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Vishay

BPW76B

PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM

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BPW76B 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    50 mA
  • 額定電壓
    70 V
  • 額定功率
    250 mW
  • 集電極電流
    50 mA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    150 mV
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    70 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    70 V
  • 通道數(shù)量
    1
  • 波長(zhǎng)
    850 nm
  • 極性
    NPN
  • 暗電流
    1 nA
  • 晶體管類型
    NPN
  • 峰值波長(zhǎng)
    850 nm
  • 功率耗散
    250 mW
  • 功率消耗
    250 mW
  • 擊穿電壓
    70 V
  • 元件數(shù)量
    1

Physical

  • 鏡頭樣式
    Flat
  • 方向
    Top View
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    125 °C
  • 工作溫度
    125 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 可視角度
    80 o
  • 包裝方式
    Bulk
  • 制造商封裝
    TO-18

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

BPW76B EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

BPW76B 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • BPW76B
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

BPW76B 圖片

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    Digikey

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip