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Microchip Technology

2N2432

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)

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2N2432 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    100 mA
  • 集電極截止電流
    10 nA
  • 集電極-基極電壓
    30 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    30 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    30 V
  • 電流增益 hFE@1mA,5V
    80
  • 晶體管類型
    NPN
  • 功率耗散
    300 mW

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -65 °C, 200 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Bulk
  • 制造商封裝
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Compliance

  • 無鉛
    含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

2N2432 數(shù)據(jù)手冊

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