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Infineon

IR2111SPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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IR2111SPBF 器件參數(shù)

Function

  • 驅(qū)動配置
    半橋
  • 驅(qū)動器數(shù)量
    2
  • 通道類型
    Synchronous
  • 輸出端數(shù)量
    2
  • 輸出電流
    200 mA, 500 mA
  • 輸出電壓
    10 V, 20 V, 620 V
  • 負(fù)載類型
    MOSFET;IGBT
  • 類型
    IGBT, N通道 MOSFET
  • 電源電壓(Min)
    10 V
  • 電源電壓(Max)
    20 V
  • 電壓(Min)
    10 V
  • 電壓(Max)
    20 V
  • 接通延遲時間
    750 ns
  • 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
    Half Bridge
  • 峰值脈沖電流
    250 mA, 500 mA
  • 功率耗散
    625 mW
  • 關(guān)閉延遲時間
    150 ns
  • 供電電流
    180 μA
  • 傳播延遲
    950 ns
  • 下降時間
    40 ns
  • 上升時間
    80 ns

Physical

  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    95
  • 制造商封裝
    SOP-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm

IR2111SPBF 數(shù)據(jù)手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
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