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      ON Semiconductor

      FCB199N65S3

      MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK

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      FCB199N65S3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        4.5 V
      • 連續(xù)漏極電流
        14 A
      • 輸入偏置電容@400V
        1.225 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        650 V
      • 漏源導通電阻@10V,7A
        170 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@360uA
        4.5 V
      • 柵極電荷@10V
        30 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        98 W

      Physical

      • 配置
        Single
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        D2PAK

      Compliance

      • 無鉛
        Y
      • RoHS
        Yes

      FCB199N65S3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • fcb199n65s3-d.pdf
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