第1屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)會(huì)議由西安交通大學(xué)發(fā)起的“第一屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議”于2024年3月15日-18日在西安成功舉辦。會(huì)議吸引了來(lái)自全國(guó)80余家高校、研究所、醫(yī)院和企業(yè)的280
2024-03-22 08:01:18
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,但沒(méi)有電流產(chǎn)生.手無(wú)意中碰到了單片機(jī),單片機(jī)嚴(yán)重發(fā)燙.事后在網(wǎng)上也查了些資料,說(shuō)是引腳短路了,我把電流模塊拿了下來(lái),就單片機(jī)一個(gè),上電還是嚴(yán)重發(fā)熱,不知什么原因,其實(shí)引腳是沒(méi)有接地的,在電流模塊上是進(jìn)入了電壓跟隨器.求解
2024-03-19 07:54:30
在網(wǎng)上借簽了別人的原理圖焊了一個(gè)H橋的電機(jī)正反轉(zhuǎn),現(xiàn)在功能達(dá)到了,但是不持久,8050會(huì)發(fā)燙或是燒掉,12V直流電,電阻10K,望大神們賜教?。。?!
2024-03-15 13:39:20
Aigtek誠(chéng)邀您參會(huì)2024年3月15-17日,Aigtek安泰電子將攜一眾明星產(chǎn)品及專業(yè)測(cè)試解決方案亮相第一屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議。在此,我們誠(chéng)邀您蒞臨會(huì)議參觀、洽談與觀摩!-時(shí)間
2024-03-07 08:01:05
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pcb等離子處理的5大作用
2024-03-05 10:24:48
97 雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電,空穴和自由電子,但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng),其整體上是呈現(xiàn)電中性的,當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí),與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)?
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
共讀好書(shū) 陳婷 周偉潔 王濤 (無(wú)錫中微高科電子有限公司) 摘要: 研究了微波等離子工藝影響導(dǎo)電膠形貌的機(jī)理,進(jìn)一步分析了等離子清洗次數(shù)對(duì)電路可靠性的影響。結(jié)果表明,對(duì)裝片后的電路進(jìn)行 1 次等離子
2024-02-20 13:37:16
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等離子發(fā)動(dòng)機(jī)原理: 等離子發(fā)動(dòng)機(jī)是一種利用電磁力將離子加速并噴射出來(lái)產(chǎn)生推力的發(fā)動(dòng)機(jī)。它主要包括等離子體產(chǎn)生器、離子加速器和噴嘴等組成。下面將詳細(xì)介紹等離子發(fā)動(dòng)機(jī)的工作原理。 生成等離子體:等離子
2024-02-14 18:18:00
3168 等離子顯示器(Plasma Display Panel,簡(jiǎn)稱PDP)是一種采用氣體放電和發(fā)光材料發(fā)光的平板顯示技術(shù)。與液晶顯示器相比,等離子顯示器擁有更高的對(duì)比度、更高的色彩飽和度和更快的響應(yīng)速度
2024-02-03 10:00:17
305 在封裝前,通常要減薄晶圓,減薄晶圓主要有四種主要方法:機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27
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傳統(tǒng)的手工拋光打磨存在勞動(dòng)強(qiáng)度高、拋光效果不穩(wěn)定、難以處理復(fù)雜形狀、安全風(fēng)險(xiǎn)和無(wú)法滿足高質(zhì)量要求等痛點(diǎn)。因此,應(yīng)用工業(yè)機(jī)器人進(jìn)行自動(dòng)化表面精加工的技術(shù)隨之崛起。
2024-01-11 11:03:37
196 LTC3779上電工作不正常,MOS管和芯片發(fā)燙,芯片燒毀,BG1和BG2腳短路,現(xiàn)貼出原理圖和LAYOUT,能幫我分析一下具體原因嗎?望解答:
2024-01-05 08:00:23
,把28V輸入電壓拉很低,輸入電流很大,然后MOS就發(fā)燙,無(wú)法恢復(fù)正常,不知道啥原因,一些參數(shù)都差不多了,不知道各位有沒(méi)有遇到類似的情況,有沒(méi)有一針見(jiàn)血的方法啊,小弟在此拜謝各位了??!
2024-01-04 08:29:56
下芯片殼體頂部溫度達(dá)到了83℃,請(qǐng)問(wèn)這個(gè)可能是什么原因?另外空載測(cè)試殼體也很燙。按照手冊(cè)上的溫升公式,芯片表面溫度=Ta+15mA*VBIAS*90℃/W,溫升也只有25.7℃左右。后來(lái)我嘗試用外部
2024-01-04 07:54:05
,LT1943很快發(fā)燙。
3. 感覺(jué)得到芯片發(fā)燙后,立刻關(guān)電。
4. 關(guān)電后,去掉負(fù)載,再給設(shè)備加電,10V電源工作電流一直維持在110mA左右,LT1943開(kāi)發(fā)發(fā)熱,發(fā)燙。
備注:
從Datasheet來(lái)看
2024-01-04 06:37:54
如題,我用ADM3251E做RS232隔離用,但是工作時(shí)發(fā)燙比較嚴(yán)重,這種現(xiàn)象正常嗎?
2024-01-03 07:30:01
特性進(jìn)行更精確的分析氬離子拋光機(jī)可以實(shí)現(xiàn)平面拋光和截面研磨拋光這兩種形式:半導(dǎo)體芯片氬離子截面切割拋光后效果圖: 聚焦離子束FIB切割+SEM分析聚焦離子束FIB測(cè)試原理:聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)
2024-01-02 17:08:51
需要指出的是,CMP 技術(shù)通過(guò)化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中,拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光,清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31
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01、重點(diǎn)和難點(diǎn) 等離子體通常被認(rèn)為是物質(zhì)的第四態(tài),除了固體、液體和氣體之外的狀態(tài)。等離子體是一種高能量狀態(tài)的物質(zhì),其中原子或分子中的電子被從它們的原子核中解離,并且在整個(gè)系統(tǒng)中自由移動(dòng)。這種狀態(tài)
2023-12-26 08:26:29
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和之前也是一樣。做了六塊板子,3塊調(diào)試過(guò)程中燒壞,3塊能正常使用。后來(lái)能正常工作的3塊板子中,也有出現(xiàn)發(fā)燙現(xiàn)象,工作中也容易受干擾,比如ADC停止不工作,復(fù)位后又能正常工作。
希望能幫忙解決下以下兩個(gè)
2023-12-22 07:14:17
在調(diào)試過(guò)程中不明原因,芯片發(fā)燙,損壞
2023-12-21 06:29:29
上電后,PCB板消耗電流356mA,其中56mA電流為FPGA系統(tǒng)消耗的,AD9516-4系統(tǒng)消耗電流大概有300mA,這部正常,芯片也比較燙;我把AD9516-4的系統(tǒng)圖發(fā)上,麻煩幫我分析下;我懷疑
2023-12-21 06:20:29
我們硬件工程師設(shè)計(jì)的AD7606-4的外圍電路,但是現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題,上電,AD7606-4發(fā)熱,不知道是什么原因,
找了好久,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)原因
麻煩幫我看看是什么原因?
2023-12-20 06:14:51
? 01、重點(diǎn)和難點(diǎn) 在硅材料加工和研究領(lǐng)域,皮秒脈沖激光激發(fā)的等離子體對(duì)于提高加工技術(shù)、開(kāi)發(fā)創(chuàng)新設(shè)備以及加深對(duì)材料物理特性的理解都有重大研究意義。這種影響尤其體現(xiàn)在硅材料表面等離子體形態(tài)變化的研究
2023-12-19 10:53:11
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眾所周知,化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對(duì)材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對(duì)蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制,通過(guò)使用低至25nm的薄器件阻擋層的,從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對(duì)比了三氯化硼與氯氣的偏置功率,以及氣體比對(duì)等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30
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請(qǐng)問(wèn)使用AD420時(shí)配置輸出0-24mA時(shí),在有電流輸出時(shí)芯片會(huì)發(fā)燙,是什么原因?電路如下:
2023-12-15 06:54:42
AD7606上電很燙,而且沒(méi)有基準(zhǔn)電壓輸出,給了復(fù)位信號(hào)和轉(zhuǎn)換信號(hào),busy信號(hào)也一直不變。求各位大神幫幫小弟
2023-12-14 07:18:49
基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開(kāi)關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如AlGaN,憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性,為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24
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最近在用AD7768在做數(shù)據(jù)采集,采用FPGA控制和處理轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù),但是將FPGA和AD7768端口鏈接后,每次上電AD都會(huì)發(fā)燙 ,斷開(kāi)連線后正常,這是怎么回事
2023-12-11 07:56:47
光捕獲技術(shù)是提高太陽(yáng)能電池光吸收率的有效方法之一,它可以減少材料厚度,從而降低成本。近年來(lái),表面等離子體(SP)在這一領(lǐng)域取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。利用表面等離子體的光散射和耦合效應(yīng),可以大大提高太陽(yáng)能電池的效率。
2023-12-05 10:52:27
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CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化學(xué)機(jī)械拋光”,是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
2023-12-05 09:35:19
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我用AD5420產(chǎn)生4-20ma電流,前一段時(shí)間可以輸出,但當(dāng)時(shí)沒(méi)有注意芯片溫度問(wèn)題,現(xiàn)在如果上電后,不對(duì)ad5420操作,溫度正常,一對(duì)它操作,溫度很快升高,發(fā)燙,我把select vcc接地也
2023-12-04 06:49:31
,PR CS SHDN接3.3V上拉,芯片瞬間發(fā)燙超100°以上,可是規(guī)格書(shū)標(biāo)明,單電源電壓范圍VDD 4.5~16.5V,邏輯電源VL 2.7~5.5V
2023-11-28 07:50:27
高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中有多種重要應(yīng)用。等離子體是一種帶電粒子與電中性粒子混合的物質(zhì),其具有多種獨(dú)特的物理性質(zhì),因此在許多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,例如聚變能源、等離子體醫(yī)學(xué)、材料加工等。下面安泰電子將介紹高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用。
2023-11-27 17:40:00
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1.上電后就開(kāi)始發(fā)燙,燙到手指都受不了,請(qǐng)問(wèn)是什么問(wèn)題?
2.該芯片可寫可讀,請(qǐng)問(wèn)如果我只寫入了截止頻率而不讀取有影響嗎
電路很雜,有點(diǎn)煩,給您添麻煩了!
2023-11-27 07:54:32
? 一種使用等離子體激元的新型成像技術(shù)能夠以增強(qiáng)的靈敏度觀察納米顆粒。休斯頓大學(xué)納米生物光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室的石偉川教授和他的同事正在研究納米材料和設(shè)備在生物醫(yī)學(xué)、能源和環(huán)境方面的應(yīng)用。該小組利用等離子
2023-11-27 06:35:23
121 我用AD8599作ADC驅(qū)動(dòng)電路,發(fā)現(xiàn)上電后,芯片燙手,但是輸出波形正確,這個(gè)是什么問(wèn)題呢?
2023-11-21 06:22:10
ADL5536 增益模塊在使用過(guò)程中很燙,這是什么原因呢?我是按照datasheet給的電路繪制的,VCC給的是+5V
2023-11-17 15:57:37
AD8397用在AD2S1210調(diào)理電路中,8397上電后發(fā)熱很厲害,正常嗎?
將8397輸入輸出都斷開(kāi),只留供電,發(fā)熱也很厲害。怎么解釋?
2023-11-17 14:28:37
使用AD826做簡(jiǎn)單的交流恒流源,用的是豪蘭德電路。接不接負(fù)載,運(yùn)放都很燙,是什么原因呢?
2023-11-17 11:24:40
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是目前最主流的晶圓拋光技術(shù),拋光過(guò)程中,晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求,選擇符合去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)等指標(biāo)要求的拋光液,來(lái)提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35
212 最近使用ADA4350搭了一個(gè)放大電路,上電以后幾秒中內(nèi)芯片就會(huì)非常燙。芯片更換,斷開(kāi)輸入輸出問(wèn)題依舊。請(qǐng)高手幫忙指點(diǎn),多謝!
電源部分設(shè)計(jì)如下:數(shù)字供電采用+3.3v,模擬供電采用+-5v,查看手冊(cè)也沒(méi)有說(shuō)這樣設(shè)計(jì)有問(wèn)題,后來(lái)把數(shù)字3.3v斷開(kāi),采用+5v給數(shù)字部分供電,依然不可以,頭痛中……
2023-11-15 06:22:47
鋰離子電池老化的原因 鋰電池老化的影響 鋰離子電池(Lithium-ion battery)是一種常見(jiàn)的可充電電池,由于其高能量密度和長(zhǎng)周期壽命,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、電動(dòng)車輛和儲(chǔ)能系統(tǒng)中。然而
2023-11-10 14:41:56
975 近日,深圳技術(shù)大學(xué)阮雙琛教授和周滄濤教授團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上首次提出基于超光速等離子體尾波場(chǎng)產(chǎn)生阿秒脈沖、亞周期相干光激波輻射的物理方案,并闡釋了一種由電子集體作用主導(dǎo)的全新相干輻射產(chǎn)生機(jī)制。
2023-11-09 10:40:40
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在插上電之后就沒(méi)管它,忙其他事去了,最后發(fā)現(xiàn)有點(diǎn)發(fā)燙,用的3.3V供電,請(qǐng)問(wèn)正常不正常
2023-11-09 08:30:16
之前都是好好的,可以下載程序,突然就供不上電了,換了數(shù)據(jù)線也不行,但是CN3可以正常的供電,就是不能下載程序和調(diào)試,CN的功能太強(qiáng)大了,這個(gè)口不能用了這個(gè)板子估計(jì)也就廢了。芯片什么的都是好的,沒(méi)發(fā)那個(gè)地方發(fā)燙,插口出來(lái)也是有電壓的,真不知道是哪個(gè)地方有問(wèn)題。請(qǐng)問(wèn)各位用過(guò)的伙伴回到原因嗎
2023-11-09 08:14:13
我記得以前查過(guò)51單片機(jī)最大的輸入電流不能超過(guò)20MA左右,但是我在用的啥時(shí)候直接用P口引腳做負(fù)極,正極全接電阻接到VCC了我查過(guò)LED燈發(fā)光時(shí)好像電流有幾毫安,但是我同時(shí)點(diǎn)兩個(gè)256個(gè)燈,按理來(lái)說(shuō)總的輸入電流早就超過(guò)20MA了,但是單片機(jī)也不會(huì)以發(fā)燙一起正常使用,這一般是什么原因造成的啊。
2023-10-27 08:01:02
眾所周知,傾斜光纖光柵可以激發(fā)眾多的包層模式,并且對(duì)光纖表面周圍環(huán)境敏感。當(dāng)光纖包層模式與表面等離子共振相位匹配時(shí),傾斜光纖光柵可以在金表面激發(fā)倏逝表面等離子體共振波。
2023-10-20 15:48:08
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單片機(jī)怎么發(fā)At指令
2023-10-20 07:22:39
等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分,隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,等離子體清洗的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點(diǎn)和應(yīng)用,討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
2023-10-18 17:42:36
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等離子表面處理機(jī)在PCB制程中扮演了關(guān)鍵的角色,它有助于提高了電路板的質(zhì)量、可靠性和性能。這對(duì)于電子制造和各種應(yīng)用中的PCB制程都非常重要。
2023-10-05 09:53:47
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基于電池供電的等離子打火機(jī)。制作新奇打印方式的等離子打印機(jī)!包含相關(guān)圖文說(shuō)明、代碼、線路圖
2023-09-22 07:54:27
為了提高等離子消融手術(shù)系統(tǒng)的頻率輸出,提出一種新型的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。應(yīng)用LCR諧振原理,對(duì)傳統(tǒng)的全橋逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),當(dāng)諧振電路工作在恰當(dāng)?shù)膮^(qū)域可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓的開(kāi)通和近似零電壓的關(guān)斷,能
2023-09-20 07:38:22
納米級(jí)[1] 。傳統(tǒng)的平面化技術(shù)如基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射玻璃 SOG、低壓 CVD、等離子體增強(qiáng) CVD、偏壓濺射和屬于結(jié)構(gòu)的濺射后回腐蝕、熱回流、淀積 —腐蝕 —淀積等 , 這些技術(shù)在 IC
2023-09-19 07:23:03
背景 Adi Salomon 教授的實(shí)驗(yàn)室主要致力于了解納米級(jí)分子與光的相互作用,并構(gòu)建利用光傳感分子的設(shè)備。該小組設(shè)計(jì)并制造了金屬納米結(jié)構(gòu),并利用它們通過(guò)與表面等離子體激元的相互作用來(lái)影響納米級(jí)
2023-09-19 06:28:29
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光學(xué)加工是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程。難以通過(guò)單一加工方法加工滿足各種加工質(zhì)量指標(biāo)要求的光學(xué)元件。平面拋光機(jī)的基礎(chǔ)是加工材料的微去除。實(shí)現(xiàn)這種微去除的方法包括研磨加工、微粉顆粒拋光和納米材料拋光。根據(jù)
2023-08-28 08:08:59
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來(lái)自斯圖加特大學(xué)(德國(guó))的 Harald Gie?en 教授的團(tuán)隊(duì)正在致力于將光子學(xué)和納米技術(shù)用于新的應(yīng)用和設(shè)備。研究人員正在研究通過(guò)控制等離子體效應(yīng)來(lái)創(chuàng)建顯示器的技術(shù)。等離激元學(xué)研究光與金屬納米
2023-08-23 06:33:33
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等離子體顯示器在對(duì)比度、視角和響應(yīng)速度等方面的優(yōu)勢(shì)較為顯著,適合用于娛樂(lè)和家庭影院等方面;而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優(yōu)勢(shì),適合辦公和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。選擇時(shí),可以根據(jù)使用需求和個(gè)人偏好來(lái)進(jìn)行選擇。
2023-08-10 14:38:36
766 第一次是因?yàn)槭褂们皼](méi)好好看數(shù)據(jù)手冊(cè),用E5V給板子供電時(shí)沒(méi)有換跳線帽,可是,沒(méi)換跳線帽給E5V供電板子當(dāng)時(shí)也沒(méi)發(fā)燙啊,會(huì)是因?yàn)檫@個(gè)原因燒了嗎?第二次供電時(shí),換了,用了一段時(shí)間,又燒了,就真的不知道
2023-08-07 09:21:57
STM32G474RE芯片發(fā)燙嚴(yán)重,燙手,只是串口發(fā)個(gè)數(shù)據(jù)
2023-08-05 07:58:36
在常規(guī)離子注入中,三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:57
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1、產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 放電等離子燒結(jié) (SPS)是一種快速、低溫、節(jié)能、環(huán)保的材料制備新技術(shù),可用來(lái)制備金屬、陶瓷、納米材料、非晶材料、復(fù)合材料、梯度材料等
2023-07-16 23:06:19
行業(yè)簡(jiǎn)介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 14:27:42
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實(shí)現(xiàn)小規(guī)模試驗(yàn)中 2-4 英寸硅片等半導(dǎo)體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無(wú)污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.
2023-07-07 14:55:44
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隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11
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近日,Nano Letters(《納米快報(bào)》)在線發(fā)表武漢大學(xué)高等研究院梁樂(lè)課題組和約翰霍普金斯大學(xué)Ishan Barman課題組關(guān)于高效構(gòu)建等離子增強(qiáng)NV色心的納米器件研究進(jìn)展,他們利用自下向上的DNA自組裝方法開(kāi)發(fā)了一種混合型獨(dú)立式等離子體納米金剛石
2023-06-26 17:04:52
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電拋光smt鋼網(wǎng)是什么工藝,它與其他smt鋼網(wǎng)相比有哪些優(yōu)點(diǎn)呢,今天我們?yōu)榇蠹易錾钊氲闹v解,希望幫助大家在選購(gòu)適合自己工廠真正需要的smt鋼網(wǎng)。
2023-06-19 10:17:44
568 交流電源板過(guò)載防護(hù)高電壓氣體放電管 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器 2R3600ML5 Gas Discharge
2023-06-14 17:30:02
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響,并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:06
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金屬銀鍍PTFE涂層等離子處理是指在金屬鍍銀進(jìn)行PTFE涂層,并在PTFE涂層上進(jìn)行等離子處理的一種表面處理技術(shù)。該技術(shù)可以使金屬表面具有一定的耐腐蝕性、耐磨性和耐高溫性,同時(shí)還可以提高金屬表面的潤(rùn)滑性和粘附性。
2023-05-25 15:54:14
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PTFE表面等離子改性是一種有效的技術(shù)手段,可以改變PTFE表面的性質(zhì),增加其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。通過(guò)引入親水基團(tuán)、改善表面形貌、形成致密的氟化物膜等方式,可以提高PTFE表面的粘附性、潤(rùn)濕性、抗腐蝕性、耐磨性、生物相容性和電性能。
2023-05-19 10:45:39
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在天體物理學(xué)中,有許多天體都具有強(qiáng)大的磁場(chǎng),例如恒星、行星和黑洞。這些天體周圍通常有大量的等離子體,例如恒星風(fēng)、行星際介質(zhì)和吸積盤。
2023-05-17 09:24:16
452 因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)射頻等離子體源 RF2100ICP Plasma Source上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫
2023-05-11 14:57:22
芯片等離子活化技術(shù)是一種物理處理技術(shù),通過(guò)改變材料表面的化學(xué)性質(zhì)、物理性質(zhì)和機(jī)械性能,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的表面處理和改性。芯片等離子活化技術(shù)具有處理效率高、處理精度高、無(wú)需添加劑、處理后材料性能穩(wěn)定和應(yīng)用范圍廣泛等優(yōu)勢(shì)。
2023-05-06 10:44:50
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通過(guò)金徠等離子體處理,可以提高金屬表面的活性,改善金屬表面的結(jié)合力、增強(qiáng)涂層附著力等性質(zhì),使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外,等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度,使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23
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一、自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果因素自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果取決于多個(gè)因素,除了自動(dòng)拋光機(jī)本身的質(zhì)量以外,還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料,要拋光物件材質(zhì),操作者的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)等,在條件都合適的情況下,自動(dòng)
2023-05-05 09:57:03
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全硅等離子體色散效應(yīng)環(huán)形諧振器調(diào)制器具有誘人的發(fā)展前景。然而,其性能目前受限于調(diào)制深度和開(kāi)關(guān)速度之間的權(quán)衡。
2023-04-12 09:12:12
1594 大家目前對(duì)于等離子光譜儀的普遍使用早已見(jiàn)怪不怪了,這種相對(duì)來(lái)說(shuō)較為細(xì)致的設(shè)備是一定要盡早的實(shí)施維修保養(yǎng)的,否則很容易就沒(méi)辦法運(yùn)用或者機(jī)械設(shè)備產(chǎn)生情況,下面大家一起來(lái)看看等離子光譜儀需要進(jìn)行哪種
2023-04-07 07:37:42
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導(dǎo)讀:?屏(也叫面板),是等離子電視最重要的部件,占整機(jī)成本的六、七成。屏的好壞,直接決定著平板電視的優(yōu)劣。目前世界上只有韓國(guó)LG、三星和日本的松下等少數(shù)廠商具備等離子屏的生產(chǎn)能力,其中LG的A3生產(chǎn)線被公認(rèn)為最先進(jìn)的等離子生產(chǎn)線。很大程度上,等離子電視的選擇就是等離子屏的選擇。
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2023-03-30 15:56:10
452 2RM3600A6L2 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器3600Discharge 2-Electrode Arrester 5.5*6 直流擊穿電壓3600V氣體
2023-03-27 17:04:09
評(píng)論