? ? ??IGBT的四個(gè)主要參數(shù) ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個(gè)
2024-03-22 08:37:29
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玻璃管保險(xiǎn)絲的工作原理及主要參數(shù)? 玻璃管保險(xiǎn)絲是一種常見(jiàn)的過(guò)載保護(hù)元件，通常由玻璃管和內(nèi)部金屬絲構(gòu)成。當(dāng)電流大于設(shè)定值時(shí)，保險(xiǎn)絲會(huì)斷開(kāi)電路，以保護(hù)電路和電器設(shè)備不受過(guò)載損壞。 玻璃管
2024-03-05 17:29:07166 您好，誰(shuí)能告訴我SAK-TC277T-64F200S DC AURIX?的性能等級(jí)是什么？謝謝。
2024-03-05 07:57:08
尊敬的工程師，您好，
1、我想了解一下CCG3PA系列與CCG7D系列的主要區(qū)別有哪些，有沒(méi)有相關(guān)對(duì)照表參考。
2、我看了相關(guān)資料兩款芯片都支持后座娛樂(lè)系統(tǒng)，這樣的話，如果客戶在功率方面要求較低
2024-02-27 07:56:04
在溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的實(shí)際應(yīng)用中，除了標(biāo)稱(chēng)頻率、PPM精度和溫度穩(wěn)定性等主要參數(shù)外，還有一些其他重要參數(shù)需要注意。在標(biāo)準(zhǔn)電源電壓、標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容阻抗、參考溫度等條件不變的情況下，溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的頻率精度可以達(dá)到0.5PPM以上。
2024-02-26 18:05:31624 
在數(shù)字化浪潮席卷全球的今天，企業(yè)的網(wǎng)絡(luò)需求變得愈加復(fù)雜和多樣化。面對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，企業(yè)不得不尋求一種既能降低成本又能保證高性能的網(wǎng)絡(luò)解決方案。傳統(tǒng)組網(wǎng)方式雖然穩(wěn)定可靠，但昂貴的硬件投入和升級(jí)成
2024-02-26 14:59:06106 和電動(dòng)工具配件到醫(yī)療器械、主要電器產(chǎn)品、數(shù)字消費(fèi)設(shè)備及辦公自動(dòng)化設(shè)備。FM3 CY9BFx1xS/T系列Arm Cortex-M3微控制器系統(tǒng)是高性能組，工作電壓范圍為 2.7V 至 5.5V。FM3
2024-02-26 10:08:43
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件，它的性能參數(shù)直接影響著設(shè)備的工作效率和穩(wěn)定性。晶體管的主要參數(shù)有最大漏極電壓、最大集電極電流、最大功耗、最大封裝溫度、最大峰值電流等。
2024-02-23 10:04:37207 我非常榮幸地向大家推薦幾款高性能的三防平板電腦，這些產(chǎn)品都來(lái)自億道三防onerugged系列。它們以其卓越的性能和出色的工藝設(shè)計(jì)，成為行業(yè)中備受矚目的產(chǎn)品。
2024-02-20 10:05:33123 Mesh組網(wǎng)的主要特點(diǎn) mesh組網(wǎng)需要接網(wǎng)線嗎 怎么進(jìn)行有線mesh組網(wǎng)？ Mesh組網(wǎng)是一種無(wú)線網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，它具有以下主要特點(diǎn)： 1. 去中心化：每個(gè)設(shè)備在Mesh網(wǎng)絡(luò)中都可以成為主節(jié)點(diǎn)，無(wú)需
2024-02-04 14:07:31413 晶振的作用、原理以及主要參數(shù)。 一、晶振的作用： 晶振的主要作用是產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)，用于同步電子設(shè)備中的各個(gè)模塊的工作。因?yàn)榫д癞a(chǎn)生的振蕩頻率非常穩(wěn)定，能夠提供高精度的定時(shí)信號(hào)，因此晶振在數(shù)字電路和通信系統(tǒng)中具有重要的作用。穩(wěn)定的時(shí)鐘
2024-02-04 10:08:51392 二極管是電子器件中常見(jiàn)的一種元件，廣泛應(yīng)用于電路中。二極管具有許多主要參數(shù)，這些參數(shù)在選擇和使用二極管時(shí)至關(guān)重要。在本文中，我將詳細(xì)介紹二極管的主要參數(shù)以及使用中需要特別注意的參數(shù)。 額定電流
2024-01-23 11:37:35503 射頻功率放大器是一種將射頻信號(hào)放大到更高功率級(jí)別的電子設(shè)備。根據(jù)其工作原理和應(yīng)用要求，射頻功率放大器可以分為不同的類(lèi)型。下面西安安泰將介紹一些常見(jiàn)的射頻功率放大器類(lèi)型和相關(guān)的主要參數(shù)
2024-01-17 16:55:31152 
HMC-AUH312：高性能寬帶放大器的理想之選華灃恒霖電子榮譽(yù)推出的HMC-AUH312，一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、HEMT、低噪聲、寬帶放大器裸片，憑借其卓越的性能
2024-01-14 22:40:41
ADC3660IRSBT是一款由德州儀器（Texas Instruments）生產(chǎn)的雙路、16位、0.5MSPS至65MSPS、低噪聲、超低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）。其主要參數(shù)如下：位數(shù)：16位
2024-01-14 22:07:04
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。在選擇合適的逆變器時(shí)，需要關(guān)注其主要參數(shù)，以確保逆變器的性能和可靠性。那么逆變器的主要參數(shù)要求
2024-01-09 17:31:23366 瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的主要參數(shù)？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2023-12-27 10:36:18206 
霍爾元件的主要參數(shù)及其用途 引起霍爾元件誤差的因素? 霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的電子元件，廣泛應(yīng)用于測(cè)量、檢測(cè)、繼電器、電子開(kāi)關(guān)、電子計(jì)算機(jī)、儀表、傳感器等領(lǐng)域。 一、霍爾元件的主要參數(shù)及其用途
2023-12-18 15:02:42744 晶振的主要參數(shù)，包括頻率、頻率穩(wěn)定性、工作溫度范圍? 晶振是一種被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的元器件，它具有穩(wěn)定的頻率和精確的時(shí)間基準(zhǔn)。在電子設(shè)備中，晶振通常用于時(shí)鐘電路、調(diào)制解調(diào)器、通信設(shè)備等場(chǎng)合
2023-12-18 14:16:34495 測(cè)試環(huán)境可在實(shí)驗(yàn)室條件下模擬外場(chǎng)測(cè)試場(chǎng)景，通過(guò)控制接入節(jié)點(diǎn)間的衰減，使多個(gè)自組網(wǎng)節(jié)點(diǎn)組成各類(lèi)經(jīng)典拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在靜態(tài)/動(dòng)態(tài)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上對(duì)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)，評(píng)估自組網(wǎng)產(chǎn)品性能。
2023-12-15 17:01:11339 
TSS-53LNB+是一款高性能的低噪聲寬帶放大器采用E-PHEMT技術(shù)，能夠在0.5-5 GHz的超寬頻率范圍內(nèi)工作，提供極高的動(dòng)態(tài)范圍。SMT 低噪聲放大器, 頻率范圍：500 - 5000
2023-12-14 16:58:35
基于產(chǎn)品全工程智能化和質(zhì)量管理的需要，捷迅通自主研究智能視覺(jué)化測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)一步保證了產(chǎn)品的高質(zhì)量。超高性能的dragonfly射頻適配器和高性能的costin寬帶開(kāi)關(guān)脈沖適配器系列在1千瓦到10千瓦之間的無(wú)線電力范圍內(nèi)覆蓋2mhz到60mhz的射頻頻率
2023-12-08 13:53:41208 PCIE-5565型反射內(nèi)存卡是一款高性能、高可靠性的內(nèi)存卡，廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。下面將詳細(xì)介紹PCIE-5565型反射內(nèi)存卡的主要參數(shù)。
2023-11-29 16:09:48224 在電子科技日新月異的今天，唯創(chuàng)知音推出了一款極具競(jìng)爭(zhēng)力的CMOS語(yǔ)音芯片——WTN6F系列。這款芯片憑借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V寬電壓范圍內(nèi)工作的特性，尤其是可重復(fù)燒寫(xiě)的特點(diǎn)，在語(yǔ)音
2023-11-27 10:10:45149 
磁珠的工作原理、主要參數(shù)及選型 磁珠是目前廣泛應(yīng)用于生物分子分離和純化的一種高效分離材料。它的工作原理基于磁珠本身含有磁性材料，可以通過(guò)外加磁場(chǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)快速分離。本文將詳細(xì)介紹磁珠的工作原理、主要參數(shù)
2023-11-22 18:18:201142 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《萬(wàn)藍(lán)自組網(wǎng)電臺(tái)海面60KM測(cè)試.docx》資料免費(fèi)下載
2023-11-08 16:30:58
0 “ 電容是電子學(xué)三大基本無(wú)源器件之一。電容種類(lèi)繁多，知識(shí)體系更為龐雜，常有因?yàn)閷?duì)電容認(rèn)識(shí)不深，存在一些不正確的使用，造成失效問(wèn)題。本文系統(tǒng)講解電容的知識(shí)，第一部分介紹電容的原理和主要參數(shù)；第二部
2023-11-03 16:56:55627 
Lora怎么實(shí)現(xiàn)像Zigbee那樣可以自組網(wǎng)
2023-11-03 07:19:28
派4B的BCM2711（ARMA72）。如今，RISC-V缺乏高端SoC及板卡的局面將被扭轉(zhuǎn)！01高性能RISC-VSOM—LM4A矽速首發(fā)高性能
2023-11-02 08:36:08396 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于藍(lán)牙的無(wú)線自組網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用與研究.doc》資料免費(fèi)下載
2023-10-30 11:54:560 供應(yīng)APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG095N01 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-10-27 17:14:45
晶體管的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面。
2023-10-25 09:35:39672 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何基于CC2530組建具有自組網(wǎng)、自愈特性的ZigBee無(wú)線網(wǎng)絡(luò).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-23 09:15:363 MT8195安卓核心板,MT8195核心板主要參數(shù),安卓智能模組。基于臺(tái)積電6納米工藝制造的芯片。它采用了4個(gè)Cortex-A78大核和4個(gè)Cortex-A55小核，搭配Mali-G57MC5 GPU和APU 3.0，算力高達(dá)4 TOPs。
2023-10-19 18:26:19652 
性能和價(jià)格都很突出。
先讓我們介紹一下米爾-全志T113-S3開(kāi)發(fā)板:
米爾T113-S3核心板MYC-YT113X采用6層PCB設(shè)計(jì)，將Nand Flash/eMMC、EEPROM、DC/DC
2023-10-17 20:57:36
一、板卡概述
板卡基于6U VPX標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，北京太速科技板卡包含一個(gè)C6678 DSP芯片，一個(gè)XCVU9P 高性能FPGA，雙路HPC FMC。二、處理板技術(shù)指標(biāo)
?DSP處理器采用TI 8核
2023-10-16 11:12:06
了解TTL邏輯門(mén)電路的主要參數(shù)及測(cè)試方法。
2023-10-10 16:33:10822 
一、觸頭的主要參數(shù) 觸頭有四個(gè)主要參數(shù)：開(kāi)距、超程、初壓力和終壓力。 1、開(kāi)距 開(kāi)距即觸頭行程，也稱(chēng)觸頭斷開(kāi)距離。 2、超程 超程即觸頭在閉合位置時(shí)，動(dòng)靜觸頭移開(kāi)時(shí)的距離。 3、初壓力 初壓力
2023-09-24 15:33:581656 近日，洛微科技對(duì)外發(fā)布新款高性能D系列 TOF相機(jī)D3，這是一款專(zhuān)為工業(yè)環(huán)境中高性能操作設(shè)計(jì)的3D TOF智能相機(jī)。
2023-09-22 10:47:43859 高速數(shù)據(jù)通信
* FPGA型號(hào)：PGL50H-6IFBG484（紫光同創(chuàng)logos系列產(chǎn)品）
PGL50H-6IFBG484的主要參數(shù)
盤(pán)古50核心板主要參數(shù)
電源參數(shù)
產(chǎn)品實(shí)拍
2023-09-21 15:42:41
盤(pán)古50Pro核心板是一款基于紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L50H-FBG484主控芯片的全新國(guó)產(chǎn)高性能FPGA核心板，相較于第一代盤(pán)古50K器件全新升級(jí)，具有高數(shù)據(jù)帶寬、高存儲(chǔ)容量的特點(diǎn)，適用于
2023-09-18 17:02:58
本文提供基于 ESP32-S3 的硬件設(shè)計(jì)的指導(dǎo)規(guī)范。ESP32-S3 是一款具有超高性能的 Wi-Fi +Bluetooth? 5 (LE) 系統(tǒng)級(jí)芯片。這些規(guī)范將幫助您提升原理圖和 PCB 版圖設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性。
2023-09-18 08:06:04
下面從，晶振參數(shù)，MCU規(guī)格書(shū)與晶振下關(guān)的內(nèi)容，逐步說(shuō)明晶振如何選型，原廠如何測(cè)試哪些參數(shù)，特殊情況如何處理，大家一起共同進(jìn)步!
2023-09-14 16:03:132593 
1 產(chǎn)品概述LTNET-ZB系列設(shè)備是基于MANET（Mobile Ad Hoc Network，移動(dòng)自組織網(wǎng)絡(luò)）技術(shù)開(kāi)發(fā)的無(wú)線寬帶自組網(wǎng)產(chǎn)品。產(chǎn)品采用軟件無(wú)線電體制架構(gòu)，支持多種波形加載，滿足
2023-09-13 13:03:44
以上是TDK品牌SPM4010系列繞線功率貼片電感參數(shù)表，功率貼片電感一般使用在DCDC上。
2023-09-11 17:26:131288 
和一個(gè)NTC測(cè)溫元件，并與一個(gè)高性能 8 位單片機(jī)相連接。 二.DHT11主要參數(shù) （1）濕度分辨率為8bit，測(cè)量精度為±4%RH（25℃），最大的測(cè)量范圍為20~90%RH，響應(yīng)時(shí)間為6-16秒； （2）溫度分辨率為8bit，測(cè)量精度為±1℃，測(cè)量范圍為0 50℃，響應(yīng)時(shí)間為6 30秒。 （3）傳感器
2023-09-11 11:17:043486 
。
核心板資源及參數(shù)核心板擴(kuò)展信號(hào)底板外設(shè)接口資源軟件資源參數(shù)
名稱(chēng)
配置
選配
處理器型號(hào)
T113-S3，2*Cortex-A7@1.2G
電源管理
分立電源
內(nèi)存
內(nèi)置128MB DDR3
2023-09-09 18:07:13
功率二極管主要參數(shù)有哪些？ 功率二極管是一種電子元器件，通常用于控制高電壓和高電流的開(kāi)關(guān)電路和放大電路中。功率二極管的主要參數(shù)與其使用環(huán)境和應(yīng)用目的有關(guān)。在本文中，我們將詳細(xì)討論功率二極管的主要參數(shù)
2023-08-28 17:22:411713 （帶跳頻功能）自組網(wǎng)電臺(tái)采用寬帶跳頻技術(shù)，跳速1000-2000hop/s，跳頻帶寬大于200MHz，跳頻點(diǎn)可達(dá)256個(gè)，具有很強(qiáng)的抗干擾和抗截獲通信能力 。 跳頻通信技術(shù)是在現(xiàn)代信息對(duì)抗日益激烈的形勢(shì)下迅速發(fā)展起來(lái)的，它具有很強(qiáng)的抗搜索、抗截獲、抗干擾能力
2023-08-28 09:11:47864 
你沒(méi)有看錯(cuò)， LoRa 模組也有Mesh組網(wǎng)功能。
資料在下發(fā)，*附件：LoRaLan軟件快速使用說(shuō)明.pdf
*附件：SZ05-LR-03 LoRaLan私有透?jìng)髂K用戶使用手冊(cè) .pdf
*附件：loralan產(chǎn)測(cè)工具V1.0.2.rar
2023-08-24 15:48:53
HPM是一個(gè)高度可配置的自動(dòng)生成的AMBA 3總線子系統(tǒng)，基于稱(chēng)為AXI總線矩陣的高性能AXI交叉開(kāi)關(guān)，并由AMBA基礎(chǔ)設(shè)施組件進(jìn)行擴(kuò)展。
有關(guān)這些組件的信息，請(qǐng)參閱PrimeCell高性能矩陣
2023-08-22 06:22:10
先來(lái)介紹一下米爾-全志T113-S3開(kāi)發(fā)板：
全志科技 T113 系列處理器是一款基于雙核A7@1.2GHz + HiFi4 DSP 多核異構(gòu)工業(yè)級(jí)處理器，支持
H.265/H.264
2023-08-17 23:59:59
目前來(lái)說(shuō)說(shuō)晶振的標(biāo)稱(chēng)頻率在1 ~ 200 MHz之間，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，這些都是晶振的參數(shù)。對(duì)于更高的輸出頻率，通常使用PLL將低頻倍頻至1GHz以上，這些都是常見(jiàn)的晶振參數(shù)的
2023-08-10 13:55:252632 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能系列MCU STM32H5介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-29 10:59:430 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543290 
龍芯3A5000板卡在高性能工作站的應(yīng)用方案-迅為電子
2023-07-27 16:27:53536 
有很多客戶咨詢一個(gè)問(wèn)題：ANYMESH寬帶自組網(wǎng)電臺(tái)能不能支持無(wú)人機(jī)的高速移動(dòng)? 能不能在固定翼飛機(jī)高速飛行中正常通信? 能不能用在高速飛行的導(dǎo)彈上? 等等。實(shí)質(zhì)上，就是指寬帶自組網(wǎng)電臺(tái)在移動(dòng)
2023-07-25 10:31:27268 ANYMESH-SDR-A4室外固定基站型自組網(wǎng)設(shè)備具有防腐蝕防雨水、防高溫等特性,可掛載于基站鐵塔等固定物體上。通過(guò)一定高度可有效擴(kuò)大自組網(wǎng)之間通信覆蓋范圍,解決遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸?shù)葐?wèn)題。同時(shí)具有更強(qiáng)
2023-07-20 18:05:16344 
板卡基于6U VPX標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包含一個(gè)C6678 DSP芯片，一個(gè)XCVU9P 高性能FPGA，雙路HPC FMC。
2023-07-20 16:21:41639 
在尺寸和重量非常小的情況下，實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)大的 自組網(wǎng)通信能力，為小型無(wú)人載具的集群協(xié)同提供強(qiáng)有力的鏈路支持。 一、顯著特點(diǎn) 非視距傳輸:基于自組多跳技術(shù)，信號(hào)自動(dòng)選擇最佳路徑到達(dá)無(wú)直接視距的目標(biāo)節(jié)點(diǎn) 網(wǎng)絡(luò)自愈合:每個(gè)節(jié)點(diǎn)有多條傳輸數(shù)據(jù)的路徑
2023-07-19 17:54:59360 
化等優(yōu)異性能，非常適合在井下惡劣環(huán)境中構(gòu)建穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)，提供無(wú)線寬帶接入信號(hào)。 在井下巷道內(nèi)，每隔一段距離放置一臺(tái)多跳自組網(wǎng)中繼基站設(shè)備，相鄰基站之間即可直接互聯(lián)組網(wǎng)。以某礦巷道總長(zhǎng)10公里計(jì)，大約僅需部署30臺(tái)左右多跳自
2023-07-13 18:02:01660 
板卡基于6U VPX標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包含一個(gè)C6678 DSP芯片，一個(gè)XCVU9P 高性能FPGA，雙路HPC FMC。
2023-06-20 11:29:20540 。其中，敏感薄膜材料創(chuàng)制和高性能化是獲得高性能薄膜熒光傳感器的關(guān)鍵，其核心又是高性能敏感單元的創(chuàng)制；而只有在實(shí)現(xiàn)理性設(shè)計(jì)、激發(fā)態(tài)過(guò)程精準(zhǔn)調(diào)控后才可獲得理想敏感單元，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)敏感薄膜的高性能化的主要途徑。 激發(fā)態(tài)質(zhì)子轉(zhuǎn)移的分子內(nèi)電
2023-06-12 09:57:52354 
碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開(kāi)啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開(kāi)關(guān)速度會(huì)變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032010 8V97051A是一款高性能寬帶射頻合成器/PLL，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用作多載波、多模FDD和TDD基站無(wú)線網(wǎng)卡中的本地振蕩器（LO）。
2023-05-30 15:12:40406 AD8343是一款高性能寬帶有源混頻器。具有所有端口的寬帶寬和非常低的互調(diào)失真，非常適合要求苛刻的發(fā)送應(yīng)用程序或接收信道應(yīng)用程序。
2023-05-26 10:52:36528 經(jīng)過(guò)多年的演進(jìn)，從傳統(tǒng)的中繼組網(wǎng)、AC+AP組網(wǎng)、電力貓組網(wǎng)，升級(jí)到mesh組網(wǎng)，以及近兩年非?；馃岬腇TTR（全屋光寬帶）組網(wǎng)。
2023-05-25 17:08:531594 無(wú)中心分布式蜂群通信算法實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)動(dòng)態(tài)資源調(diào)整，提高信道利用率。
蜂群自組網(wǎng)技術(shù)可用于無(wú)人機(jī)、無(wú)人系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)鏈、遠(yuǎn)程控制、數(shù)據(jù)采集、人工智能、單兵裝備等應(yīng)用場(chǎng)景。主要技術(shù)指標(biāo)如下：
2023-05-19 14:57:191281 
無(wú)線
自組網(wǎng)是一組帶有無(wú)線收發(fā)裝置的移動(dòng)終端組成的一個(gè)無(wú)中心、多跳、
自組織的網(wǎng)絡(luò)，是一種移動(dòng)計(jì)算機(jī)通信網(wǎng)絡(luò)。
在
自組網(wǎng)中，每個(gè)移動(dòng)終端就是一個(gè)節(jié)點(diǎn)，不僅能夠移動(dòng)而且兼有路由器和主機(jī)兩種功能?？梢?/div>
2023-05-19 14:47:034040 
UJ3C065030T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 16:02:53
通常，當(dāng)我們選擇r型變壓器時(shí)，我們不一定對(duì)所有參數(shù)都有如此全面的了解。R型變壓器的主要參數(shù)是什么？他的相應(yīng)功能是什么？有了這些問(wèn)題，讓我們跟隨小r來(lái)學(xué)習(xí)變壓器最常用和最重要的參數(shù)，這樣我們?cè)趯?lái)選擇變壓器時(shí)就不會(huì)感到困惑。
2023-05-12 14:44:491185 
UF3C065080T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 09:35:19
UF3C065040T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 20:11:52
UF3C065030T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-11 18:30:12
Qorvo 的 UJ3C065080T3S 是一款 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:13:57
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:52:46
Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:37:31
Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一
2023-05-11 14:27:22
場(chǎng)所的高速無(wú)線接入。
超寬帶技術(shù)主要有以下特點(diǎn)：
1、超強(qiáng)的抗干擾性能
2、傳輸速率高
3、系統(tǒng)容量大
4、帶寬很寬
5、發(fā)射功率低且隱蔽性比較強(qiáng)，不太容易被發(fā)現(xiàn)和攔截，具有很高的保密性。
6、多勁分辨率
2023-05-08 17:09:04
很多客戶對(duì)我們的照明燈控模塊非常滿意，這次澤耀全新完善推出的A72系列藍(lán)牙Mesh自組網(wǎng)模塊，也一樣不會(huì)讓你失望：A72系列基于TLSR8258，工作在2.4GISM頻段，支持多種協(xié)議包括BLE
2023-05-06 09:38:47771 
參數(shù)調(diào)整更迅速——松下助您打造高性能手機(jī)貼膜機(jī)
2023-04-28 00:01:36325 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開(kāi)關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的，相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
2023-04-26 17:50:102213 
本次將為大家揭秘紫光盤(pán)古系列高性能入門(mén)級(jí)1K2K開(kāi)發(fā)板。1K2K開(kāi)發(fā)板以紫光Compact系列PGC1KG-LPG100/PGC2KG-LPG100器件為核心，滿足低功耗、低成本、小尺寸需求
2023-04-24 18:29:27
檢查將被跳過(guò)。黑客會(huì)利用這一點(diǎn)來(lái)讀取固件。
問(wèn)題：
(1) S32K3系列是否也存在這樣的風(fēng)險(xiǎn)？
(2) 如果沒(méi)有，是否有針對(duì)這種風(fēng)險(xiǎn)的保護(hù)措施？它是如何受到保護(hù)的？
問(wèn)題背后：有一款MCU
2023-04-24 07:02:31
共建和貢獻(xiàn)。而先楫半導(dǎo)體HPM6700系列高性能MCU通用開(kāi)發(fā)板在2022年就率先合入OpenHarmony社區(qū)主干，助力該開(kāi)源系統(tǒng)在工業(yè)控制、新能源等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。
先楫半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)徐琦先生，在
2023-04-23 15:01:44
基于FMC的Kintex XCKU060高性能PCIe載板一、板卡概述 板卡主控芯片采用Xilinx 公司的 Kintex UltraScale系列FPGA XCKU060-2FFVA1156。板載
2023-04-13 15:56:21
溫度穩(wěn)定度指晶振在溫度變化時(shí)輸出頻率的變化范圍，是影響晶振穩(wěn)定性的重要因素。一般情況下，晶振的溫度穩(wěn)定度越高，晶振的性能越好，但成本也越高。在選擇晶振時(shí)，需要考慮系統(tǒng)的工作溫度范圍，選擇具有合適溫度穩(wěn)定度的晶振。
2023-04-06 09:44:143490 我 以為 我看到了關(guān)于優(yōu)化 LPC55S6x 系列雙核性能的應(yīng)用說(shuō)明，但我現(xiàn)在找不到任何東西。有這樣的資源嗎？我主要尋找的是有關(guān)內(nèi)存爭(zhēng)用的信息。我看到兩個(gè)內(nèi)核共享相同的閃存接口。從閃存運(yùn)行的兩個(gè)內(nèi)核可以實(shí)現(xiàn)什么樣的性能？第二個(gè)核心是否需要從 RAM 運(yùn)行才有用？
2023-03-31 09:07:04
又恢復(fù)到高阻抗?fàn)顟B(tài)。 TVS可以吸收侵入性的ESD，保護(hù)電子設(shè)備，防止電路故障，TVS的主要參數(shù)如下： ?。?）最小擊穿電壓VBR：器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi)，在規(guī)定的試驗(yàn)電流IBR（一般情況IBR
2023-03-29 11:11:24
高性能肖特基整流器，2 x 6 A
2023-03-28 18:16:46
迅為3A5000_7A2000工控主板，龍芯自主指令集架構(gòu)全國(guó)產(chǎn)工業(yè)級(jí)板卡性能
2023-03-28 16:51:12494 
高性能同步整流芯片
2023-03-28 12:50:48
高性能、低電流收發(fā)器
2023-03-24 14:49:11
高性能硅柵CMOS
2023-03-24 14:01:37
PWM控制器是一種基于脈沖寬度調(diào)制技術(shù)的電子設(shè)備，用于控制電能的輸出或輸出電壓和電流的波形。PWM控制器主要參數(shù)、特點(diǎn)和應(yīng)用如下。
2023-03-23 16:42:226329 已全部加載完成
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