數(shù)字化目標(biāo)。 自動(dòng)蝕刻機(jī)是利用金屬對(duì)電解作用的反應(yīng)，將金屬進(jìn)行腐蝕刻畫(huà)，從而蝕刻出各種圖紋、花紋、幾何形狀，產(chǎn)品精度極高，因此對(duì)設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定的要求也很高。對(duì)此，物通博聯(lián)提供基于工業(yè)智能網(wǎng)關(guān)的自動(dòng)蝕刻機(jī)數(shù)據(jù)采集解
2024-03-20 17:52:39
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現(xiàn)在很多電子產(chǎn)品的時(shí)鐘模塊都是使用的貼片晶振，而貼片晶振也是眾多種類晶振的一種。因?yàn)榇蠖鄶?shù)電子產(chǎn)品的封裝都是分為貼片和直插兩類，這就讓很多客戶都在關(guān)注直插晶振和貼片晶振的區(qū)別。那么采購(gòu)晶振時(shí)，該如何選擇？
2024-03-11 18:17:51549 
供應(yīng)方面，3月份硅片生產(chǎn)預(yù)期達(dá)到了預(yù)期的70GW，較上個(gè)月環(huán)比上漲了約9.4%。據(jù)了解，各廠商并未做出任何減產(chǎn)計(jì)劃以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)壓力。硅片總庫(kù)存已超出正常水平，供應(yīng)鏈銷售壓力激增，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。
2024-03-10 14:49:371386 剛畢業(yè)的時(shí)候IC spec動(dòng)則三四百頁(yè)甚至一千頁(yè)，這種設(shè)置和使用方法很詳盡，但是這幾年IC datasheet為什么越來(lái)越薄了，還分成了IC功能介紹、code設(shè)置、工廠量產(chǎn)等等規(guī)格書(shū)，很多東西都藏著掖著，想了解個(gè)IC什么東西都要發(fā)郵件給供應(yīng)商，大家有知道這事為什么的嗎？
2024-03-06 13:55:43
硅片生產(chǎn)是光伏產(chǎn)業(yè)鏈上游的核心環(huán)節(jié)，為后續(xù)制造更高發(fā)電效率的光伏組件提供有力保障。隨著市場(chǎng)對(duì)硅片品質(zhì)的要求不斷提高，硅片生產(chǎn)過(guò)程中的檢測(cè)維度需更加精細(xì)，涵蓋外觀缺陷、尺寸、數(shù)量、平整度、距離和定位
2024-02-23 08:23:46126 
? ? 貼片晶振和插件晶振各有優(yōu)劣勢(shì)。貼片晶振因其小巧輕便、易于集成，逐漸取代插件晶振在一些應(yīng)用中。然而，插件晶振在一些特定場(chǎng)景仍具有優(yōu)勢(shì)，例如更容易進(jìn)行維修和替換。 ? ? 插件晶振的一些劣勢(shì)包括
2024-02-20 12:53:23150 
根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
貼片晶振和直插晶振區(qū)別大不大？ 貼片晶振和直插晶振是兩種常見(jiàn)的晶振組件，它們?cè)谕庑?、安裝方式、應(yīng)用范圍等方面有著一些區(qū)別。在下文中，我將詳細(xì)解釋這兩種晶振的差異。 首先，我們來(lái)看一下貼片晶振。貼片晶
2024-01-24 14:04:17154 逆變器如何匹配182/210硅片尺寸的超高功率組件呢？ 匹配逆變器與182/210硅片尺寸的超高功率組件是光伏發(fā)電系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。逆變器是將光伏組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子設(shè)備
2024-01-23 15:28:51196 TST嘉碩貼片晶振對(duì)路由器的應(yīng)用和作用
2024-01-22 15:31:26194 電阻和電容按連接方式可以串聯(lián)和并聯(lián)，按在電路中的連接可以分為串聯(lián)在運(yùn)放輸出到下級(jí)輸入，也可以在運(yùn)放輸出之間并聯(lián)在輸入和地之間，這樣一來(lái)，阻容結(jié)構(gòu)在電路便有四種應(yīng)用。
1.串的阻容又串在運(yùn)放輸出到下級(jí)
2024-01-17 23:43:57
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的基本要求，其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得，其表面的多層晶格處于被破壞的狀態(tài)，布滿了不飽和的懸掛鍵，而懸掛鍵的活性
2024-01-11 11:29:04348 
貼片晶振是一種常見(jiàn)的被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的元器件。在實(shí)際應(yīng)用中，正確安裝貼片晶振的方向非常重要，因?yàn)殄e(cuò)誤的安裝方向可能導(dǎo)致電路無(wú)法正常工作。本文將詳細(xì)介紹貼片晶振的方向區(qū)分方法，為讀者提供一個(gè)清晰
2024-01-05 17:53:58684 過(guò)程中起著重要的作用。這種制造過(guò)程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實(shí)現(xiàn)精確的圖案轉(zhuǎn)移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對(duì)SiGe選擇性的RIE技術(shù)尚未被發(fā)現(xiàn)。幸運(yùn)的是
2023-12-28 10:39:51131 
這次晨控智能與某光伏大廠合作，為光伏硅片生產(chǎn)帶來(lái)透明化與可追溯性，確保光伏硅片的質(zhì)量和追溯性。
2023-12-26 13:59:37161 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199 在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃彀雽?dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨?，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開(kāi)關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46286 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39259 
-20℃標(biāo)貼恒溫恒濕試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 本機(jī)提供高溫高濕的環(huán)境，以比較橡膠、塑料測(cè)試前后的材質(zhì)變化及減衰程度；本機(jī)亦可模擬貨柜環(huán)境，以檢測(cè)橡膠、塑料在高溫高濕下，褪色、收縮的情形，本機(jī)專門(mén)
2023-12-01 14:34:52
-40℃標(biāo)簽恒溫恒濕試驗(yàn)箱又名恒溫恒濕試驗(yàn)箱。試驗(yàn)箱的價(jià)格對(duì)于廣大用戶朋友來(lái)說(shuō)都是一個(gè)備受關(guān)注的問(wèn)題，那么，到底一臺(tái)試驗(yàn)箱多少錢(qián)呢？歡迎來(lái)電艾思荔根據(jù)不同的規(guī)格型號(hào)及技術(shù)要求向您提供實(shí)在的報(bào)價(jià)方案
2023-11-30 14:22:34
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
產(chǎn)品詳情 PTT-03A硅片厚度測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介PTT-03A薄膜厚度測(cè)試儀是一款高精度接觸式薄膜、薄片厚度測(cè)量?jī)x器；適用于金屬片、塑料薄膜、薄片、紙張、 橡膠、電池隔膜、箔片、無(wú)紡布
2023-11-27 14:51:47
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
如何區(qū)分貼片晶振的腳位方向？ 貼片晶振是電子設(shè)備中常用的一種元件，它具有小巧、方便焊接等特點(diǎn)，用途廣泛。在使用貼片晶振的過(guò)程中，我們通常需要注意其腳位方向，以確保正確安裝和連接。 下面我將為您詳細(xì)
2023-11-22 16:43:04799 如何看貼片晶振腳位？不同腳位的貼片晶振有什么區(qū)別？ 標(biāo)題：貼片晶振腳位解析：理解各腳位的區(qū)別及其功能 引言： 貼片晶振廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，作為時(shí)鐘信號(hào)源，為電路的正常運(yùn)行提供節(jié)拍。然而，對(duì)于
2023-11-22 16:43:01764 蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂(lè)觀的話來(lái)說(shuō)，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題，后面的章節(jié)將專門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10217 自動(dòng)蝕刻機(jī)是利用電解作用或化學(xué)反應(yīng)對(duì)金屬板進(jìn)行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動(dòng)化設(shè)備，廣泛應(yīng)用于芯片、數(shù)碼、航空、機(jī)械、標(biāo)牌等領(lǐng)域中。現(xiàn)有一家蝕刻機(jī)設(shè)備制造商，要求對(duì)全國(guó)各地的蝕刻機(jī)設(shè)
2023-11-08 13:59:52146 
硅片是大多數(shù)芯片的載體。但是一塊硅片中卻隱藏了很多不為人知的細(xì)節(jié)，比如：硅片有哪幾種晶向？有幾種定位邊？定位邊是如何定位的？定位邊與定位槽有什么區(qū)別？等等。今天就來(lái)詳細(xì)講解一下。
2023-10-29 10:33:303773 
一、太陽(yáng)能電池硅片測(cè)厚儀概述太陽(yáng)能電池硅片測(cè)厚儀是一種專門(mén)用于測(cè)量太陽(yáng)能電池硅片厚度的設(shè)備。在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中，硅片厚度的準(zhǔn)確測(cè)量對(duì)于提高電池效率和使用壽命具有重要意義。機(jī)械接觸式太陽(yáng)能電池
2023-10-27 16:19:11
在精細(xì)印制電路制作過(guò)程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一?，F(xiàn)有很多的文章對(duì)精細(xì)線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒(méi)有從本質(zhì)上認(rèn)識(shí)噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問(wèn)題。
2023-10-17 15:15:35164 
移動(dòng)式恒溫恒濕試驗(yàn)箱商品名稱：商品規(guī)格：TH系列商品簡(jiǎn)述：移動(dòng)式恒溫恒濕試驗(yàn)箱現(xiàn)貨急售，價(jià)格便宜，質(zhì)量保證，全新機(jī)型內(nèi)尺寸：寬1米+高1.6米*深1米；溫度范圍：-40~150度，如需咨詢敬請(qǐng)隨時(shí)
2023-10-17 11:15:20
硅片視覺(jué)檢測(cè)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中具有重要地位，它對(duì)于確保硅片質(zhì)量的高標(biāo)準(zhǔn)起著關(guān)鍵作用。在過(guò)去的發(fā)展歷程中，從傳統(tǒng)的EL檢測(cè)到PL檢測(cè)的替代，再到PL檢測(cè)方案的引入，硅片視覺(jué)檢測(cè)的技術(shù)不斷進(jìn)步與演變
2023-10-17 10:57:42
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開(kāi)發(fā)一開(kāi)始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
紙巾紙濕抗張強(qiáng)度測(cè)試儀 是測(cè)定紙和紙板及其它類似的薄頁(yè)材料的抗張強(qiáng)度，斷裂伸長(zhǎng)和抗張能量吸收的抗張強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)。適用于紙張、衛(wèi)生紙、紙巾紙等進(jìn)行濕張抗張強(qiáng)度、抗張強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)、抗張能量吸收
2023-09-22 17:12:26
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過(guò)使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過(guò)鑲嵌流用Cu填充溝槽來(lái)完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
PP材料恒溫恒濕試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 本機(jī)提供高溫高濕的環(huán)境，以比較橡膠、塑料測(cè)試前后的材質(zhì)變化及減衰程度；本機(jī)亦可模擬貨柜環(huán)境，以檢測(cè)橡膠、塑料在高溫高濕下，褪色、收縮的情形，本機(jī)專門(mén)試驗(yàn)
2023-09-01 14:24:32
PE膜恒溫恒濕試驗(yàn)箱用途：PE膜恒溫恒濕試驗(yàn)箱壹叁伍叁捌肆陸玖零柒陸應(yīng)用于LED、航空、航天、電子儀器儀表、電工產(chǎn)品、材料、零部件、設(shè)備等作高低溫漸變?cè)囼?yàn)、高溫高濕試驗(yàn)、低溫低濕試驗(yàn)、恒溫恒濕試驗(yàn)
2023-08-30 14:29:31
我們?nèi)A林科納通過(guò)光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
-70℃可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱用途：-70℃可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱又名環(huán)境試驗(yàn)機(jī)，可以準(zhǔn)確地模擬低溫、高溫、高溫高濕、低溫低濕等復(fù)雜的自然狀環(huán)境，適用于電子、電器、電池、塑膠、食品、紙品、車輛、金屬
2023-08-21 15:13:32
-60℃可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱 壹叁伍 叁捌肆陸 玖零柒陸 又叫恒溫恒濕箱，主要是針對(duì)電子，電池，LED,化工，塑膠等產(chǎn)品，進(jìn)行溫濕度測(cè)試的試驗(yàn)儀器。-60℃可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱
2023-08-18 13:47:48
塑膠電子產(chǎn)品恒溫恒濕試驗(yàn)箱壹叁伍叁捌肆陸玖零柒陸高質(zhì)感外觀，機(jī)體采圓弧造型，表面經(jīng)霧面條紋處理，并采用平面無(wú)反作用把手，操作容易，可靠。壓縮機(jī)循環(huán)系統(tǒng)采用法國(guó)“泰康”牌，更能有效去除冷凝管與毛細(xì)管間
2023-08-17 16:08:14
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 本文回顧了硅片視覺(jué)檢測(cè)從EL檢測(cè)向PL檢測(cè)的技術(shù)轉(zhuǎn)變，詳細(xì)介紹了兩款革命性光源的崛起，包括1050nm紅外光源和低成本PL光源。這兩款光源以其低成本和高效率的優(yōu)點(diǎn)，改變了硅片檢測(cè)的格局，帶來(lái)了全新的發(fā)展機(jī)遇。
2023-08-07 14:35:26445 刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼，常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結(jié)晶硅的薄片。
2023-07-18 15:44:513716 
PID箱恒溫恒濕試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 本機(jī)提供高溫高濕的環(huán)境，以比較橡膠、塑料測(cè)試前后的材質(zhì)變化及減衰程度；本機(jī)亦可模擬貨柜環(huán)境，以檢測(cè)橡膠、塑料在高溫高濕下，褪色、收縮的情形，本機(jī)專門(mén)試驗(yàn)
2023-07-17 11:37:20
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
從市場(chǎng)形勢(shì)來(lái)看，“硅片雙寡頭”紛紛大舉調(diào)降硅片報(bào)價(jià)，也在業(yè)界意料之中。畢竟，上游多晶硅價(jià)格在5-6月份再次出現(xiàn)大幅下跌，僅6月份的跌幅就超過(guò)40%。光伏產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品價(jià)格全線下滑，硅片實(shí)際上成交均價(jià)也低于公示的報(bào)價(jià)。因此，下調(diào)報(bào)價(jià)也是情理之中的事情。
2023-07-13 16:15:55315 
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
微流控平臺(tái)利用流體在微尺度上的獨(dú)特特性來(lái)操縱和分析少量生物樣品。微流控平臺(tái)通常由蝕刻在襯底（例如硅、玻璃或聚合物）上的微通道、腔室和閥門(mén)組成，并且該平臺(tái)還可以被設(shè)計(jì)用于執(zhí)行廣泛的實(shí)驗(yàn)室操作，包括細(xì)胞培養(yǎng)、分離和檢測(cè)。
2023-07-03 11:20:30354 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053 
太陽(yáng)能硅片又稱為“太陽(yáng)能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。
硅片就是大塊兒硅切割成片子太陽(yáng)能電池片，一般主流的就是硅片做成晶硅太陽(yáng)能電池片，一般有N型硅片P型硅片。太陽(yáng)能硅片中的N型和P型有以下區(qū)別：
2023-06-20 16:59:448127 上海伯東美國(guó)?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
貼片晶振和直插晶振都是現(xiàn)代電子技術(shù)中常用的電子元件。它們都是晶體振蕩器的一種。晶體振蕩器是用于產(chǎn)生高穩(wěn)定頻率的元件，它們被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備、工控設(shè)備等領(lǐng)域。貼片晶振和直插晶振的封裝方式不同，具有不同的優(yōu)缺點(diǎn)，下面將對(duì)它們進(jìn)行詳細(xì)的比較。
2023-06-02 10:06:341459 根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，晶振通常有貼片和直插兩類封裝形式。但是，對(duì)于常規(guī)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，貼片晶振和直插晶振的選擇會(huì)有爭(zhēng)議。JSK晶鴻興將為大家詳細(xì)講解兩種晶振封裝形式的優(yōu)缺點(diǎn)，幫助您了解貼片晶振和直插晶振哪個(gè)
2023-06-01 14:31:281633 
電子連接器恒溫恒濕試驗(yàn)箱適用于電工、電子產(chǎn)品、電子元器件、電阻、電容器、電路板、電器、塑膠、塑料、涂料、航空航天產(chǎn)品、化工、油漆、建材、五金等。電子連接器恒溫恒濕試驗(yàn)箱的使用：電子連接器恒溫恒濕
2023-06-01 09:53:03
一片晶圓可以產(chǎn)出多少芯片？第97期芯片的制造過(guò)程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過(guò)程，在空白的硅片完成電路加工，出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測(cè)試過(guò)程，在封測(cè)廠中將
2023-05-30 17:15:033725 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)濕化學(xué)蝕刻硅襯底來(lái)制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
芯片的制造過(guò)程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過(guò)程，在空白的硅片完成電路加工，出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測(cè)試過(guò)程，在封測(cè)廠中將圓形的硅片切割成單獨(dú)的晶粒，完成外殼的封裝，最后完成終端測(cè)試，出廠為芯片成品。
2023-05-23 15:11:384808 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 硅片是一種薄而平整的硅材料，通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。
2023-05-18 10:33:472135 
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過(guò)程中，由于金剛石線和硅片的反復(fù)摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38489 
硅片切割作為硅片加工工藝過(guò)程中最關(guān)鍵的工藝點(diǎn)， 其加工質(zhì)量直接影響整個(gè)生產(chǎn)全局及后續(xù)電池片工藝制備。 圖1-硅片切割示意圖 圖2-硅片樣品圖 目前各類硅片平均厚度為 75μm~140
2023-05-11 18:58:02864 
大家好，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電路中，C7,C8的作用是什么，C6的作用又是什么？L1，L2的作用是什么？大佬普及一下，多謝。
2023-05-01 20:51:14
光管中的電容為什么起到斷路的作用？電容不是通交阻直的嗎？
2023-04-21 16:44:37
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 NMP系列數(shù)字氣壓傳感器，基于MEMS技術(shù)，通過(guò)蝕刻在硅片上的高精密半導(dǎo)體電阻組成惠斯通電橋以作為機(jī)電變換測(cè)量電路，可用于微小壓力檢測(cè)。
2023-04-11 15:02:32411 PCB干膜和濕膜具體指什么？?jī)烧咧g的區(qū)別在哪里？與正片和負(fù)片有什么關(guān)系？
2023-04-06 15:58:39
PCB制作中干膜和濕膜可能會(huì)帶來(lái)哪些品質(zhì)不良的問(wèn)題？以及問(wèn)題如何解決呢？
2023-04-06 15:51:01
清洗過(guò)程在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒、無(wú)金屬雜質(zhì)、無(wú)有機(jī)、無(wú)水分、無(wú)天然氧化物、無(wú)表面微粗糙度、無(wú)充電、無(wú)氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251 
調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗(yàn)箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測(cè)試設(shè)備，用于測(cè)試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗(yàn)
2023-03-28 09:02:36
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
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