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      Vishay

      SI2308BDS-T1-E3

      MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

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      SI2308BDS-T1-E3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        1 V
      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        2.3 A
      • 輸入偏置電容@30V
        190 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        156 mΩ
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源極擊穿電壓
        60 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,1.9A
        156 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        54 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@10V
        6.8 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        15 ns
      • 功率耗散
        1.09 W, 1.66 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        11 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        16 ns
      • 上升時(shí)間
        16 ns

      Physical

      • 重量
        0.050717 oz
      • 端子間距
        1.9 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        SOT-23(TO-236)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.02 mm
      • 長度
        3.04 mm
      • 寬度
        1.4 mm

      SI2308BDS-T1-E3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI2308BDS-T1-E3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SI2308BDS-T1-E3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI2308BDS-T1-E3 圖片

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