TLC372M 低功耗 LinCMOS? 雙路比較器

數(shù)據(jù)： TLC372 LinCMOS(TM) Dual Differential Comparators 數(shù)據(jù)表

描述

該器件采用LinCMOS制造？該技術(shù)由兩個獨立的電壓比較器組成，每個電壓比較器均設(shè)計為采用單電源供電。如果兩個電源之間的差異為2 V至18 V，則也可以使用雙電源供電。每個器件都具有極高的輸入阻抗（通常大于10 ¹²Ω），允許直接與高電平連接阻抗源。輸出為n溝道開漏配置，可以連接以實現(xiàn)正邏輯線與關(guān)系。

TLC372具有內(nèi)部靜電放電（ESD）保護電路，并已分類為1000- V ESD額定值使用人體模型測試。但是，在處理此器件時應(yīng)小心，因為暴露于ESD可能會導(dǎo)致器件參數(shù)性能下降。

TLC372C的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 TLC372I的工作溫度范圍為-40°C至85°C。 TLC372M的特點是可在55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內(nèi)工作。 TLC372Q的工作溫度范圍為-40°C至125°C。

特性

單電源或雙電源供電
2 V至18 V的寬電源電壓
低電源電流漏極150μA典型值，5 V
快速響應(yīng)時間。。。用于TTL電平輸入的200 ns典型步驟
內(nèi)置ESD保護
高輸入阻抗。。。 10 ¹²Ω型
極低輸入偏置電流5 pA典型
超穩(wěn)定低輸入失調(diào)電壓
輸入失調(diào)電壓變化最壞情況輸入條件通常為0.23μV/月，包括前30天
共模輸入電壓范圍包括接地
輸出兼容TTL，MOS和CMOS
與LM393引腳兼容

LinCMOS是德州儀器公司的商標(biāo)。
所有其他商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?比較器

?
Number of Channels (#)
Output Type
Vs (Min) (V)
Vs (Max) (V)
Propagation Delay Time (uS)
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Max) (mA)
Input Bias Current (+/-) (Max) (nA)
Rail-to-Rail
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
VICR (Max) (V)
VICR (Min) (V)
?

TLC372M
2 ? ?
Open Collector Open Drain ? ?
4 ? ?
16 ? ?
0.2 ? ?
5 ? ?
0.15 ? ?
0.03 ? ?
Out ? ?
N/A ? ?
Military ? ?
-55 to 125 ? ?
CDIP CFP LCCC SOIC ? ?
See datasheet (CDIP) See datasheet (CFP) 20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?
15 ? ?
0 ? ?
無樣片