串行FRAM存儲器CY15B104Q-LHXI的功能特點

賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

CY15B104Q-LHXI是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為524，288×8位，可使用行業(yè)標準的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。CY15B104Q-LHXI與具有相同引腳輸出的串行閃存或EEPROM之間的主要區(qū)別在于FRAM的優(yōu)越寫入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微提供相關(guān)技術(shù)支持。

8引腳TDFN引腳排列

與串行閃存和EEPROM不同，CY15B104Q-LHXI以總線速度執(zhí)行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數(shù)據(jù)輪詢。與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著的寫入耐久性。CY15B104Q-LHXI能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。

這些功能使CY15B104Q-LHXI非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。例子包括數(shù)據(jù)收集（可能是關(guān)鍵的寫周期數(shù)）到要求苛刻的工業(yè)控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長寫入時間可能會導致數(shù)據(jù)丟失。

CY15B104Q-LHXI為串行EEPROM或閃存的用戶提供了實質(zhì)性的好處，可以作為硬件的替代產(chǎn)品。CY15B104Q-LHXI鐵電存儲器使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該設(shè)備包含一個只讀的設(shè)備ID，該ID允許主機確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內(nèi)保證器件的規(guī)格。

記憶體架構(gòu)

當訪問CY15B104Q-LHXI時，用戶尋址每個8個數(shù)據(jù)位的512K單元。這八個數(shù)據(jù)位被串行移入或移出。使用SPI協(xié)議訪問地址，該協(xié)議包括一個芯片選擇（允許總線上有多個設(shè)備），一個操作碼和一個三字節(jié)地址。地址范圍的高5位是“無關(guān)”值。19位的完整地址唯一地指定每個字節(jié)地址。

CY15B104Q-LHXI FRAM的大多數(shù)功能要么由SPI接口控制，要么由板載電路處理。存儲器操作的訪問時間基本上為零，超出了串行協(xié)議所需的時間。也就是說，以SPI總線的速度讀取或?qū)懭氪鎯ζ?。與串行閃存或EEPROM不同，由于以總線速度進行寫操作，因此無需輪詢設(shè)備是否處于就緒狀態(tài)。到可以將新的總線事務轉(zhuǎn)移到設(shè)備中時，寫操作就完成了。界面部分將對此進行詳細說明。

串行外設(shè)接口（SPI）總線

CY15B104Q-LHXI是SPI從設(shè)備，工作速度高達40MHz。該高速串行總線提供了與SPI主設(shè)備的高性能串行通信。許多常見的微控制器都具有允許直接接口的硬件SPI端口。對于不使用微控制器的普通端口引腳，使用普通端口引腳來模擬端口很簡單。 CY15B104Q工作在SPI模式0和3。
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PLC系統(tǒng)的存儲器分類介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。

2023-06-26 14:02:45

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半導體存儲器簡介

半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有

2023-06-25 14:30:18

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ROM與RAM的主要區(qū)別存儲器rom的功能是什么

ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。

2023-06-20 16:38:44

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鐵電存儲器PB85RS2MC在MCU中的應用

鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上

2023-06-20 14:19:25

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國芯思辰 |國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應用

鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電

2023-06-08 09:52:17

什么是外部存儲器

磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量

2023-05-26 11:27:06

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單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)

EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。狹義的EEPROM：這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失

2023-05-19 15:59:37

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？

單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？

2023-05-10 15:17:56

如何為RT1172選擇FLASH存儲器？

通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？

2023-04-27 06:03:21

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA （外設(shè)到存儲器）

關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。

2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA （存儲器到外設(shè)）

關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式

2023-04-20 16:35:13

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA（存儲器到存儲器）

本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。

2023-04-17 15:28:08

XMC串行閃速存儲器——XM25QH64C/XM25QH128C

XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于

2023-04-14 10:42:55

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非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設(shè)備接口）來連接存儲設(shè)備。在單片機中也集成了多種不同類型的SPI

2023-04-07 16:42:42

MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣

2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢？

/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子

2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及

2023-04-07 16:23:11

SPI接口在存儲器接口上的應用

除了SPI這種串行接口比較受存儲器設(shè)計廠商的歡迎，還有比如由samsung和toshiba設(shè)計的Toggle NAND Interface，也被稱為 Asynchronous DDR NAND

2023-04-04 15:16:19

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串行FRAM存儲器CY15B104Q-LHXI的功能特點

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