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TLE2027-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 Excalibur 低噪聲高速精確運(yùn)算放大器

數(shù)據(jù):

描述

TLE2027包含創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)和高質(zhì)量的過程控制技術(shù),可產(chǎn)生以前單個(gè)運(yùn)算放大器無法提供的交流性能和直流精度。這些器件采用TI最先進(jìn)的Excalibur工藝制造,可以升級(jí)使用低精度器件的系統(tǒng)。

在直流精度領(lǐng)域,TLE2027提供100μV的最大偏移電壓,共模抑制比為131 dB(典型值),電源電壓抑制比為144 dB(典型值),直流增益為45 V /μV(典型值)。

TLE2027的交流性能突出顯示典型的單位增益帶寬規(guī)格為15 MHz,相位裕度為55°,噪聲電壓規(guī)格為3.3 nV / Hz 分別為10 Hz和1 kHz。

TLE2027提供多種封裝,包括符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8引腳小外形版本,適用于高密度系統(tǒng)應(yīng)用。該器件的特點(diǎn)是可在55°C至125°C的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作。

特性

  • 受控基線
    • 一個(gè)裝配/測(cè)試現(xiàn)場(chǎng),一個(gè)制造現(xiàn)場(chǎng)
  • 55°C至125°C的擴(kuò)展溫度性能
  • 增強(qiáng)的減少制造源(DMS)支持
  • 增強(qiáng)產(chǎn)品更改通知
  • 資格譜系(1)
  • DC精度和AC性能的完美結(jié)合:
    • Unity-Gain帶寬。 。 。 13 MHz Typ
    • V n 。 。 。 3.3 nV / Hz at f = 1 kHz Typ
    • V IO 。 。 。 100μVMax
    • A VD 。 。 。 45 V /μVSyp,R L = 2 k ,
      19 V /μVSyp,R L = 600
    • < /ul>
    • 提供標(biāo)準(zhǔn)引腳小外形封裝
    • 輸出特性飽和恢復(fù)電路
    • 宏模型和統(tǒng)計(jì)信息

    (1)符合JEDEC和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的元件認(rèn)證,確保在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。這包括但不限于高加速應(yīng)力測(cè)試(HAST)或偏壓85/85,溫度循環(huán),高壓釜或無偏HAST,電遷移,鍵合金屬間壽命和模塑化合物壽命。此類鑒定測(cè)試不應(yīng)被視為超出規(guī)定的性能和環(huán)境限制使用該組件的合理性。
    所有其他商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?運(yùn)算放大器

?
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Output Current (Typ) (mA)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Architecture
IIB (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
TLE2027-EP
1 ? ?
8 ? ?
38 ? ?
13 ? ?
2.8 ? ?
Out ? ?
0.1 ? ?
3.8 ? ?
HiRel Enhanced Product ? ?
-55 to 125 ? ?
SOIC ? ?
35 ? ?
0.4 ? ?
2.5 ? ?
Bipolar ? ?
90000 ? ?
131 ? ?
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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