cè)(M16C/62P M16C/6N4 M16C/6N5 M16C/6NK M16C/6NM M16C/6NL and M16C/6NN連接注意事項(xiàng))

E8 Emulator Additional Document for 用戶手冊(cè) (M16C/62P M16C/6N4 M16C/6N5 M16C/6NK M16C/6NM M16C/6NL and M16C/6NN連接注意事項(xiàng))
2023-04-28 19:49:350

國產(chǎn)uPc494貼片芯片有嗎?

國產(chǎn)uPc494貼片芯片有哪些品牌和型號(hào)?。扛魑淮髱熐蟾嬷?
2023-04-28 13:48:22

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM,外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造,以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615

E8a仿真器用戶手冊(cè)附加文檔連接M16C/62P、M16C/6N4、M16C/6N5、M16C/6NK、M16C/6NM、M16C/6NL和M16C/6NN時(shí)的注意事項(xiàng)

E8a仿真器用戶手冊(cè)附加文檔連接M16C/62P、M16C/6N4、M16C/6N5、M16C/6NK、M16C/6NM、M16C/6NL和M16C/6NN時(shí)的注意事項(xiàng)
2023-04-26 20:32:440

9LPR502數(shù)據(jù)表

9LPR502 數(shù)據(jù)表
2023-04-21 19:43:360

9LPRS502數(shù)據(jù)表

9LPRS502 數(shù)據(jù)表
2023-04-21 19:43:200

E8a Emulator Additional Document for 用戶手冊(cè)(Notes on Connecting M16C/62P M16C/6N4 M16C/6N5 M16C/6NK M16C/6NM M16C/6NL and M16C/6NN)

E8a Emulator Additional Document for 用戶手冊(cè) (Notes on Connecting M16C/62P M16C/6N4 M16C/6N5 M16C/6NK M16C/6NM M16C/6NL and M16C/6NN)
2023-04-19 19:11:490

502數(shù)據(jù)表

502 數(shù)據(jù)表
2023-04-19 19:00:360

BB502M 數(shù)據(jù)表

BB502M 數(shù)據(jù)表
2023-04-17 19:26:000

BB502C 數(shù)據(jù)表

BB502C 數(shù)據(jù)表
2023-04-17 19:25:400

如何在MCUXpresso IDE上使用芯片上的所有SRAM

芯片:MIMXRT1176DVMAA芯片上有幾個(gè)SRAM。但是當(dāng)SRAM_ITC_cm7用完時(shí)它不會(huì)使用下一個(gè)SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情況下使用所有8個(gè)SRAM,而是
2023-04-14 08:01:47

SRAM使用總結(jié)

SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554

國產(chǎn)RISC-V MCU 之 先楫半導(dǎo)體 MCU 介紹

可編程邏輯陣列 PLA,靈活實(shí)現(xiàn)組合邏輯和時(shí)序邏輯器件互聯(lián),在芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)用戶獨(dú)有的功能電路設(shè)計(jì)。-3 個(gè) 2MSPS 16 位高精度 ADC,配置為 12 位精度時(shí)轉(zhuǎn)換率可達(dá) 4MSPS,多達(dá) 24
2023-04-03 14:32:24

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