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      ON Semiconductor

      FDD850N10L

      MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK

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      FDD850N10L 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        15.7 A
      • 輸入偏置電容
        1.465 nF
      • 漏源電阻
        64 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        75 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷
        28.9 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        17 ns
      • 功率耗散
        50 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        27 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        8 ns
      • 上升時間
        21 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        2.39 mm
      • 長度
        6.73 mm
      • 寬度
        6.22 mm

      FDD850N10L EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FDD850N10L 數(shù)據(jù)手冊

      FDD850N10L 圖片

      • Huaqiu Chip

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