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      3天內(nèi)不再提示

      CSD17581Q3A 30V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款采用3.3mm×3.3mm SON封裝的30V，3.2mΩ，NexFET功率MOSFET被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低損耗。 /p>

      特性

      • 低Q g 和Q gd
      • 低R DS（on）
      • 低熱阻抗
      • 雪崩級
      • 無鉛
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)< /li>
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）3.3mm×3.3mm塑料封裝

      應(yīng)用范圍

      • 用于網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信和計算系統(tǒng)的負(fù)載點同步降壓轉(zhuǎn)換器
      • 電機(jī)控制應(yīng)用
      • 針對控制場效應(yīng)晶體管（FET）應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化< /li>

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD17581Q3A
      30 ? ?
      Single ? ?
      4.7 ? ?
      3.8 ? ?
      154 ? ?
      20 ? ?
      4 ? ?
      SON3x3 ? ?
      20 ? ?
      1.3 ? ?
      101 ? ?
      60 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

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