電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開(kāi)關(guān)TMUX722x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 13:49:53
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬多路復(fù)用TMUX734xF數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開(kāi)關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 11:12:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 多路復(fù)用器TMUX4827數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:57:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開(kāi)關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 10:56:000 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個(gè)芯片上的高級(jí)制造工藝。
2024-03-18 09:47:41
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什么是熱電偶穩(wěn)定性？影響熱電偶穩(wěn)定性的主要因素 熱電偶熱穩(wěn)定性怎樣檢測(cè)？ 熱電偶穩(wěn)定性是指熱電偶在一定時(shí)間范圍內(nèi)的溫度測(cè)量值的穩(wěn)定程度。在實(shí)際應(yīng)用中，熱電偶的穩(wěn)定性非常重要，因?yàn)樗苯佑绊懙綔y(cè)量數(shù)據(jù)
2024-03-08 15:32:4776 IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問(wèn)題？
2024-02-21 21:39:24
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線(xiàn)接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線(xiàn)規(guī)范設(shè)計(jì)的硅柵互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
該HI-8585 and HI-8586 是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路，設(shè)計(jì)用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動(dòng)ARINC 429總線(xiàn)，兩個(gè)邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極型晶體管（BJT）的載流能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
2024-02-18 10:29:261061 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 為了確保晶體管工作在合適的工作區(qū)域，需要通過(guò)電流偏置來(lái)控制基極電流。通常在放大區(qū)，晶體管的基極電流被設(shè)置為恒定值，以確保其穩(wěn)定性和線(xiàn)性放大功能。
2024-02-05 15:21:23425 硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、鍺（Ge）等。其中，硅是最為常見(jiàn)和廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一，它具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和機(jī)械性能，因此硅材料具有廣泛的應(yīng)用前景。硅晶體的晶體結(jié)構(gòu)為鉆
2024-02-04 09:46:07456 ，即使不加?xùn)旁措妷海矔?huì)形成反型層和導(dǎo)電溝道，在此基礎(chǔ)上加負(fù)向電壓溝道電阻變小，加正向電壓導(dǎo)電溝道變小，而且正向電壓減小到一定程度反型層消失導(dǎo)電溝道消失。
場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管
2024-01-30 11:38:27
元件而直接串聯(lián)，因其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，溫度升高，溝道電阻增大，漏極電流減小，是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的溝道電阻比較大，且在流過(guò)較大電流時(shí)發(fā)熱較大，阻值上升很快，進(jìn)一步又降低了漏極電流，故不需要在每個(gè)器件串接電阻？這個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管包括結(jié)型和金屬氧化物兩種類(lèi)型？
2024-01-26 23:07:21
晶振的頻率容差的定義 振蕩器穩(wěn)定性的重要性 影響頻率穩(wěn)定性的因素以及提高晶振耐受性和穩(wěn)定性的方法 晶振是一種利用晶體材料振蕩產(chǎn)生固定頻率的設(shè)備。在電子設(shè)備中，晶振被廣泛應(yīng)用于時(shí)鐘信號(hào)源、頻率合成
2024-01-26 17:12:34187 什么是晶振的頻率穩(wěn)定性？如何確保晶振的穩(wěn)定性呢？ 晶振的頻率穩(wěn)定性是指晶振在工作過(guò)程中頻率的變化程度。對(duì)于許多電子設(shè)備和系統(tǒng)而言，晶振頻率的穩(wěn)定性是非常重要的，因?yàn)樗苯佑绊懙皆O(shè)備的精確性、穩(wěn)定性
2024-01-24 16:11:40200 影響晶振頻率穩(wěn)定性的有哪些因素呢？如何解決呢？ 晶振頻率穩(wěn)定性是指晶振器在工作過(guò)程中頻率的變化程度。晶振器是一種電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中，特別是時(shí)鐘電路和振蕩電路。晶振頻率穩(wěn)定性的好壞
2024-01-23 16:43:03207 ，則分析時(shí)則按照單獨(dú)的晶體管電路分析，與一般晶體管電路無(wú)差。
如果多發(fā)射極或多集電極的電路在非多極的一側(cè)全部短起來(lái)當(dāng)作一個(gè)晶體管，那么此時(shí)的關(guān)系可以看作一個(gè)或門(mén)的關(guān)系，只要有一路導(dǎo)通，則晶體管就實(shí)現(xiàn)
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線(xiàn)
2024-01-12 23:14:23769 
）簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)：由于晶振內(nèi)部已經(jīng)有了振蕩電路，所以只需要為其提供電源，它就會(huì)輸出一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。這簡(jiǎn)化了電路板設(shè)計(jì)。
（2）高精度和高穩(wěn)定性：晶振通常能夠提供比基本的晶體更高的精度和穩(wěn)定性，特別是在寬溫度
2024-01-04 11:54:47
IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點(diǎn)集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22269 
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲(chǔ)單元、二極管、電阻、連線(xiàn)、引腳等。
隨著電子產(chǎn)品越來(lái)越“小而精，微薄”，半導(dǎo)體芯片和器件尺寸也日益微小，越來(lái)越微細(xì)，因此對(duì)于分析微納芯片結(jié)構(gòu)的精度要求也越來(lái)越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
請(qǐng)問(wèn)
1）慣性陀螺儀或加速度計(jì)的零偏穩(wěn)定性(bias stability)與零偏不穩(wěn)定性(bias instability)指的是同一個(gè)指標(biāo)嗎？
2）零偏穩(wěn)定性的測(cè)量與計(jì)算的？
謝謝！
2023-12-29 08:23:56
測(cè)試通過(guò)率、問(wèn)題分布、在各個(gè)測(cè)試終端上的問(wèn)題分布情況。
點(diǎn)擊測(cè)試設(shè)備后的查看詳情按鈕，可以查看測(cè)試任務(wù)詳情信息，如測(cè)試截屏、資源軌跡、異常信息和日志信息。
穩(wěn)定性測(cè)試
穩(wěn)定性測(cè)試主要驗(yàn)證
2023-12-25 10:56:58
TG5032CGN 晶振是EPSON推出的一款額定頻率10MHz至40MHz的石英晶體振蕩器，該型號(hào)采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)，輸出波形穩(wěn)定可靠。外形尺寸為5.0 × 3.2 × 1.45mm具有
2023-12-22 11:20:490 ，由于石英晶體諧振器的Q值較高，電路的阻抗會(huì)受到頻率、溫度等因素的影響。并聯(lián)電阻可以提供額外的阻抗，以抵消這些因素的影響，從而改善電路的性能。
3.增加電路穩(wěn)定性
并聯(lián)電阻可以提高晶振電路的穩(wěn)定性。當(dāng)
2023-12-13 09:38:27
教授李清庭做了“GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管”的主題報(bào)告。
2023-12-09 14:49:03921 
溫度和結(jié)構(gòu)如何影響電阻穩(wěn)定性
2023-12-07 11:38:26231 
該陪審員同意了普度的意見(jiàn)，即電動(dòng)汽車(chē)用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應(yīng)用（high power power application）使用的晶體管的專(zhuān)利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個(gè)芯片上，形成一個(gè)完整的
2023-12-04 17:00:57682 MOS的三個(gè)極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫(xiě)。它是
2023-11-30 14:24:54619 我們常說(shuō)IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）所構(gòu)成
2023-11-28 16:55:11519 
晶振的穩(wěn)定性對(duì)遙控器性能和可靠性具有重要影響。
2023-11-24 17:37:11307 來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
阻抗控制性能提升后對(duì)
穩(wěn)定性有怎樣的影響？如何權(quán)衡阻抗控制性能與
穩(wěn)定性的關(guān)系？ 當(dāng)阻抗控制性能提升時(shí)，往往需要更高的控制增益來(lái)實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)和更小的跟蹤誤差。 這會(huì)導(dǎo)致控制系統(tǒng)的
穩(wěn)定性受到挑戰(zhàn)，因?yàn)?/div>
2023-11-14 15:26:51287 
如果用AD 8675 做比例放大的buffer 的時(shí)候，負(fù)載能帶多大電容，穩(wěn)定性改如何考慮呢？ 在ADI 官方的應(yīng)用文檔里面好像沒(méi)有找到有關(guān)這方面的介紹，比如8675 是幾級(jí)運(yùn)放，穩(wěn)定性改如何考慮，如果有大電容負(fù)載是否合適等等？
2023-11-14 08:21:11
學(xué)術(shù)界和工業(yè)界已經(jīng)提出將二維（2D）過(guò)渡金屬二摻雜化合物（TMD）半導(dǎo)體作為未來(lái)取代物理柵極長(zhǎng)度小于10納米的硅晶體管的一種選擇。在這篇評(píng)論中，我們分享了基于堆疊二維TMD納米帶制造互補(bǔ)金屬氧化物
2023-11-07 09:55:55568 
運(yùn)放電路閉環(huán)穩(wěn)定性的判斷方法 運(yùn)放電路的閉環(huán)穩(wěn)定性判斷是保證電路正常工作的重要環(huán)節(jié)。以下為你詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的關(guān)于運(yùn)放電路閉環(huán)穩(wěn)定性判斷方法的文章： 在電子系統(tǒng)中，運(yùn)放電路是最常用的模擬電路
2023-11-06 10:20:19906 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 請(qǐng)問(wèn)有用過(guò)GD32F330系列的單片機(jī)嗎，穩(wěn)定性怎么樣？
2023-11-02 07:07:13
運(yùn)放系統(tǒng)穩(wěn)定性原理 運(yùn)放的頻率補(bǔ)償? 運(yùn)放系統(tǒng)穩(wěn)定性原理 運(yùn)放系統(tǒng)的穩(wěn)定性是電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要的問(wèn)題，其中運(yùn)放是一個(gè)主要的組成部分。穩(wěn)定性問(wèn)題的產(chǎn)生通常是由于反饋系統(tǒng)中存在非線(xiàn)性元素、相位滯后
2023-10-25 11:01:46406 螺桿支撐座是如何維持精度和穩(wěn)定性的？
2023-10-23 17:50:25465 
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary
2023-10-20 10:50:32122 
上期文章《運(yùn)放11-運(yùn)放穩(wěn)定性評(píng)估舉例》文末提到了，如果我們有放大器的Spice模型，可以借助仿真軟件直接仿真電路的穩(wěn)定性——可以直接得到波特圖曲線(xiàn)，這一期就專(zhuān)門(mén)來(lái)看看具體怎么玩。
2023-10-16 16:21:50549 
重要的角色。 在半導(dǎo)體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲(chǔ)存和排放各種化學(xué)液體。這些化學(xué)液體可能是用于清洗半導(dǎo)體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導(dǎo)體表面的各種薄膜和污垢。在這個(gè)過(guò)程中，PFA管需要承受各種化學(xué)物質(zhì)的侵
2023-10-16 15:34:34258 技術(shù)來(lái)控制頻率的輸出。
三、可編程晶振具有以下特點(diǎn)：
頻率精度高：可編程晶振的頻率精度可以高達(dá)±0.01ppm，這遠(yuǎn)高于普通的晶體振蕩器。
輸出穩(wěn)定：由于其數(shù)字控制方式，可編程晶振的輸出頻率穩(wěn)定性極高
2023-10-14 17:38:14
根據(jù)專(zhuān)利摘要，該公開(kāi)是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
專(zhuān)業(yè)圖書(shū)47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
怎么分析電路的穩(wěn)定性？? 電路的穩(wěn)定性是指電路在不同條件下保持穩(wěn)定的能力。穩(wěn)定性是電路設(shè)計(jì)中十分重要的一個(gè)方面，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">穩(wěn)定的電路能夠提供可靠和一致的性能。在其他條件恒定的情況下，最穩(wěn)定的電路可以提供
2023-09-17 16:44:38971 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷卯MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備有刻蝕、薄膜沉積、清洗、濕制、封裝和測(cè)試、拋光、硅晶圓制造等設(shè)備，這些精密生產(chǎn)設(shè)備對(duì)工藝要求很高，例如對(duì)供電的穩(wěn)定性和質(zhì)量要求，對(duì)溫度嚴(yán)格的監(jiān)測(cè)和控制等
2023-08-31 12:33:15378 
晶體管是一種半導(dǎo)體元器件，它由三個(gè)層疊在一起的材料構(gòu)成，分別是 P 型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個(gè)電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47652 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。晶體管是一個(gè)半導(dǎo)體器件，它可以放大或開(kāi)關(guān)電流信號(hào)。晶體管的工作原理是由三個(gè)不同類(lèi)型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:141800 其中，華映科技顯示面板業(yè)務(wù)主要在子公司華佳彩，華佳彩擁有一條金屬氧化物薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)能 3 萬(wàn)片 LCD大板/月，主要生產(chǎn)中小尺寸顯示面板。
2023-08-16 14:49:43516 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)功能,只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng),電極二極管擁有更大的動(dòng)力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
2023-08-09 16:14:42522 
摘要：本文敘述了 FPGA 的亞穩(wěn)定性，敘述了它是如何發(fā)生的，是如何導(dǎo)致設(shè)計(jì)失效的。文
中說(shuō)明了如何計(jì)算亞穩(wěn)定性能的 MTBF 值，并解釋了器件和設(shè)計(jì)性能的變化將會(huì)如何影響該
值。
2023-08-07 15:34:570 晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的元件之一，其穩(wěn)定性對(duì)于設(shè)備的性能和可靠性至關(guān)重要。為了提高晶體管的穩(wěn)定性，有幾個(gè)關(guān)鍵的方面需要考慮和優(yōu)化。
2023-08-04 09:44:26318 溝道和 N 溝道類(lèi)型。
場(chǎng)效應(yīng)管
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是所有類(lèi)型晶體管中最常用的。顧名思義，它包括金屬柵極的端子。該晶體管包括四個(gè)端子，如源極、漏極、柵極和襯底或主體
2023-08-02 12:26:53
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來(lái)越高。
2023-08-01 10:01:561639 
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2023-07-21 16:13:21480 
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱(chēng)，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫(xiě)成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241285 
在電阻型放大電路中，如PGA,LDO等，常常會(huì)出現(xiàn)如下穩(wěn)定性問(wèn)題：?jiǎn)为?dú)仿真的穩(wěn)定性很好的運(yùn)放接入電阻反饋網(wǎng)絡(luò)后環(huán)路穩(wěn)定性變差很多。
2023-07-05 16:01:10870 
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)電路板的要求也越來(lái)越高。其中，高溫下斯利通氧化鋁陶瓷電路板因其高溫穩(wěn)定性、優(yōu)良的介電性能、較低的介電損耗和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于航空航天、衛(wèi)星通信、汽車(chē)電子、軍事
2023-06-29 14:12:13352 布線(xiàn)過(guò)程中要注意哪些問(wèn)題，以保證AD采樣的穩(wěn)定性？
2023-06-19 08:31:20
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場(chǎng)效晶體管
2023-06-16 10:07:03
射頻芯片的穩(wěn)定性是一個(gè)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)和性能指標(biāo)，它描述了芯片在工作過(guò)程中的信號(hào)穩(wěn)定性和性能的一致性。射頻芯片的穩(wěn)定性主要包括以下幾個(gè)方面。
2023-06-13 12:40:17692 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:09596 
MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ絹?lái)越得到國(guó)內(nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:29568 
我們常見(jiàn)的環(huán)路大部分都是負(fù)反饋環(huán)路，對(duì)于負(fù)反饋系統(tǒng)的穩(wěn)定性，我們有相應(yīng)的穩(wěn)定性判據(jù)。
2023-05-23 17:15:251640 
本文介紹一種SSF穩(wěn)定性補(bǔ)償方案，并推導(dǎo)其閉環(huán)特性，給出相關(guān)參數(shù)的設(shè)計(jì)指引。
2023-05-23 17:15:141451 
結(jié)構(gòu)，基于材料基因組數(shù)據(jù)庫(kù)和第一性原理軟件包，自動(dòng)計(jì)算并輸出半導(dǎo)體的熱力學(xué)穩(wěn)定性，缺陷和雜質(zhì)形成能及離化能級(jí)，半導(dǎo)體樣品中缺陷、雜質(zhì)和載流子濃度及費(fèi)米能級(jí)，關(guān)鍵缺陷和雜質(zhì)誘導(dǎo)的光致發(fā)光譜、載流子輻射和非輻射俘獲截面及少子壽命。
2023-05-23 14:11:56346 
影響直流穩(wěn)壓電源輸出電壓穩(wěn)定性的因素有哪些？
2023-04-21 17:50:27
電力系統(tǒng)中的電壓穩(wěn)定性定義為電力系統(tǒng)在正常條件下和受到干擾后在系統(tǒng)中的所有總線(xiàn)上保持可接受電壓的能力。在正常工作條件下，電力系統(tǒng)的電壓是穩(wěn)定的，但是當(dāng)系統(tǒng)中發(fā)生故障或干擾時(shí)，電壓變得不穩(wěn)定，這會(huì)
2023-04-21 16:14:04
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號(hào)：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計(jì)規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00247 
氧化鋁陶瓷基片作為一種基板材料廣泛應(yīng)用于射頻微波電子行業(yè)，其介電常數(shù)高可使電路小型化，其熱穩(wěn)定性好溫漂小，基片強(qiáng)度及化學(xué)穩(wěn)定性高，性能優(yōu)于其他大部分氧化物材料，可應(yīng)用于各類(lèi)厚膜電路、薄膜電路、混合電路、微波組件模塊等。
2023-04-19 16:14:48602 在厚銅PCB的設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，確保電路連接穩(wěn)定性非常重要。電路連接的質(zhì)量和穩(wěn)定性直接影響到PCB的性能和可靠性，那如何確保厚銅PCB的電路連接的穩(wěn)定性呢？
2023-04-11 14:35:50
的 REGCRL 輸出連接到 NJD2873 晶體管的基極?；鶚O連接上還有一個(gè)用于環(huán)路補(bǔ)償?shù)?1uF 電容器。最新的 MPC5674 數(shù)據(jù)表顯示了 12 歐姆電阻和 2.2uF 電容器。電阻/電容值對(duì)于
2023-04-04 08:44:48
高質(zhì)量RC振蕩器的穩(wěn)定性預(yù)計(jì)在0.1%左右，而通常我們可以假設(shè)LC振蕩器的穩(wěn)定性高達(dá)0.01%。當(dāng)需要更高水平的穩(wěn)定性時(shí)，我們必須使用基于晶體的振蕩器電路。
2023-04-02 10:05:041055 
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
應(yīng)用主要有降低信號(hào)電平、源于負(fù)載之間的匹配、 元器件隔離保護(hù)等應(yīng)品特點(diǎn)：?采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)生產(chǎn)，圖形精度高? 寄生參數(shù)小、頻率特性穩(wěn)定?尺寸小，重量輕?表面貼裝易于集成產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)范：?電阻類(lèi)型：TaN
2023-03-28 14:19:17
氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點(diǎn)，是日盲紫外探測(cè)理想的半導(dǎo)體材料?；贕a2O3的日盲紫外光電探測(cè)器已有很多的報(bào)道。
2023-03-28 11:48:012795 我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
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