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CSD18543Q3A 60V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET

數據:

描述

這款采用3.3mm×3.3mm SON封裝的60V,8.1mΩ,NexFET功率MOSFET被設計成在功率轉換應用中大大降低損耗。 /p>

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低導通電阻R DS(上)
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 無鉛
  • 符合RoHS環(huán)保標準
  • 無鹵素
  • 小外形尺寸無引線(SON)3.3mm×3.3mm塑料封裝

應用范圍

  • 固態(tài)繼電器開關
  • 直流 - 直流轉換
  • 次級側同步整流器
  • 經隔離轉換器主級側開關< /li>
  • 電機控制

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18543Q3A CSD18534Q5A
60 ? ? 60 ? ?
Single ? ? Single ? ?
15.6 ? ? 12.4 ? ?
9.9 ? ? 9.8 ? ?
156 ? ? 229 ? ?
11.1 ? ? 17 ? ?
1.7 ? ? 3.5 ? ?
SON3x3 ? ? SON5x6 ? ?
20 ? ? 20 ? ?
2 ? ? 1.9 ? ?
60 ? ? 69 ? ?
35 ? ? 50 ? ?
Yes ? ? Yes ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
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