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      Vishay

      SI6993DQ-T1-E3

      Mosfet Array 30V 3.6A 830mW Surface Mount 8-TSSOP

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      SI6993DQ-T1-E3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        -1 V
      • 閘/源截止電壓
        -1 V
      • 配置
        Dual
      • 連續(xù)漏極電流
        3.6 A
      • 漏源電阻
        31 mΩ
      • 漏源電壓
        -30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        31 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@4.5V
        20 nC
      • 晶體管類型
        2個P溝道(雙)
      • 接通延遲時間
        13 ns
      • 功率耗散
        830 mW
      • 關(guān)閉延遲時間
        52 ns
      • 元件數(shù)量
        2
      • 下降時間
        14 ns
      • 上升時間
        14 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        TSSOP

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.05 mm
      • 長度
        4.5 mm
      • 寬度
        3.1 mm

      SI6993DQ-T1-E3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Digikey
      • 1年前
        Farnell
      • pYYBAGPHEuiAA7MgAAGayI2m6Ds214.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI6993DQ-T1-E3 圖片

      • Farnell

        Farnell

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip