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      Diodes

      DMP3085LSD-13

      MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO

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      DMP3085LSD-13 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        3.9 A
      • 輸入偏置電容
        563 pF
      • 類型
        2個(gè)P溝道
      • 漏源電阻
        95 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,5.3A
        70 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        70 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@10V
        11 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)P溝道(雙)
      • 接通延遲時(shí)間
        4.8 ns
      • 功率耗散
        1.1 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        31 ns
      • 下降時(shí)間
        14.6 ns
      • 上升時(shí)間
        5 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.5 mm
      • 長(zhǎng)度
        4.95 mm
      • 寬度
        3.95 mm

      DMP3085LSD-13 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      DMP3085LSD-13 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • DMP3085LSD-13
        1年前
        Huaqiu Chip

      DMP3085LSD-13 圖片

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