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      ON Semiconductor

      MMBD7000LT1G

      Dual Switching Diodes, 3-Pin SOT-23, Pb-Free, Tape and Reel

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      MMBD7000LT1G 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        200 mA
      • 額定電壓
        100 V
      • 重復(fù)反向電壓
        100 V
      • 配置
        Common Cathode
      • 浪涌電流
        500 mA
      • 正向電流
        200 mA
      • 正向電壓@100mA
        750 mV
      • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
        1.6 A
      • 恢復(fù)時間
        4 ns
      • 平均整流電流
        200 mA
      • 容值
        1.5 pF
      • 反向電壓
        100 V
      • 反向漏電流@50V
        100 μA
      • 反向恢復(fù)時間
        4 ns
      • 功率耗散
        300 mW
      • 二極管配置
        1對串聯(lián)式

      Physical

      • 配置
        Dual Series
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 端子間距
        1.9 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-23(TO-236)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • 無鹵素
        Halogen Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        940 μm
      • 長度
        2.9 mm
      • 寬度
        1.3 mm

      MMBD7000LT1G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      MMBD7000LT1G 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • Rev. 6
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • MMBD7000L_SMMBD7000L_ON.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      MMBD7000LT1G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip