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      MSKSEMI

      BC856S

      晶體管類型：2個PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：65V 集電極電流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：15nA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,5mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：110@2mA,5V 特征頻率(fT)：100MHz 工作溫度：+150℃@(Tj)100MHz 工作溫度 +150℃@(Tj)

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      BC856S 器件參數(shù)

      Physical

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        SOT-323-6

      BC856S EDA模型

      原理圖符號
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      BC856S 數(shù)據(jù)手冊

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