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      CSD17579Q3A CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款30V，8.7mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET?功率MOSFET用于最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗提供了靈活性和便利性。

      特性

      • 低Q g 和Q gd
      • 低R DS（on）
      • 低熱阻
      • 雪崩級(jí)
      • 無鉛
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）3.3mm×3.3mm塑料封裝

      所有商標(biāo)均為其所有各自所有者。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD17579Q3A
      30 ? ?
      Single ? ?
      14.2 ? ?
      10.2 ? ?
      106 ? ?
      5.3 ? ?
      1.2 ? ?
      SON3x3 ? ?
      20 ? ?
      1.5 ? ?
      39 ? ?
      20 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
      元器件購買 CSD17579Q3A 相關(guān)庫存

      • MOSFETs

        型號(hào)：CSD17579Q3A 封裝：VSONP8

        品牌：TI 描述：表面貼裝型 N 通道 30 V 20A（Ta） 3.2W（Ta），29W（Tc） 8-VSONP（3x3.3）

        金額：￥17.82000

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