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      Vishay

      IRFD9010PBF

      MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP

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      IRFD9010PBF 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        -1.1 A
      • 額定電壓
        -50 V
      • 閾值電壓
        -4 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        1.1 A
      • 輸入偏置電容
        240 pF
      • 漏源電阻
        350 mΩ
      • 漏源電壓
        50 V
      • 漏源極擊穿電壓
        50 V
      • 漏源導通電阻
        500 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        11 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        6.1 ns
      • 功率耗散
        1 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        13 ns
      • 下降時間
        39 ns
      • 上升時間
        47 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        4
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        DIP

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      IRFD9010PBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRFD9010PBF 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • IRFD9010PBF
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IRFD9010PBF 圖片

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      • Huaqiu Chip

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