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      ON Semiconductor

      ISL9R3060G2

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

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      ISL9R3060G2 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        30 A
      • 額定電壓
        600 V
      • 重復(fù)反向電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 輸出電流
        30 A
      • 類(lèi)型
        Single
      • 浪涌電流
        325 A
      • 正向電流
        30 A
      • 正向電壓@30
        2.1 V
      • 極性
        Standard
      • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
        325 A
      • 恢復(fù)時(shí)間
        45 ns
      • 平均整流電流
        30 A
      • 峰值非重復(fù)浪涌電流
        325 A
      • 容值
        120 pF
      • 反向電壓
        600 V
      • 反向漏電流@600V
        100 μA
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        36 ns
      • 功率耗散
        200 W
      • 二極管配置
        獨(dú)立式

      Physical

      • 重量
        10 mlb
      • 觸點(diǎn)鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        2
      • 工作溫度@Tvj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        30
      • 制造商封裝
        TO-247-2

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        20.82 mm
      • 長(zhǎng)度
        15.87 mm
      • 寬度
        4.82 mm

      ISL9R3060G2 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      ISL9R3060G2 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • ISL9R3060G2
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      ISL9R3060G2 圖片

      • Digikey

        Digikey

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip