BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個(gè)芯片上的高級(jí)制造工藝。

等公司是這一歷史階段的先驅(qū)?，F(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實(shí)施和工藝技術(shù)。在這個(gè)階段，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計(jì)限制，出現(xiàn)了一個(gè)更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計(jì)和構(gòu)建定制

半導(dǎo)體工藝主要是應(yīng)用微細(xì)加工技術(shù)、膜技術(shù)，把芯片及其他要素在各個(gè)區(qū)域中充分連接，如：基板、框架等區(qū)域中，有利于引出接線端子，通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)后灌封固定，使其形成一個(gè)整體，以立體結(jié)構(gòu)方式呈現(xiàn)，最終形成半導(dǎo)體封裝工藝。

共讀好書(shū) 張?chǎng)?苑明星 楊小渝 （重慶市聲光電有限公司） 摘 要： 對(duì)半導(dǎo)體封裝工藝的研究，先探析半導(dǎo)體工藝概述，能對(duì)其工作原理有一定的了解與掌握；再考慮半導(dǎo)體封裝工藝流程，目的是在作業(yè)階段嚴(yán)謹(jǐn)

晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響，最常見(jiàn)的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機(jī)臺(tái)或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類。

圖1顯示了半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)工藝的各項(xiàng)工作內(nèi)容。首先，封裝設(shè)計(jì)需要芯片設(shè)計(jì)部門(mén)提供關(guān)鍵信息，包括芯片焊盤(pán)（Chip Pad）坐標(biāo)、芯片布局和封裝互連數(shù)據(jù)。

作為一家專注于半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，邑文科技創(chuàng)立于2011年，其核心業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的各項(xiàng)研究與生產(chǎn)。重點(diǎn)作品包括用于半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)（IC和OSD）前端制作過(guò)程中的各類設(shè)備，特別是在化合物半導(dǎo)體及MEMS等特定工藝領(lǐng)域有深厚造詣。

在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽(tīng)到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。

在本文中，我們將重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝（WLP）。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝，包括：光刻（Photolithography）工藝、濺射（Sputtering）工藝

使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門(mén)軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕

半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過(guò)測(cè)試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個(gè)芯片必須通過(guò)的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受元件影響。

半導(dǎo)體工藝的歷史可以追溯到20世紀(jì)40年代末至50年代初，當(dāng)時(shí)的科學(xué)家們開(kāi)始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導(dǎo)體材料來(lái)制造晶體管。1947年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明

半導(dǎo)體工藝是當(dāng)今世界中不可或缺的一項(xiàng)技術(shù)，它影響著我們生活的各個(gè)方面。它的重要性源于其能夠制造出微小而精密的電子器件，這些器件能夠在電子級(jí)別控制電流和信息流動(dòng)。這種控制能力使得我們可以創(chuàng)造出計(jì)算速度極快的處理器、儲(chǔ)存大量數(shù)據(jù)的芯片、實(shí)現(xiàn)高速通信的設(shè)備，甚至是探索未知領(lǐng)域的科學(xué)工具。

根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線

智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷(xiāo)售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。

研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對(duì)其進(jìn)行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。

選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進(jìn)制造工藝。

據(jù)悉，潤(rùn)鵬半導(dǎo)體是華潤(rùn)微電子與深圳市合力推出的精于半導(dǎo)體特色工藝的12英寸晶圓制造項(xiàng)目。主要研發(fā)方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工藝

該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。

W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。

薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個(gè)方向。 PVD主要用來(lái)沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。

在郵寄易碎物品時(shí)，使用合適的包裝材料尤為重要，因?yàn)樗_保包裹能夠完好無(wú)損地到達(dá)目的地。泡沫塑料、氣泡膜和堅(jiān)固的盒子都可以有效地保護(hù)包裹內(nèi)的物品。同樣地，封裝是半導(dǎo)體制造工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，可以保護(hù)芯片

[半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計(jì)算機(jī)、晶體管的問(wèn)世與半導(dǎo)體

[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化

[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

半導(dǎo)體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵

半導(dǎo)體前端工藝：第六篇（完結(jié)篇）：金屬布線 —— 為半導(dǎo)體注入生命的連接

濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。

【半導(dǎo)體后端工藝：】第一篇了解半導(dǎo)體測(cè)試

但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。

重要的角色。 在半導(dǎo)體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲(chǔ)存和排放各種化學(xué)液體。這些化學(xué)液體可能是用于清洗半導(dǎo)體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導(dǎo)體表面的各種薄膜和污垢。在這個(gè)過(guò)程中，PFA管需要承受各種化學(xué)物質(zhì)的侵

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展一直都是電子行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的重要驅(qū)動(dòng)力。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也經(jīng)歷了從基礎(chǔ)的封裝到高密度、高性能的封裝的演變。本文將介紹半導(dǎo)體封裝工藝的四個(gè)等級(jí)，以助讀者更好地理解這一關(guān)鍵技術(shù)。

在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。

在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。

半導(dǎo)體劃片工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的重要步驟之一，主要用于將大尺寸的晶圓切割成小片，以便進(jìn)行后續(xù)的制造和封裝過(guò)程。以下是一些半導(dǎo)體劃片工藝的應(yīng)用：晶圓劃片：在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，需要將大尺寸的晶圓切割成

意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率

近年來(lái)，半導(dǎo)體封裝變得越發(fā)復(fù)雜，更加強(qiáng)調(diào)設(shè)計(jì)的重要性。半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)工藝需要各類工程師和業(yè)內(nèi)人士的共同參與，以共享材料信息、開(kāi)展可行性測(cè)試、并優(yōu)化封裝特性。

濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。

濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來(lái)顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。

雙色紅外探測(cè)器具有抗干擾能力強(qiáng)、探測(cè)波段范圍廣、目標(biāo)特征信息豐富等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于導(dǎo)彈預(yù)警、氣象服務(wù)、精確制導(dǎo)、光電對(duì)抗和遙感衛(wèi)星等領(lǐng)域。雙色紅外探測(cè)技術(shù)可降低虛警率，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜背景下的目標(biāo)識(shí)別，從而顯著提高系統(tǒng)性能。碲鎘汞材料、量子阱材料和銻化物Ⅱ類超晶格材料均可用于制備雙色紅外探測(cè)器。其中，InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料因其帶隙靈活可調(diào)、電子有效質(zhì)量更大、大面積均勻性高等特點(diǎn)以及成本優(yōu)勢(shì)，成為制備雙色

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 綠色目標(biāo)。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經(jīng)驗(yàn)，Siconnex已成長(zhǎng)為可持續(xù)濕法工藝設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商?？沙掷m(xù)發(fā)展和環(huán)境健康是我們的基因

PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。

在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？

在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來(lái)講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。

電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1（如半導(dǎo)體）和無(wú)源元件2（如電阻器和電容器3）。因此，電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣，可分為0級(jí)封裝到3級(jí)封裝等四個(gè)不同等級(jí)。圖1展示了半導(dǎo)體封裝工藝的整個(gè)流程。

隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來(lái)越高。

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在半導(dǎo)體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接決定了晶圓廠所能實(shí)現(xiàn)的最高工藝節(jié)點(diǎn)，所用產(chǎn)品

刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼，常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。

半導(dǎo)體激光焊接機(jī)通過(guò)光纖輸出焊接，實(shí)現(xiàn)非接觸遠(yuǎn)距離操作，方便與自動(dòng)化生產(chǎn)線集成；激光器有電流反饋閉環(huán)控制，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)節(jié)輸出激光，保證輸出激光的穩(wěn)定；光束能量分布均勻，光斑較大，焊接金屬時(shí)，焊縫表面光滑美觀。下面來(lái)看看半導(dǎo)體激光焊接技術(shù)的工藝應(yīng)用。

半導(dǎo)體制作工藝可分為前端和后端：前端主要是晶圓制作和光刻（在晶圓上繪制電路）；后端主要是芯片的封裝。

“晶片切割（Die Sawing）”。近來(lái)，隨著半導(dǎo)體集成度的提高，晶圓厚度變得越來(lái)越薄，這當(dāng)然給“切單”工藝也帶來(lái)了不少難度。

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體

半導(dǎo)體后封裝工藝及設(shè)備介紹

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。

半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過(guò)，而絕緣體則不允許電流通過(guò)。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在

和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過(guò)程中也會(huì)通過(guò)控制溫度、壓力等不同條件來(lái)把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子

在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？

在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。

InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性，導(dǎo)致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險(xiǎn)；同時(shí)，InP 基化合物半導(dǎo)體光電子器件芯片大部分采用雙面工藝，在晶圓的雙面進(jìn)行半導(dǎo)體工藝。

當(dāng)我們購(gòu)買(mǎi)電子產(chǎn)品時(shí)，比如手機(jī)、電視或計(jì)算機(jī)，這些設(shè)備內(nèi)部都有一個(gè)重要的組成部分，那就是半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片是由許多微小的電子元件組成的，為了保護(hù)和使用這些芯片，它們需要經(jīng)過(guò)一個(gè)被稱為封裝的工藝流程。下面是半導(dǎo)體芯片封裝的通俗易懂的工藝流程。

“封裝工藝(Encapsulation Process)”用于進(jìn)行包裝密封，是指用某種材料包裹半導(dǎo)體芯片以保護(hù)其免受外部環(huán)境影響，這一步驟同時(shí)也是為保護(hù)物件所具有的“輕、薄、短、小”特征而設(shè)計(jì)。封裝工藝

Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過(guò)程是絕對(duì)

在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。

物的裝置，是半導(dǎo)體后道封測(cè)中晶圓切割和WLP切割環(huán)節(jié)的關(guān)鍵設(shè)備。劃片工藝有兩種主要方法：劃片分離和鋸片分離。劃片分離使用刀片對(duì)晶圓進(jìn)行切割，而鋸片分離則使用鋸片對(duì)晶圓

光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。

在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。

晶圓切割是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。提升晶圓工藝制程需要綜合考慮多個(gè)方面，包括切割效率、切割質(zhì)量、設(shè)備性能等。針對(duì)這些問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體劃片機(jī)解決方案可以提供一些幫助。首先，在切割效率方面，國(guó)產(chǎn)

硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH

詳解半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝

集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長(zhǎng)（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。

半導(dǎo)體芯片的封裝與測(cè)試是整個(gè)芯片生產(chǎn)過(guò)程中非常重要的環(huán)節(jié)，它涉及到多種工藝流程。

器件銷(xiāo)售 2,772.30 億元，2020 年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售 2,966.30 億元，預(yù)計(jì) 2023 年分立器件銷(xiāo)售將達(dá)到 4,428 億元。 分立器件部分細(xì)分市場(chǎng)情況之場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)情況

通過(guò)濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見(jiàn)的制備異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過(guò)程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。

摘 要：針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。

半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來(lái)，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時(shí)，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。

經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過(guò)程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。

半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)

書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：?jiǎn)尉У?b class="flag-6" style="color: red">濕法蝕刻和紅外吸收 編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷

PCB制程中的COB工藝是什么呢？

等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來(lái)更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統(tǒng)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，可以為客戶節(jié)省大量費(fèi)用，有可能

【摘要】 在半導(dǎo)體濕法工藝中，后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對(duì)比研究，論述不同藥液與機(jī)臺(tái)的清洗原理，清洗特點(diǎn)與清洗局限性?！娟P(guān)鍵詞

書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號(hào)：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計(jì)規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化物

書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V的光子學(xué)特性 編號(hào)：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建

作者： Coventor（泛林集團(tuán)旗下公司）半導(dǎo)體工藝與整合(SPI)高級(jí)工程師王青鵬博士 摘要：虛擬DOE能夠降低硅晶圓測(cè)試成本，并成功降低DED鎢填充工藝中的空隙體積 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。

，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，DOE（或?qū)嶒?yàn)）空間通常并未得到充分探索。相反，人們經(jīng)常使用非常傳統(tǒng)的試錯(cuò)方案來(lái)挖掘有限的實(shí)驗(yàn)空間。這是因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體制造工藝中存在著太多變量，如果要充分探索所有變量的可能情況

金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。

DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。

半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非常活潑的氣體的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見(jiàn)的做法。相比之下，對(duì)于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。

針對(duì)半導(dǎo)體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進(jìn)器和掩膜版設(shè)備，更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體質(zhì)量控制。