PL7512 是一顆電流控制模式升壓轉(zhuǎn)化器，脈波寬度調(diào)變(PWM)， 內(nèi)置 15m?/10A/14VMOSFET， 能做大功率高轉(zhuǎn)換效率， 周邊元件少節(jié)省空間， 適合用在行動裝置，寬工作電壓2.7V~12V， 單節(jié)與雙節(jié)鋰電池都能使用， 精準反饋電壓 1.2V(±2%)， 過電流保護通過外部電阻調(diào)整， 電流控制模式讓暫態(tài)響應(yīng)與系統(tǒng)穩(wěn)定性佳， 輕載進入省電模式(Skip Mode)， 達到輕載高效率，封裝為SOP-8L(EP)。
特性
? 工作電壓范圍 2.7V~12V
? 可調(diào)輸出電壓最高 13V
? 固定工作頻率 400kHz
? VFB 反饋電壓1.2V(±2%)
? 內(nèi)置 15m?,10A,14V MOSFET
? 關(guān)機耗電流最大1μA
? 過溫保護 150℃
? 內(nèi)置軟啟動
? 可調(diào)過電流保護 2A~10A
? 封裝 SOP-8L(EP)
應(yīng)用范圍
? 快充移動電源
? 藍牙音箱
? 手持式產(chǎn)品
? 充電器
? 電子煙
輸出電壓計算
輸出電壓由 FB Pin 分壓電阻決定，計算公式如下，R1 使用 300k?~500k?
VOUT=1.2V*(1+R1/R2)
- 應(yīng)用元件
? C1,C2,C5,C6,C8：輸入與輸出穩(wěn)壓濾波電容。
? C9：HVDD 濾波電容。
? C3：HVDD 經(jīng)過內(nèi)部穩(wěn)壓管到 Vcc 產(chǎn)生 5V，此電壓會提供內(nèi)部電路與驅(qū)動 MOS，需要加穩(wěn)壓電容。
? C4,C10,R4：系統(tǒng)補償回路元件，關(guān)系到 LX 方波穩(wěn)定度與暫態(tài)響應(yīng)速度。
? R1,R2：FB 分壓電阻，決定輸出電壓，R1 使用300k?~500k?。
? R3：改變阻值，調(diào)整過電流保護點。
? R10：EN 到輸入上拉電阻，控制 EN 下拉地，開關(guān) IC。
? Rout：HVDD 限流電阻，避免輸出電壓過高，擊傷 IC。
? C12,R8：突波吸收元件，降低 LX 開關(guān)切換突波。
? L1：電感具有儲能與濾波功用，感值越大電流漣波越小，相對感值越小漣波越大。選用電感注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流值。
? D1：當 LX 截止時，D1 肖特基管導通，提供電感放電回路
- PCB布局說明
- ? 大電流路徑走線要粗，鋪銅走線最佳。
- ? 開關(guān)切換連接點 L1、LX 與 D1，走線要短與粗，鋪銅走線最佳。
? 輸入電容 C9 靠近 HVDD 與 GND Pin，達到穩(wěn)壓與濾波功效。
? 分壓電阻 R1,R2 靠近 FB 與 GND Pin。
? FB Pin,D-,D+ 遠離開關(guān)切換點 L1、LX 與 D1，避免受到干擾。
? 輸入電容 C1,C2 的地、輸出電容 C5,C6,C8 地與 GND Pin，鋪銅走線，上下層地多打洞連接。
? 輸出電容 C5 的地一定要靠近 IC 底部散熱片 GND Pin，降低開關(guān)切換突波與輸出高頻雜訊。
? 突波吸收元件 R8,C12 兩者靠近，且靠近 LX 與 GND Pin，R9,C13兩者靠近，且靠近 D1。
? 板子多余空間建議鋪地。
? L1， D1， PL7512 在升壓工作時，屬于主要發(fā)熱源，需要注意散熱和 PCB 布局。
