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      Toshiba

      SSM6N56FE,LM

      MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

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      SSM6N56FE,LM 器件參數(shù)

      Function

      • 輸入偏置電容
        55 pF
      • 類(lèi)型
        2個(gè)N溝道
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,800mA
        235 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        235 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@1mA
        1 V
      • 柵極電荷@4.5V
        1 nC
      • 反向傳輸電容
        6 pF
      • 功率耗散
        150 mW
      • 擊穿電壓
        20 V
      • FET功能
        邏輯電平柵極,1.5V驅(qū)動(dòng)

      Physical

      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Cut Tape
      • 制造商封裝
        ES-6

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Yes

      SSM6N56FE,LM EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SSM6N56FE,LM 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • SSM6N56FE_TOSHIBA.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      SSM6N56FE,LM 圖片

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