摘要

處理納米級(jí)顆粒污染仍然是半導(dǎo)體器件制造過程中的主要挑戰(zhàn)之一。對(duì)于越來越多的關(guān)鍵處理步驟而言尤其如此，在這些步驟中，需要去除顆粒物質(zhì)的殘留物而不會(huì)對(duì)敏感器件圖案造成機(jī)械損壞，同時(shí)實(shí)現(xiàn)盡可能低的基板損失。如果允許更高的基板損失，則可以采用或多或少純的化學(xué)機(jī)制（例如，基板蝕刻和剝離導(dǎo)致的顆粒底切）。然而，僅允許在統(tǒng)計(jì)上看到亞埃材料損失，需要將物理力與適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)支持結(jié)合起來。在本文中，我們描述了基于單分散液滴撞擊的顆粒清潔技術(shù)。

介紹

硅晶片上殘留的微粒污染仍然是先進(jìn)半導(dǎo)體制造中產(chǎn)量損失的主要原因之一。 因此，隨著更小的設(shè)備節(jié)點(diǎn)不斷發(fā)展，對(duì)控制微粒污染的新技術(shù)和工藝的要求變得越來越嚴(yán)格。正如《國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》（ITRS 2012 更新版）所述，“致命缺陷”尺寸（臨界粒徑）隨著器件的產(chǎn)生而不斷減小，現(xiàn)在臨界粒徑小于MPU（主處理單元）物理門長(zhǎng)度。而且，顯然，必須在不對(duì)機(jī)械敏感的設(shè)備結(jié)構(gòu)造成任何結(jié)構(gòu)損壞的情況下實(shí)現(xiàn)高顆粒去除效率 (PRE)，并且材料損失最?。ㄔ趤啺７秶鷥?nèi)統(tǒng)計(jì)可見）。這些良率降低因素的來源可能是作為先前加工步驟或晶片處理的副產(chǎn)品的落下顆粒。

顆粒去除基礎(chǔ)

對(duì)顆粒粘附的理解在確定合適的清潔方法中起著關(guān)鍵作用。它會(huì)影響清潔液化學(xué)成分的選擇以及提供物理力以從基材上去除顆粒所需的機(jī)制。這種粒子-基材-相互作用的強(qiáng)度取決于材料和發(fā)生相互作用的介質(zhì)的物理和化學(xué)特性、兩個(gè)物體的幾何形狀及其分離距離。顆粒去除與層流或湍流邊界層流的粘性子層內(nèi)近壁顆粒的傳輸有關(guān)。通過建模、數(shù)值模擬和原子力實(shí)驗(yàn)，對(duì)流體動(dòng)力作用下的粒子粘附和脫離有了深入的了解。

圖1。實(shí)體平面上球體的接觸力學(xué)。Ft 是切向摩擦力 Mr 、滾動(dòng)阻力、Fadh 附著力、FL 升力、FD 阻力和 MD 相對(duì)于質(zhì)心 S 的流體動(dòng)力阻力。右側(cè)顯示了粘附在表面上的半球. C表示接觸區(qū)域的中心。相對(duì)于通過 P 的軸會(huì)發(fā)生滾動(dòng)或傾斜。R 表示粒子的半徑。

通過液滴撞擊進(jìn)行顆粒清潔

圖2。在 pH = 7 時(shí)去除二氧化硅上的二氧化硅顆?；蚨趸枭系娜槟z球的臨界剪切速率是顆粒半徑的函數(shù)

電阻∈ [0.05 微米，2 微米]

通過移動(dòng)接觸線去除顆粒

例如從環(huán)境研究中得知10 微米級(jí)及以下的膠體可以從固體表面分離并通過緩慢移動(dòng)的氣水界面?zhèn)鬏?。在這種情況下，由于移動(dòng)接觸線（三相邊界）而產(chǎn)生的毛細(xì)作用力顯然可以克服附著力。雖然文獻(xiàn)中已經(jīng)研究了幾個(gè)例子，但細(xì)節(jié)足夠復(fù)雜，還沒有完全理解。這種現(xiàn)象取決于顆粒大小、接觸線的方向和速度、液體與顆粒的接觸角等參數(shù)。

法向拉伸流的粒子清洗

典型的 物理清潔技術(shù)基于對(duì)暴露的基材表面施加流體動(dòng)力學(xué)剪切應(yīng)力，從而對(duì)顆粒施加足夠大的拖曳力以將其去除。然而，基板上的器件結(jié)構(gòu)也會(huì)受到這種剪切應(yīng)力，當(dāng)這種應(yīng)力足夠大時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致線路損壞。對(duì)于具有矩形橫截面的線，可以表明，線 σS 底部承受的應(yīng)力與流體動(dòng)力壁剪切應(yīng)力 τS 乘以線的縱橫比的平方 AR 成正比。

　　審核編輯：湯梓紅