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Texas Instruments (TI)

TPD2EUSB30DRTR

TVS DIODE 5.5VWM 8VC SOT9X3

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TPD2EUSB30DRTR 器件參數(shù)

Function

  • 額定電壓
    5.5 V
  • 鉗位電壓
    8 V
  • 配置
    Dual
  • 通道數(shù)量
    2
  • 電力線保護
    Yes
  • 測試電流
    1 mA
  • 極性
    單向
  • 峰值脈沖電流
    1 A
  • 峰值脈沖功率
    45 W
  • 反向工作電壓
    5.5 V
  • 雙向通道數(shù)量
    2
  • 單向通道數(shù)
    2
  • 擊穿電壓
    7 V
  • 關斷狀態(tài)電壓
    5.5 V
  • Reverse Standoff Voltage
    5.5 V
  • ESD保護
    Yes

Physical

  • 端子間距
    0.7 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Ta
    85 °C
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    85 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOT(9x3)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    450 μm
  • 長度
    1 mm
  • 深度
    800 μm
  • 寬度
    850 μm

TPD2EUSB30DRTR EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

TPD2EUSB30DRTR 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
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    來源
  • tpd2eusb30_0
    1年前
    Huaqiu Chip

TPD2EUSB30DRTR 圖片

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    Digikey

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip