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      ON Semiconductor

      FDD8453LZ-F085

      MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

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      FDD8453LZ-F085 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        3 V
      • 連續(xù)漏極電流
        50 A
      • 輸入偏置電容@20V
        3.515 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@15A,10V
        6.7 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@10V
        64 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        118 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        TO-252

      FDD8453LZ-F085 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FDD8453LZ-F085 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • fdd8453lz_f085-d.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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