HMC349ALP4CE 高度隔離的非反射式 100 MHz 至 4 GHz GaAs SPDT 開關(guān)
數(shù)據(jù):
HMC349ALP4CE產(chǎn)品技術(shù)英文資料手冊
優(yōu)勢和特點
- 非反射 50 Ω 設(shè)計
- 高隔離:2 GHz 時為 62 dB
- 低插入損耗:2 GHz 時為 1.0 dB
- 高輸入線性度
- 1 dB 功率壓縮 (P1dB):34 dBm(典型值)
- 3 階交調(diào)點 (IP3):53 dBm(典型值)
- 高功率處理能力
- 33.5 dBm 直通路徑,VDD = 5 V
- 26.5 dBm 終止路徑
- 單一正電源:3 V 至 5 V
- CMOS/TTL 兼容控制
- 全關(guān)閉狀態(tài)控制
- 16 引腳 4 mm × 4 mm LFCSP
- 引腳與 HMC8038 兼容
產(chǎn)品詳情
HMC349ALP4CE 是一款工作頻率范圍為 100 MHz 至 4 GHz 的砷化鎵 (GaAs) 單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。
HMC349ALP4CE 具有隔離度高 (62 dB)、插入損耗低 (1.0 dB)、輸入 IP3 高 (53 dBm) 和輸入 P1dB 高 (34 dBm) 等特性,因此適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。
HMC349ALP4CE 使用電壓為 3 V 至 5 V 的單一正電源工作,并且提供一個與 CMOS/TTL 兼容的控制接口。
HMC349ALP4CE 采用符合 RoHS 指令的 16 引腳 4 mm × 4 mm 引線框芯片尺寸級封裝 (LFCSP)。
應(yīng)用
- 無線基礎(chǔ)設(shè)施
- 移動無線電
- 測試設(shè)備
方框圖
