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      ON Semiconductor

      FDB6670AL

      N-CHANNEL POWER MOSFET

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      FDB6670AL 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        80 A
      • 輸入偏置電容@15V
        2.44 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@40A,10V
        6.5 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@5V
        33 nC
      • 晶體管類型
        N-Channel
      • 功率耗散
        68 W

      Physical

      • 端子間距
        5.08 mm
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -65 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        D2PAK(TO-263)

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      FDB6670AL EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FDB6670AL 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • fairs35720-1.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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