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      3天內不再提示

      CSD19538Q3A CSD19538Q3A

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款100V，49mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET?功率金屬氧化物半導體場效應應晶體管（MOSFET）旨在以最大限度降低導通損耗并減小以太網(wǎng)供電（PoE）應用中的電路板尺寸。

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
      • 無鉛
      • 符合RoHS標準
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）3.3mm×3.3mm塑料封裝

      所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD19538Q3A CSD19537Q3 CSD19538Q2
      100 ? ? 100 ? ? 100 ? ?
      Single ? ? ? Single ? ?
      61 ? ? 14.5 ? ? 59 ? ?
      36 ? ? 219 ? ? 34.4 ? ?
      4.3 ? ? 16 ? ? 4.3 ? ?
      0.8 ? ? 2.9 ? ? 0.8 ? ?
      SON3x3 ? ? SON3x3 ? ? SON2x2 ? ?
      20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
      3.2 ? ? 3 ? ? 3.2 ? ?
      13.7 ? ? 53 ? ? 13.1 ? ?
      15 ? ? 50 ? ? 14.4 ? ?
      No ? ? No ? ? No ? ?

      技術文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
      元器件購買 CSD19538Q3A 相關庫存