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      Vishay

      SI1012X-T1-GE3

      MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

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      SI1012X-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        900 mV
      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        700 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,600mA
        700 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        700 mΩ
      • 柵源電壓
        6 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        900 mV
      • 柵極電荷@4.5V
        750 pC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        5 ns
      • 功率耗散
        250 mW
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        25 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        5 ns
      • 上升時(shí)間
        5 ns

      Physical

      • 重量
        0.001058 oz
      • 觸點(diǎn)鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SC-89

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        800 μm
      • 長(zhǎng)度
        1.7 mm
      • 寬度
        950 μm

      SI1012X-T1-GE3 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI1012X-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • SI1012X-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      SI1012X-T1-GE3 圖片

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip