MOS管瞬態(tài)熱阻測試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
模式和數(shù)據(jù)線配置來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和控制信號的傳輸。下面連欣帶大家了解下； 引腳1（CD DAT3 I/O/PP）：卡監(jiān)測數(shù)據(jù)位3。在SD模式下，這個引腳用于傳輸數(shù)據(jù)位3。當(dāng)SD卡插入卡座時，這個引腳會與卡的相應(yīng)引腳接觸，從而啟動卡座中的數(shù)據(jù)傳輸機(jī)制。
2024-02-27 15:33:54
288 
來推導(dǎo)電壓值，這是否可行呢？本文將詳細(xì)分析二瓦特表法的原理、理論和實(shí)踐，以及可能的應(yīng)用和限制。 一、二瓦特表法的原理和理論分析 1.1 二瓦特表法的基本原理 二瓦特表法是一種基于功率測量的電壓推測方法。其基本原理是通過
2024-02-27 09:52:52153 MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2024-02-26 11:40:04760 
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2024-02-25 16:16:35487 
電壓或輸出電流的調(diào)節(jié)。一般是通過控制MOS管的導(dǎo)通時間和截止時間來實(shí)現(xiàn)不同的占空比，從而改變輸出電壓的平均值或輸出電流的平均值。
MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域
DCDC應(yīng)用領(lǐng)域中，分為恒流和恒壓兩種模式。
恒壓
2024-01-20 15:30:35
，干式空心串聯(lián)電抗器在使用過程中可能會發(fā)生損壞。因此，本文將詳細(xì)分析干式空心串聯(lián)電抗器損壞的原因，并探討可能的解決辦法。 首先，干式空心串聯(lián)電抗器的損壞可以是由于過電壓引起的。當(dāng)電力系統(tǒng)發(fā)生電壓突變、閃變以及諧波擾
2024-01-17 14:54:50135 2023年12月底，由國家發(fā)展改革委、國家數(shù)據(jù)局、中央網(wǎng)信辦、工業(yè)和信息化部、國家能源局五部門聯(lián)合印發(fā)的《關(guān)于深入實(shí)施“東數(shù)西算”工程 加快構(gòu)建全國一體化算力網(wǎng)的實(shí)施意見》正式公布。
2024-01-16 10:41:21212 
大功率電源帶小功率設(shè)備是否會產(chǎn)生影響是一個值得考慮和探討的問題。在本文中，將從電源帶來的電壓波動、能源浪費(fèi)、設(shè)備性能影響等方面進(jìn)行詳細(xì)分析。 首先，大功率電源供應(yīng)小功率設(shè)備時，電壓波動是一個需要關(guān)注
2024-01-11 11:12:23448 您好！
我請教一個關(guān)于LT8705死區(qū)時間的問題：客戶在使用LT8705過程中想確認(rèn)上下功率MOS管的死區(qū)時間最小是多少？目前客戶測試結(jié)果只有30ns左右。而根據(jù)MOS的上升沿和下降沿從20ns到40ns不等，有直通的風(fēng)險(xiǎn)，請問LT8705是怎么調(diào)節(jié)死區(qū)時間防止直通的？謝謝??！
2024-01-03 06:23:18
Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，MOS管可能會因?yàn)楦鞣N原因而損壞。本文將對MOS管損壞的原因進(jìn)行分析
2023-12-28 16:09:38414 
Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要了解MOS管的型號和功率參數(shù)，以便選擇合適的MOS管。本文將介紹如何查看
2023-12-28 16:01:421920 管和p溝道MOS管進(jìn)行詳細(xì)介紹。 一、n溝道MOS管 結(jié)構(gòu) n溝道MOS管（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的結(jié)構(gòu)
2023-12-28 15:28:282843 
智能駕駛芯片排名并不簡單只看AI算力，CPU、存儲帶寬、功耗和AI算力數(shù)值一樣重要，這個下文會詳細(xì)分析。
2023-12-28 10:29:21664 
，從而找出電機(jī)頻繁損壞的真正原因：勵磁系統(tǒng)設(shè)計(jì)不合理。
2、電機(jī)質(zhì)量分析：
電機(jī)的正常使用壽命一般應(yīng)在20年左右。統(tǒng)計(jì)我公司所損壞的同步電動機(jī)，運(yùn)行壽命大多在10年以下，尤其是這臺7#同步電動機(jī)大修
2023-12-19 06:39:34
屏蔽式貼片功率電感是電子電路中非常重要的一種電子元器件，它對于設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行有直接的影響的。如果在設(shè)備的日常運(yùn)作中出現(xiàn)損壞，對屏蔽式貼片功率電感有哪些影響呢？今天我們就來大致討論一下屏蔽式貼片功率電感損壞的一些影響。
2023-12-15 09:06:08161 Transistor）是兩種常見的功率開關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
2023-12-07 17:19:38785 詳解時域瞬態(tài)分析技術(shù)
2023-12-07 14:45:01216 
工作頻率8Khz，調(diào)節(jié)占空比控制mos管輸出電壓，R10位置接風(fēng)機(jī)
。RC運(yùn)放濾波得到電壓U1，之后運(yùn)放是如何反饋控制mos管調(diào)節(jié)U2？
2023-12-06 18:19:11
本文將詳細(xì)分析國產(chǎn)光耦的發(fā)展趨勢，探討其未來發(fā)展的關(guān)鍵因素與前景。
2023-12-06 11:01:51237 
本文將詳細(xì)分析國產(chǎn)固態(tài)光耦的優(yōu)勢和其在產(chǎn)品工程中的重要作用。
2023-11-30 11:30:01201 一文詳解pcb不良分析
2023-11-29 17:12:17374 Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。
場效應(yīng)管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場效應(yīng)管。（溝道
2023-11-28 15:53:49
損壞的器件不要丟，要做失效分析！
2023-11-23 09:04:42181 
請問：CMOS管的功耗與MOS管的導(dǎo)電溝道的關(guān)系？
2023-11-20 07:01:20
從接觸單片機(jī)開始，我們就知道有一個叫KEIL的軟件。
2023-11-15 15:44:30376 這個MOS管在這里的作用是什么？是不是剛上電，MOS管是導(dǎo)通的，C115和R255是充電嘛？到上電穩(wěn)壓后MOS就不導(dǎo)通了嘛？
2023-11-11 11:32:45
。初始分析是對的，即保險(xiǎn)一再熔斷，驅(qū)動器肯定存在某一不正常的大電流，并檢查出一功率管損壞。但對該管的作用沒有弄清楚。實(shí)際上該管為步進(jìn)電機(jī)電源驅(qū)動管，步進(jìn)電機(jī)為高壓起動，因而要承受高壓大電流。靜態(tài)檢查
2023-11-09 07:50:35
光電耦合器是一種重要的電子元件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和多項(xiàng)優(yōu)勢。本文將詳細(xì)分析光電耦合器的工作原理以及其在現(xiàn)代科技中的應(yīng)用，并探索其潛力和未來發(fā)展方向。
2023-11-04 17:58:092034 高速光耦作為一種關(guān)鍵的電子元件，具有廣泛的應(yīng)用范圍和諸多優(yōu)勢。本文將探討高速光耦的應(yīng)用優(yōu)勢，并詳細(xì)分析其在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中的重要性和潛力。
2023-11-04 17:47:551381 文章目錄
FAT32文件系統(tǒng)詳細(xì)分析 （續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）
前言
格式化SD nand/SD卡
FAT32文件系統(tǒng)分析
3.1 保留區(qū)分析
3.1.1 BPB(BIOS Parameter
2023-11-03 17:55:26
這一篇，總結(jié)一下level shifter的晶體管級工作原理，就從最傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)講起，詳細(xì)分析這個level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的。
2023-11-03 16:36:12888 
華科版《電機(jī)學(xué)》第三版第四章中直接指出，繞組電動勢、磁動勢具有相似性，但并未進(jìn)行詳細(xì)分析。本文對該點(diǎn)進(jìn)行深入分析，闡明兩者的一致性。
2023-11-01 16:34:50510 
電流，這些泄漏電流會影響到晶體管的性能和穩(wěn)定性。本文將對MOS晶體管中各種類型的泄漏電流進(jìn)行詳細(xì)分析和討論，以便更好地了解它們的產(chǎn)生原因及其對晶體管性能的影響。 1. 付加電流 付加電流是指在MOS晶體管的正常工作條件下，電網(wǎng)極板上
2023-10-31 09:41:29697 管為什么會燒呢？本文將從電路設(shè)計(jì)、應(yīng)用環(huán)境、管子自身三個方面進(jìn)行詳細(xì)解析和分析。 一、電路設(shè)計(jì)方面的問題 1、電流過大 功率MOS管的特點(diǎn)之一就是帶有大電流，但過大的電流可能會導(dǎo)致管子過熱而燒毀。因此，電路設(shè)計(jì)中需要嚴(yán)格控制電流值，選擇合適的電
2023-10-29 16:23:501018 文章目錄FAT32文件系統(tǒng)詳細(xì)分析（續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）1.前言2.格式化SDnand/SD卡3.FAT32文件系統(tǒng)分析3.1保留區(qū)分析3.1.1BPB(BIOSParameterBlock
2023-10-18 17:12:34726 
文章目錄
FAT32文件系統(tǒng)詳細(xì)分析 （續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）
前言
格式化SD nand/SD卡
FAT32文件系統(tǒng)分析
3.1 保留區(qū)分析
3.1.1 BPB(BIOS Parameter
2023-10-18 16:58:34
本文將詳細(xì)分析降壓 DC/DC 電壓轉(zhuǎn)換器的工作原理。使用 SPICE 仿真，我們將研究輸出電壓穩(wěn)定、電壓紋波以及電感器和負(fù)載電流。
2023-10-18 09:07:08727 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《投影機(jī)燈泡損壞的原因分析.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-09 16:49:36
0 內(nèi)含參考答案以及詳細(xì)分析
2023-10-07 07:15:56
電子工程師需要掌握的20個模擬電路的詳細(xì)分析
2023-09-28 06:22:26
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是硬件工程師必須掌握的20個重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細(xì)分析
2023-09-27 08:22:32
詳細(xì)介紹了硬件工程師必須掌握的20個重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細(xì)分析
2023-09-27 06:01:17
MOS管驅(qū)動電路設(shè)計(jì)秘籍（工作原理+電路設(shè)計(jì)+問題總結(jié)）
2023-09-26 06:11:28
抗靜電為什么是三極管優(yōu)于MOS？那么三極管和MOS管抗靜電？接下來就跟著深圳比創(chuàng)達(dá)EMC小編一起來看下吧！
首先要了解電子元件的特性，三極管是電流驅(qū)動元件，MOS管是電壓驅(qū)動元件，為什么說MOS管用
2023-09-25 10:56:07
對噪聲進(jìn)行詳細(xì)分析，包括對其頻譜分布的估計(jì)。而功率譜密度，是一種廣泛采用的對信號和噪聲頻譜特性進(jìn)行量化的方法，應(yīng)用于信號處理、通信、噪聲控制等眾多領(lǐng)域。本文將介紹如何計(jì)算噪聲的功率譜密度。 一、什么是功率譜密度
2023-09-19 16:49:563835
各位大佬幫忙分析下這個電路；
1.芯片端VN與VP同為高時，各個三極管導(dǎo)通情況，著重分析下P2B與N2B的導(dǎo)通情況
2.芯片端VN與VP同為低時，各個三極管導(dǎo)通情況，著重分析下P2B與N2B的導(dǎo)通情況
，謝謝大家
2023-09-18 14:18:23
需要考慮的兩個主要因素。在本文中，我們將詳細(xì)探討如何選擇MOS管的尺寸大小和電壓。 一、MOS管尺寸大小選擇 1. 功率大小 MOS管的尺寸大小首先要和功率匹配。通常來說，功率越大的MOS管尺寸也就越大。在選取MOS管時，我們需要先確定需要控制的
2023-09-17 16:44:492458 是一個非常重要的指標(biāo)，因?yàn)樗苯佑绊懺O(shè)備的能效和穩(wěn)定性。因此，為了正確評估MOS管的功耗，需要了解哪些參數(shù)是關(guān)鍵的，并且需要對每個參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)的分析。 MOS管功耗的關(guān)鍵參數(shù)： 1. 靜態(tài)功耗：靜態(tài)功耗也稱為漏電流功耗。當(dāng)MOS管處于靜態(tài)狀態(tài)時，
2023-09-02 11:14:002082 ，對設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。本篇文章將從元器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、使用環(huán)境等方面，詳細(xì)分析元件損壞型故障的原因，希望對廣大電子工程師有所幫助。 1. 元件內(nèi)部結(jié)構(gòu)問題 元器件內(nèi)部由多個微小結(jié)構(gòu)構(gòu)成。這些微小結(jié)構(gòu)可以
2023-08-29 16:46:49753 軸承
損壞原因
分析 軸承是機(jī)械設(shè)備中的重要組成部分，其作用是通過滾動摩擦或滑動摩擦支持旋轉(zhuǎn)的機(jī)件。然而，在運(yùn)行過程中，軸承經(jīng)常會受到各種各樣的
損壞，給設(shè)備的正常使用帶來不便，甚至?xí)斐筛蟮钠茐?。本?/div>
2023-08-29 16:46:311701 濾波電容器、共模電感、磁珠在EMC設(shè)計(jì)電路中是常見的身影，也是消滅電磁干擾的三大利器。
2023-08-24 17:26:22237 人體刺激電源板功率MOS空載異常發(fā)熱
2023-07-31 11:27:29
，在一些過壓，過流和過載工況下，功率MOS很容易損壞，從而造成整個驅(qū)動板的失效，甚至存在起火的風(fēng)險(xiǎn)。本文提出兩個冗余驅(qū)動線路，可以有效避免MOS單點(diǎn)失效的負(fù)面影響。
2023-07-24 14:12:28533 
本篇來詳細(xì)分析下UVC的相機(jī)終端相關(guān)的內(nèi)容，同樣的我們理論結(jié)合實(shí)踐來進(jìn)行。
2023-07-13 09:46:291057 
本篇來詳細(xì)分析下UVC的處理單元相關(guān)的內(nèi)容，同樣的我們理論結(jié)合實(shí)踐來進(jìn)行。
2023-07-13 09:42:301022 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
。因此，對DC電源模塊的低溫試驗(yàn)檢測應(yīng)用較為廣泛。本文將從試驗(yàn)環(huán)境、測試設(shè)備、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)評估等方面對DC電源模塊低溫試驗(yàn)檢測進(jìn)行詳細(xì)分析。
2023-06-29 10:56:49340 mos管的驅(qū)動電流如何設(shè)計(jì)呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計(jì)驅(qū)動管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
先從理論上分析MOS管選型是否合理，從MOS管的規(guī)格書上獲取MOS管的參數(shù)，包括導(dǎo)通電阻、g、s極的導(dǎo)通電壓等。
在確保實(shí)際驅(qū)動電壓大于導(dǎo)通電壓的前提下，如果負(fù)載電流為I，那么MOS
2023-06-26 17:26:231579 
本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細(xì)分析了MOS管緩啟動電路的RC參數(shù)，通過分析和實(shí)際對電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
2023-06-26 10:24:101042 
*附件：power1.pdf
遇到一個電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動時Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過后級U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
電路圖如圖所示，示波器黃色通道1測試電容兩端電壓，藍(lán)色通道2測試Vds.使用的mos管型號為IRFZ34n,mos管總是在1伏時導(dǎo)通，使用了其他mos管也是同樣的情況，這1伏的電壓還沒有達(dá)到mos管的開啟電壓，為啥mos管就開啟了呢？
2023-05-18 22:59:00
PCBA端子引腳焊接發(fā)生異常，通過對PCBA基板和端子進(jìn)行一系列分析，定位到問題發(fā)生的原因在于共面性不良，且端子焊接引腳與錫膏接觸程度不足導(dǎo)致。詳細(xì)分析方案，請瀏覽文章獲知。
2023-05-17 13:58:46723 
MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以mos管可以稱為FET的高級形式。
2023-05-16 09:24:207677 
Cortex-M的內(nèi)核中包含Systick定時器了，只要是Cortex-M系列的MCU就會有Systick，因此這是通用的，下面詳細(xì)分析。
2023-05-15 15:01:381851 
大家好，今天通過幾個實(shí)際案例，給大家詳細(xì)分析一下音頻TDD Noise的產(chǎn)生原因、解決方案和思路。
2023-05-12 09:23:571589 
Cortex-M的內(nèi)核中包含Systick定時器了，只要是Cortex-M系列的MCU就會有Systick，因此這是通用的，下面詳細(xì)分析。
2023-05-10 09:00:534800 
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。
2023-05-04 10:09:47538 
芯片引腳
此圖是開關(guān)模式電路的一部分，左側(cè)是電壓輸入，右側(cè)電流流入電池，下方芯片引腳可以控制電流大小，是驅(qū)動外部PNP引腳，有電流大的時候也有小的時候，我想問，這兩個三極管和MOS管是怎么實(shí)現(xiàn)開關(guān)模式工作的？
2023-04-28 15:20:10
上一節(jié)我們詳細(xì)分析了一個簡單的差分放大電路，并怎么去估算差分放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)。
2023-04-25 15:42:511209 
揭秘屏蔽型功率電感損壞對電路的影響 編輯：谷景電子 電感是目前電子產(chǎn)品中十分重要的一個電子元器件，它在整個電路中主要起到重要的作用，比如儲能、濾波、抗干擾等。電感雖然看起來的確是非常的小，但它的作用
2023-04-18 17:04:46429 MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細(xì)分析起來并不簡單。下面我會花一點(diǎn)時間，一點(diǎn)點(diǎn)來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
2023-04-18 09:19:31602 OC5138 是一款內(nèi)置 90V 功率 MOS高效率、高精度的開關(guān)降壓型大功率 LED恒流驅(qū)動芯片。OC5138 采用固定頻率的 PWM 工作模式，典型工作頻率為 140KHz。OC5138 采用
2023-04-07 16:57:52
?！ ≡斐呻姍C(jī)故障的原因很多，就其根本原因有電氣和機(jī)械兩方面的原因，一般機(jī)械方面的原因居多，而軸承損壞占電機(jī)故障原因的70%以上，所以防止軸承損壞可以使電機(jī)故障率大大降低，以下詳細(xì)分析軸承損壞的原因及防范措施。 原作者：今日電機(jī)
2023-03-23 15:13:01
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