--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 U-DFN1610-6
- 浪涌電流 7A(8/20μs)
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
RClamp0522P 是一種超低電容TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)陣列,設(shè)計(jì)用于在連接到高速數(shù)據(jù)線時(shí)保護(hù)敏感半導(dǎo)體元件免受電應(yīng)力過(guò)大的影響。RClamp0522P 的超低電容(0.35pF典型I/O到I/O)確保了在tc 3.5GHz以上的數(shù)據(jù)速率下可以忽略信號(hào)衰減。固態(tài)結(jié)構(gòu)確??焖賷A緊ESD(靜電放電)、EFT(電快速瞬變)或CDE(電纜放電事件)產(chǎn)生的電過(guò)應(yīng)力瞬變。
■除了超低電容外,RClamp0522P 還提供卓越的浪涌電流能力和出色的電壓箝位性能。浪涌電流能力(8x20μs)的額定值為7A;大約比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高33%。此外,1.9的緊箝位比(VCVRWM)(通常為1A)確保了有害瞬態(tài)被快速箝位,并接近電路的正常工作電壓。超緊夾緊比比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高30%,確保了對(duì)敏感集成電路的卓越保護(hù)。
RClamp0522P 設(shè)計(jì)用于保護(hù)多達(dá)兩條數(shù)據(jù)線。它封裝在符合RoHS/WEEE標(biāo)準(zhǔn)的6引腳DFN中,具有0.55mm(標(biāo)稱)的極低封裝外形。超低電容、高浪涌能力、緊箝位比和低封裝外形的組合使RClamp0522P 成為當(dāng)今ESD敏感、空間受限應(yīng)用的理想選擇。
●特征
■ESD保護(hù)符合以下要求:
▲IEC 61000-4-2,±18kV觸點(diǎn),±30kV空氣
▲IEC 61000-4-5(閃電)7A(8/20μs)
▲IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)
■緊密的夾緊比V-C/V-RWM確保了卓越的保護(hù)
■高反向浪涌電流,lPP,容量
■低怠速電流將待機(jī)功耗降至低
■低調(diào)的DFN封裝
■為高速線路優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)
■貫穿設(shè)計(jì)
■保護(hù)兩條l/O線
■低電容:0.35pF典型值(I/O至I/O)
■低工作電壓:5V
■固態(tài)硅雪崩技術(shù)



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