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FDMF6708N 超小型 高性能 高頻的DrMOS模塊

數(shù)據(jù):

XS?DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動器功率級解決方案,適用于高電流,高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用.FDMF6708將一個驅(qū)動IC,兩個功率MOSFET以及一個自舉肖特基二極管集成到熱性能增強型超緊湊6x6mm封裝中。
通過集成方法,可實現(xiàn)完整開關(guān)功率級的驅(qū)動器,MOSFET動態(tài)性能,系統(tǒng)電感和功率MOSFET R DS(ON)優(yōu)化.XS?DrMOS采用飛兆半導(dǎo)體公司的高性能PowerTrench?MOSFET技術(shù),顯著減少開關(guān)振鈴,省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路。驅(qū)動器IC通過減少死區(qū)時間和傳播延遲,可進一步提高性能。熱警告功能會發(fā)出潛在過溫情況的警告.FDMF6708N還具有可提高輕負載效率的過零檢測(ZCD_EN#)功能。 FDMF6708N還提供與大量PWM控制器兼容的三態(tài)5V PWM輸入。
特性
  • 超過93%的峰值效率
  • 高電流處理能力:45A
  • 高性能PQFN銅片封裝
  • 三態(tài)5V PWM輸入驅(qū)動器
  • 通過ZCD_EN#輸入使能的二極管自動仿真(跳頻模式)
  • 為過溫情況提供熱警告標志
  • 驅(qū)動器輸出禁用功能(DISB#引腳)
  • ZCD_EN#輸入和DISB#輸入各自的內(nèi)部上拉和下拉
  • 飛兆PowerTrench?技術(shù)MOSFET,可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲
  • 低端MOSFET中的飛兆SyncFET?(集成肖特基二極管)技術(shù)
  • 集成自舉肖特基二極管
  • 實現(xiàn)直通保護的自適應(yīng)柵極驅(qū)動時序
  • 欠壓閉鎖(UVLO)
  • 為實現(xiàn)開關(guān)頻率達到1MHz而優(yōu)化
  • 薄型SMD封裝
  • 基于英特爾? 4.0 DrMOS標準
  • 飛兆綠色封裝并符合RoHS標準

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關(guān)資料(2)
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