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      Rohm

      US6J11TR

      MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

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      US6J11TR 器件參數

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        1.3 A
      • 輸入偏置電容
        290 pF
      • 類型
        2個P溝道
      • 漏源電壓
        12 V
      • 漏源導通電阻@1.5V,200mA
        1.06 Ω
      • 漏源導通電阻
        260 mΩ
      • 柵源電壓
        10 V
      • 柵源極閾值電壓@1mA
        1 V
      • 柵極電荷@4.5V
        2.4 nC
      • 晶體管類型
        2個P溝道(雙)
      • 接通延遲時間
        8 ns
      • 功率耗散
        1 W
      • 關閉延遲時間
        30 ns
      • 下降時間
        9 ns
      • 上升時間
        10 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-363T

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      US6J11TR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      US6J11TR 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      US6J11TR 圖片

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