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TPS51116-EP DDR 同步降壓控制器

數(shù)據(jù):

描述

TPS51116為DDR /SSTL-2,DDR2 /SSTL-18,DDR3 /SSTL-15和LPDDR3內(nèi)存系統(tǒng)提供一個完整的電源。它集成了TPS51116在空間非常寶貴的系統(tǒng)中提供最低的總體解決方案成本.TPS51116同步控制器運行具有自適應接通時間控制的定頻400kHz,偽恒定頻率脈寬調(diào)制(PWM),此控制可在D-CAP模式中進行配置,此模式可簡化使用并實現(xiàn)最快瞬態(tài)響應或者在電流模式中支持陶瓷輸出電容器.1.1灌電流/拉電流LDO僅需20μF(2×10μF)陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態(tài)響應。此外,LDO電源輸入是外部可用的,這樣可大大減少總體功耗.TPS51116支持所有睡眠狀態(tài)控制,此類控制在S3(掛起到RAM)中將VTT置于高Z狀態(tài)并且在S4 /S5(掛起到硬盤)中將VDDQ,VTT和VTTREF(軟關(guān)閉)放。TPS51116具有所有保護特性,其中包括熱關(guān)斷并采用20引腳散熱薄型小外形尺寸(HTSSOP)將PowerPAD封裝。

特性

  • 同步降壓控制器(VDDQ)
    • 寬輸入電壓范圍:3.0V至28V
    • 負載階躍響應為100ns的D-CAP?模式
    • 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
    • 支持S4 /S5狀態(tài)內(nèi)的軟關(guān)閉
    • R DS(接通)或電阻器的電流感測
    • 2.5V(DDR),1.8V(DDR2),可調(diào)節(jié)至
      1.5V(DDR3)或1.2V(LPDDR3)或
      0.75V至3.0V的輸出電壓范圍
    • 配備有電源正常,過壓保護和欠壓保護
  • 1A LDO(VTT),經(jīng)緩沖基準(VREF)
    • 灌電流和拉電流的能力達到1A
    • 提供LDO輸入以優(yōu)化功率損耗
    • 只需20μF陶瓷輸出電容器
    • 經(jīng)緩沖的低噪聲10mA VREF輸出
    • 針對VREF和VTT的±20mV精度
    • 在S3中支持高阻抗(high-Z),在S4 /S5中支持軟關(guān)閉
    • 過熱保護

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?DDR 存儲器電源產(chǎn)品

?
DDR Memory Type
Iout VTT (Max) (A)
Iq (Typ) (mA)
Output
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Regulator Type
Vout VTT (Min) (V)
TPS51116-EP
DDR
DDR2
DDR3
DDR3L
DDR4
LPDDR2
LPDDR3 ? ?
3 ? ?
0.8 ? ?
VDDQ
VREF
VTT ? ?
3 ? ?
28 ? ?
Complete Solution
Shutdown Pin for S3 ? ?
HiRel Enhanced Product ? ?
-55 to 125 ? ?
HTSSOP ? ?
20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP) ? ?
Step-Down Controller Plus LDO ? ?
0.6 ? ?