***國(guó)際半導(dǎo)體展（SEMICON Taiwan）今（5）日開幕，18吋晶圓成為市場(chǎng)焦點(diǎn)，臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)副總經(jīng)理王建光昨（4）日出席半導(dǎo)體展前記者會(huì)時(shí)表示，臺(tái)積電已做好導(dǎo)入18吋晶圓規(guī)劃，預(yù)計(jì)2018年量產(chǎn)，屆時(shí)導(dǎo)入的技術(shù)將以10奈米鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）制程為主。

　　共同出席的臺(tái)積電研發(fā)副總林本堅(jiān)則指出，臺(tái)積電20奈米已快量產(chǎn)，16奈米FinFET制程開發(fā)依計(jì)劃進(jìn)行，接下來的10奈米FinFET制程希望可以導(dǎo)入新一代的微影技術(shù)，除了極紫外光（EUV）方案外，多重電子束（Multi E-Beam）仍是臺(tái)積電的選項(xiàng)之一。

　　包括英特爾、臺(tái)積電、三星、IBM、格羅方德（GlobalFoundries）等全球5大半導(dǎo)體廠，今年初已決定共組全球18吋晶圓聯(lián)盟（G450C），王建光表示，今年是推動(dòng)18吋晶圓元年，也是令半導(dǎo)體業(yè)者感到興奮的一年，G450C結(jié)合了全球半導(dǎo)體大廠的資源，將以最經(jīng)濟(jì)也最有效率的方式，為18吋晶圓制定出新的標(biāo)準(zhǔn)，期望未來18吋晶圓導(dǎo)入量產(chǎn)后能「一槍中的」。

　　對(duì)臺(tái)積電來說，跨入18吋晶圓仍需要時(shí)間。王建光表示，2014～2015年時(shí)應(yīng)可完成設(shè)備規(guī)格制定，預(yù)計(jì)2015年初，設(shè)備商就能提供測(cè)試設(shè)備（demo tools），而2016～2017年將開始建立試產(chǎn)生產(chǎn)線（pilot line），并建立起上下游的供應(yīng)鏈，若一切順利，臺(tái)積電在2018年就能夠以18吋晶圓投入量產(chǎn)。

　　在微影技術(shù)部份，臺(tái)積電日前已決定加入微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾（ASML）的「客戶聯(lián)合投資專案」，總投資金額高達(dá)11.14億歐元（約新臺(tái)幣407億元），包括取得ASML的5％股權(quán)，并加入極紫外光（EUV）及18吋晶圓設(shè)備的研發(fā)計(jì)畫。

　　林本堅(jiān)表示，臺(tái)積電的技術(shù)藍(lán)圖有些變動(dòng)，28奈米之后的20奈米已經(jīng)接近量產(chǎn)，再接下去的16奈米，將是臺(tái)積電首度導(dǎo)入3D架構(gòu)的FinFET電晶體制程，再進(jìn)行微縮后就是10奈米FinFET。

　　林本堅(jiān)表示，由于EUV技術(shù)尚未成熟，16奈米及10奈米仍然會(huì)用到浸潤(rùn)式（immersion）的微影技術(shù)，10奈米以及之后的7奈米，則會(huì)導(dǎo)入新一代的微影技術(shù)，目前除了EUV之外，多重電子束也是考量的方向。

　　臺(tái)積電晶圓尺寸進(jìn)程