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IMBF170R1K0M1XTMA1 1850PCS 鵬和深圳庫存 現(xiàn)貨熱賣
| FET 類型 | N 通道 | |
| 技術(shù) | SiCFET（碳化硅） | |
| 漏源電壓（Vdss） | 1700 V | |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 5.2A（Tc） | |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 12V，15V | |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） | 1000毫歐 @ 1A，15V | |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 1.1mA | |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） | 5 nC @ 12 V | |
| Vgs（最大值） | +20V，-10V | |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） | 275 pF @ 1000 V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 68W（Tc） | |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO263-7-13 | |
| 封裝/外殼 | TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA | |
| 基本產(chǎn)品編號(hào) | IMBF170 |
