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      ON Semiconductor

      HGT1S12N60A4DS

      Single Igbt, 600V, 54A; Continuous Collector Current:54A; Power Dissipation:167W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Msl:msl 1 - Unlimited Rohs Compliant: Yes

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      HGT1S12N60A4DS 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        54 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        2.7 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        600 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        120 nC
      • 接通延遲時間
        17 μs
      • 反向恢復(fù)時間
        18 ns
      • 功率耗散
        167 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        96 μs

      Physical

      • 重量
        0.046296 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-263

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      HGT1S12N60A4DS 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • HGT1S12N60A4DS
        1年前
        Huaqiu Chip

      HGT1S12N60A4DS 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip