? ? ??IGBT的四個(gè)主要參數(shù) ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個(gè)
2024-03-22 08:37:29
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基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測(cè)試無(wú)法評(píng)估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)
2024-03-13 16:26:07
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率電子器件，廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT選型是指根據(jù)特定應(yīng)用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12257 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件，用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換。IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
2024-03-12 15:27:38208 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場(chǎng)熱度不減，本文為大家整理針對(duì)該產(chǎn)品系列的常見(jiàn)問(wèn)題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過(guò)了哪些可靠性測(cè)試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過(guò)
2024-03-05 08:17:27111 
IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
IGBT過(guò)流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫(xiě)，是一種半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開(kāi)關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 雙脈沖測(cè)試的基本原理是什么？雙脈沖測(cè)試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)？ 雙脈沖測(cè)試是一種常用的測(cè)試方法，用于測(cè)量和評(píng)估各種器件的性能和特性。它基于一種簡(jiǎn)單而有效的原理，通過(guò)發(fā)送兩個(gè)脈沖信號(hào)并分析其響應(yīng)
2024-02-18 09:29:23232 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 常用的變頻器檢測(cè)方法靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試? 變頻器是一種電力調(diào)節(jié)裝置，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)機(jī)的調(diào)速和節(jié)能。在使用變頻器時(shí)，經(jīng)常需要對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，以確保其正常工作。常用的變頻器檢測(cè)方法主要包括靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)
2024-02-01 15:47:24607 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性器件，結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢(shì)，既具有IGFET（Insulated Gate
2024-02-01 13:59:45449 ; QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求檢測(cè)項(xiàng)目試驗(yàn)類型試驗(yàn)項(xiàng)??損分析X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡電特性/電性定位分析電參數(shù)測(cè)試、IV&a
2024-01-29 22:40:29
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
2024-01-22 11:14:57273 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 用于確定漏電流的穩(wěn)定性，這與IGBT的場(chǎng)畸變有關(guān)。HTRB 通過(guò)高溫反向偏置測(cè)試來(lái)增強(qiáng)故障機(jī)制，因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo)，也可以驗(yàn)證過(guò)程控制的有效性。
2024-01-17 09:57:17135 
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521681 設(shè)計(jì)充電臺(tái)燈你需要關(guān)注的重要測(cè)試參數(shù)：不同電池SoC下最高檔模式下的流明與時(shí)間；UI指示器顏色“Flip Flop”；電池SoC變化時(shí)的軟啟動(dòng)驗(yàn)證
2024-01-09 23:33:3292 2N6509是一種可控硅(也被稱為晶閘管)器件，主要用于電力和電子設(shè)備中的變流器、逆變器等電路中。測(cè)試2N6509的好壞需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素，例如靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性測(cè)試、封裝和連接測(cè)試等。以下介紹
2023-12-27 10:34:03182 或性能下降的情況下，其運(yùn)行的工作電壓和電流條件。實(shí)際上，不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT、SiC、GaN等開(kāi)關(guān)器件，而且還需對(duì)其所在區(qū)域進(jìn)行溫度調(diào)降。通常安全工作區(qū)分為正向偏置工作區(qū)（FBSOA）和反向偏置工作區(qū)（RBSOA），分別定義
2023-12-20 09:55:02118 
如何使用頻譜分析儀測(cè)試晶振參數(shù)？ 頻譜分析儀是一種常用于測(cè)試和分析信號(hào)頻譜特性的儀器，主要用于測(cè)量和分析各種信號(hào)的頻率、幅度和相位等參數(shù)。在測(cè)試晶振參數(shù)時(shí)，頻譜分析儀可以幫助我們了解晶振的頻率穩(wěn)定度
2023-12-18 14:16:16398 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 11:31:08232 
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
2023-12-08 15:49:06573 
這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（下）
2023-12-06 11:56:43
17 這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對(duì)于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
2023-11-24 16:52:10521 
通過(guò)雙脈沖測(cè)試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:421608 
通常我們對(duì)某款IGBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的，而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的，往往會(huì)有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來(lái)使用的。
2023-11-24 16:16:05683 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來(lái)學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 
IGBT的RCD緩沖電路各元件參數(shù)選擇？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種用于控制高電壓和高電流的功率半導(dǎo)體器件。它由一對(duì)PNP
2023-11-20 17:05:44545 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:590 為什么需要芯片靜態(tài)功耗測(cè)試？如何使用芯片測(cè)試工具測(cè)試芯片靜態(tài)功耗？ 芯片靜態(tài)功耗測(cè)試是評(píng)估芯片功耗性能和優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)的重要步驟。在集成電路設(shè)計(jì)中，靜態(tài)功耗通常是指芯片在不進(jìn)行任何操作時(shí)消耗的功率
2023-11-10 15:36:271117 IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)；
評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適；
開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:32786 
開(kāi)關(guān)器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測(cè)試是在IGBT生產(chǎn)和維修過(guò)程中常用的一項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試，旨在檢測(cè)IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測(cè)試平臺(tái)是一種用于進(jìn)行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開(kāi)關(guān)器件，優(yōu)勢(shì)在于體積小、壽命長(zhǎng)、可靠性高，現(xiàn)在市場(chǎng)上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業(yè)為英飛凌，其現(xiàn)在的IGBT器件為商業(yè)化的第七代，主要應(yīng)用于乘用車、光伏和風(fēng)電能源領(lǐng)域。
2023-11-08 11:49:33282 聯(lián)訊儀器WAT 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)基于自主研發(fā)pA/亞pA高精度源表，半導(dǎo)體矩陣開(kāi)關(guān)，高電壓半導(dǎo)體脈沖源，3500V高壓源表等基礎(chǔ)儀表，掌握核心技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化整機(jī)軟硬件設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提高系統(tǒng)精度，提升
2023-11-06 16:27:57467 
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于IGBT器件的直流充電機(jī)充電裝置設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-23 10:20:290 各位大佬，請(qǐng)教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測(cè)試？
2023-10-23 10:19:00
IGBT元器件旁路連接的反向二極管起什么作用？ IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，它是一種強(qiáng)大的電力開(kāi)關(guān)元件，廣泛用于各種交流和直流電力電子應(yīng)用中。IGBT的前向?qū)ㄌ匦灶愃朴趩尉w管，而其反向阻止特性
2023-10-22 11:33:561075 igbt可以反向?qū)▎幔咳绾慰刂?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫(xiě)，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 導(dǎo)通條件 IGBT的導(dǎo)通需要滿足以下三個(gè)條件： 1. 高驅(qū)動(dòng)電壓：IGBT的導(dǎo)通需要在門(mén)極和漏極之間建立一定的電
2023-10-19 17:08:028161 年
業(yè)務(wù)模式：模組
簡(jiǎn)介：寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售，并提供相關(guān)的應(yīng)用解決方案。公司總部位于浙江省余姚市，建有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的測(cè)試
2023-10-16 11:00:14
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，MCU芯片因其強(qiáng)大功能被廣泛應(yīng)用，尤其是成為汽車領(lǐng)域的核心電子元器件?，F(xiàn)如今車規(guī)應(yīng)用要求更加嚴(yán)格，對(duì)于車載mcu芯片測(cè)試的要求也變得嚴(yán)苛。那么mcu芯片需要測(cè)試哪些項(xiàng)目呢？
2023-10-12 15:11:45667 
半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是指在交流條件下對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試，是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開(kāi)關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278 
半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試參數(shù)是指在直流條件下對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，目的是為了判斷半導(dǎo)體分立器件在直流條件下的性能，主要是測(cè)試半導(dǎo)體器件在工作過(guò)程中的電流特性和電壓特性。ATECLOUD半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)采用軟硬件架構(gòu)為測(cè)試工程師提供整體解決方案，此系統(tǒng)可程控，可以實(shí)現(xiàn)隨時(shí)隨地測(cè)試，移動(dòng)端也可實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試數(shù)據(jù)情況。
2023-10-10 15:05:30415 IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開(kāi)關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
通過(guò)目視檢查、測(cè)量電氣參數(shù)、評(píng)估柵極驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進(jìn)行測(cè)試，可以識(shí)別潛在故障。然而，這種萬(wàn)用表測(cè)試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對(duì) IGBT 進(jìn)行更全面的評(píng)估，建議進(jìn)行柵極驅(qū)動(dòng)測(cè)試、開(kāi)關(guān)性能分析等額外測(cè)試。
2023-10-09 14:20:02798 
軟件即可完成靜態(tài)功耗的測(cè)量，不同參數(shù)的配置與儀器操作完全由軟件完成，無(wú)需人工修改參數(shù)與讀取記錄數(shù)據(jù)，可以一次對(duì)多個(gè)芯片進(jìn)行同時(shí)測(cè)量。
2023-10-08 15:30:25492 
電源并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的小盒子，它相當(dāng)于有源器件的心臟，源源不斷的向元器件提供能量。電源的好壞，直接影響到元器件的性能。電源的設(shè)計(jì)、制造及品質(zhì)管理等測(cè)試需要精密的電子儀器設(shè)備來(lái)模擬電源供應(yīng)器實(shí)際工作時(shí)之各項(xiàng)特性（即為各項(xiàng)規(guī)格），在驗(yàn)證通過(guò)后才能投入使用。
2023-10-08 12:00:44276 就是是德-B1500A維修情況 ? 是德半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀B1500A電源損壞無(wú)法開(kāi)機(jī)維修 一、半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀維修型號(hào)：是德-B1500A。 二、報(bào)修故障：儀器內(nèi)部工作電源損壞，造成儀器無(wú)法開(kāi)機(jī)。 三、故障檢測(cè)：儀器缺縮放旋鈕，進(jìn)入測(cè)試界面提
2023-09-28 16:33:50525 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103335 
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求。
2023-09-19 14:57:28499 
在能源問(wèn)題日益突出的現(xiàn)代，以IGBT為代表的功率半 導(dǎo)體器件以其優(yōu)良的能效轉(zhuǎn)換性能廣發(fā)應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。正確的IGBT測(cè)試技術(shù),不僅能準(zhǔn)確的測(cè)量IGBT各項(xiàng)電氣指標(biāo)，而且可以盡可能降低IGBT
2023-09-18 12:06:22320 IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131710 了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對(duì)不同IGBT的性能驗(yàn)證，我們引入了雙脈沖測(cè)試方法，借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32484 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 靜態(tài)測(cè)試 1、測(cè)試整流電路 找下結(jié)果，可以判定電路已出現(xiàn)異常，A.到變頻器內(nèi)部直流電源的P端和N端，將萬(wàn)用表調(diào)到電阻X10檔，紅表棒接到P，黑表棒分別依到R、S、T，正常時(shí)有幾十歐的阻值，且基本平衡
2023-09-13 14:50:41301 芯片測(cè)試大講堂系列 又和大家見(jiàn)面了 本期我們來(lái)聊聊 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試 內(nèi)容涉及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試原理， 參數(shù)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)與實(shí)測(cè)避坑指南。 前言 ● 半導(dǎo)體元器件是構(gòu)成現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)的基礎(chǔ)，其性能
2023-09-13 07:45:021210 
ChatGPT變聰明了嗎？如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj
2023-09-09 08:16:11654 端子連接到一起，接至高壓源高端，基板接至測(cè)試儀器低壓端。高阻抗高壓源必須提供需要的絕緣測(cè)試電壓Viso，將測(cè)試電壓逐漸提升至規(guī)定值，該值可由下式確定并保持規(guī)定的時(shí)間t，然后將電壓降為0。對(duì)于內(nèi)部帶有NTC的IGBT模塊，可通過(guò)在接地的NTC與其他連
2023-09-08 08:58:001893 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084 
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見(jiàn)的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494677 
在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)來(lái)確定正負(fù)離子的平衡狀態(tài)，而電阻法則是通過(guò)測(cè)量離子在電阻層中的電流來(lái)判斷離子的平衡情況。 離子平衡測(cè)試儀器一般由以下幾個(gè)組成部分構(gòu)成： 1. 測(cè)試儀表：包括顯示屏、控制按鈕等，用于顯示和控制測(cè)試參數(shù)
2023-09-04 09:29:18425 
師來(lái)說(shuō)，了解如何檢測(cè)IGBT的質(zhì)量非常重要。而對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)，找到正確的測(cè)試方法可能是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。本文旨在提供一份詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的文章，介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)試IGBT的質(zhì)量。 一、了解什么是IGBT 在深入了解如何測(cè)試IGBT之前，我們需要先了解什么是它。IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件，可用于
2023-09-02 11:20:152222 手機(jī)側(cè)鍵手感測(cè)試儀的參數(shù)是什么？|深圳市磐石測(cè)控儀器有限公司
2023-08-31 09:14:59777 
在T/R組件測(cè)試中，測(cè)試設(shè)備的日趨復(fù)雜和技術(shù)的漸進(jìn)融合迫使測(cè)試系統(tǒng)需要變得更加靈活。一方面成本的壓力要求測(cè)試系統(tǒng)具有更長(zhǎng)的生命周期，另一方面測(cè)試系統(tǒng)仍須適應(yīng)被測(cè)件隨時(shí)間變化而帶來(lái)的各種變化，并且
2023-08-23 09:17:39987 
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測(cè)量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:22751 
) 。采用深槽刻
蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測(cè)試結(jié)果表明，該器件擊穿電壓高于
660 V，在導(dǎo)通電流 20 A 時(shí)，其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V，相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低，關(guān)斷
能量為 0. 23 mJ，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
在 IGBT驅(qū)動(dòng)電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動(dòng)板是控制系統(tǒng)和開(kāi)關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié)，承擔(dān)著接受控制系統(tǒng)信號(hào)并傳輸信號(hào)，確保IGBT執(zhí)行開(kāi)關(guān)、保護(hù)、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅(qū)動(dòng)板由IGBT驅(qū)動(dòng)芯片、驅(qū)動(dòng)外圍電路、驅(qū)動(dòng)輔
2023-08-04 17:35:03609 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543290 
電路基礎(chǔ)知識(shí)。芯片測(cè)試涉及到電子電路的測(cè)量和分析，因此需要具備扎實(shí)的電路基礎(chǔ)知識(shí)，包括電子元器件、電路分析方法等。
2023-07-23 10:02:34506 根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
而形成的器件。它具有低開(kāi)關(guān)損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開(kāi)關(guān)等優(yōu)點(diǎn)，因此在各個(gè)領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用，如電力、軌道交通、電動(dòng)汽車等。本文將詳細(xì)介紹IGBT如何選型以及選型時(shí)要考慮的參數(shù)。
2023-07-20 16:39:514487 工作條件下的輸出光功率，達(dá)到特定輸出光功率所需要的電流，斜線效率以及光譜特性等等。聯(lián)訊儀器CoC測(cè)試聯(lián)訊儀器全自動(dòng)CoC測(cè)試系統(tǒng)CT6201，與聯(lián)訊儀器BI6201老化
2023-07-20 00:00:00438 
靜態(tài)分析可幫助面臨壓力的開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)。高質(zhì)量的版本需要按時(shí)交付。需要滿足編碼和合規(guī)性標(biāo)準(zhǔn)。錯(cuò)誤不是一種選擇。
這就是開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)使用靜態(tài)分析工具/源代碼分析工具的原因。在這里，我們將討論靜態(tài)分析和使用靜態(tài)代碼分析器的好處，以及靜態(tài)分析的局限性。
2023-07-19 12:09:38845 
、激光顯示、光存儲(chǔ)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。VCSEL生產(chǎn)過(guò)程中有三道檢測(cè)工序,這三道工序都需要脈沖電流源對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試?？焖?、靈活且精度高的測(cè)試方案對(duì)于減小測(cè)試的成本至關(guān)重要。
2023-07-18 16:06:211726 
對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:08343 常用音頻運(yùn)放最佳靜態(tài)電流，包括官方靜態(tài)電流與測(cè)試靜態(tài)電流，供功放電路設(shè)計(jì)參考
2023-06-25 09:26:081 PS-9305S-A5四軸五軸按鍵手感測(cè)試機(jī)的參數(shù)？|深圳磐石測(cè)控儀器
2023-06-14 09:49:17292 
在一起。焊接的質(zhì)量和可靠性對(duì)于電子產(chǎn)品的性能和壽命至關(guān)重要。這個(gè)時(shí)候則需要進(jìn)行SMT元器件焊接的推力測(cè)試。 為了完成這一測(cè)試，我們需要使用SMT元器件焊接推拉力測(cè)試機(jī)。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將探討SMT元器件焊接推拉力測(cè)試機(jī)的原理、應(yīng)用和優(yōu)
2023-06-13 10:02:351357 
： 在進(jìn)行元器件選型時(shí)，首先需要了解電路的需求和性能要求，例如：電壓、電流、頻率、溫度等參數(shù)。 2. 研究市場(chǎng)情況： 在元器件市場(chǎng)非常發(fā)達(dá)的情況下，所以同一類型的元器件會(huì)有很多品牌、型號(hào)和價(jià)格。在進(jìn)行元器件選型時(shí)，需要經(jīng)過(guò)充分
2023-06-03 16:44:492692 PS-2305-20N自動(dòng)化按鍵測(cè)試模組技術(shù)規(guī)格書(shū)的參數(shù)？|深圳磐石測(cè)控儀器
2023-05-30 10:53:02315 
在半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)研發(fā)或者半導(dǎo)體晶圓封測(cè)過(guò)程中需要進(jìn)行電性能參數(shù)的表征，這些測(cè)量需要將精密源表(Source/MeasureUnit），LCR表（LCRMeter），數(shù)字萬(wàn)用表
2023-05-21 08:32:35404 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡(jiǎn)介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432099 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287 IGBT是高頻開(kāi)關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過(guò)流或短路故障時(shí)，器件中流過(guò)的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來(lái)聊聊IGBT的過(guò)流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175478 
與驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行連接，組合成為一個(gè)完整的整體。 在運(yùn)行過(guò)程中有開(kāi)損耗、關(guān)損耗等，會(huì)造成IGBT會(huì)發(fā)熱，溫度升高，影響性能，因此，需要散熱系統(tǒng)為IGBT模塊提供散熱，IGBT模塊配備用于冷卻液的針狀散熱翅片
2023-03-23 16:01:54
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